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| 芯导科技(688230)经营总结 | | 截止日期 | 2024-12-31 | | 信息来源 | 2024年年度报告 | | 经营情况 | 一、经营情况讨论与分析
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力，历经十五载的技术积淀，公司拥有搭建功率半导体技术平台的能力，并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TVS产品，已陆续开发了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品，已开发了平面工艺肖特基技术平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第三代半导体GaNHEMT产品，公司开发了高压P-GaNHEMT技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平台涵盖了PSC技术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。公司紧跟客户需求的变化与技术的进步，在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代产品以满足市场需求。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、积聚创新动能，铸就技术基石
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
（1）功率器件研发方面：
①在TVS产品方面：
A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力ESD产品已经在终端大客户验证通过，将在新项目中采用。另外该系列产品也由1.0*0.6mm的尺寸缩小至0.6*0.3mm，目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力ESD产品已经进入产品推广阶段，这系列产品的推出将使产品的阵容更加完善和齐全。
B.超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的SCRESD产品及用于HDMI2.1接口保护应用的容值低于0.3pF的4路深回退保护器件已经实现量产出货。
C.公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品，已经通过大客户的性能验证，由于具有优异的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能，优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中，目前该系列产品已经有多个型号批量出货；同时，在Vbus（总线保护）应用方面，基于DFN2020封装在开发高工作电压的双向保护产品已经实现量产出货，同时，针对具有超低应用负向钳位电压的单向TVS产品，正在做进一步的性能提升。
②在MOSFET产品方面：
1、中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET，不断完善产品阵容，加快产品系列化进程。
目前在电源、电机驱动等领域开始批量出货，同时也逐步在向服务器及算力电源等其他领域应用方面进行扩展。
2、低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品，新的增强栅极和源极之间静电保护能力的MOSFET系列产品已经在多个客户进行项目验证，部分已经实现出货，将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消费类领域，为终端客户提供更加安全、可靠的产品。在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产品阵容，包括N沟道、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。同时，在开发的具有典型应用、技术差异性的共S、共D极MOSFET产品已经完成工程样品，目前处于性能验证阶段。
③在肖特基产品方面：
目前正在开发具有超小封装尺寸，超低正向导通压降的超低容值肖特基产品，该产品已经进入到封装阶段，开发成功后，具有开关频率快，产品损耗低等突出性能。
④在GaNHEMT产品方面：
公司650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaNHEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaNHEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。
⑤在IGBT产品方面：
公司650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程，1200V200A芯片已定型，1700V200A客户认定中，1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。
⑥在SiC产品方面：
SiCSBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiCMOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。
（2）功率IC研发方面：
①在过流过压保护类IC产品方面：
A．带栅极控制，具有高电压插拔防护能力的40V/80mΩ规格产品成功导入多家知名终端产品中，并实现量产。
B．带反接保护的30V/115mΩ规格产品已完成开发，通过了多家终端产品的测试验证。
C．公司多款低成本和高过压阈值过压保护类产品MPW验证通过。
②在充电类IC产品方面：
A．3A大电流（带协议、带路径管理）开关充电产品在国内某知名客户验证通过。
B．5A带路径管理开关充电IC和5-12V/3.78A高压充电IC已完成性能优化版本的样品评估，准备送样工作，推动客户端的测试验证。
C．双节/多节锂电池充电IC的项目立项，扩展公司充电IC的产品系列和产品应用领域。
③在负载开关IC产品方面：
针对客户端的不同应用场景，对现有产品进一步进行系列化，推动新的负载开关IC的项目立项。
2、提升管理效能，激发增长活力
报告期内，公司引入CRM客户管理系统，通过整合客户数据、自动化流程与智能分析，实现数据中枢（统一客户信息构建全景视图）、流程引擎（自动化销售跟进与跨部门协作）、决策大脑（AI分析预测与BI可视化）三大核心功能，以客户为中心重构客户管理全链路，推动企业从经验决策向数据决策转型，实现降本、增效、拓收的闭环增长。CRM系统不仅实现了客户价值深度挖掘，更推动组织向数字化、生态化战略升级。我们以公司战略目标为指引，强化绩效制度，激发员工潜能，以终为始，优化企业资源配置。在一系列优化举措的推动下，公司治理能力显著提升，整体规模逐步壮大。
3、积蓄品牌势能，擘画发展蓝图
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。
报告期内，公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行，与合作伙伴及代理商加深合作，携手共进；公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会，公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获“风雨同舟奖”；公司参加了2024年（春季）亚洲充电展（ACE），展出了MOSFET、GaNHEMT、防护器件等产品在PD快充适配器、移动电源、无线充等电源相关设备中的应用；公司与ST、Qorvo、MPS等公司共同组成“绿色能源专区”亮相2024国际集成电路展览会暨研讨会(IICShanghai)，公司展示了IGBT单管及模组、SiCMOSFET、SiCSBD、GaNHEMT、GaNIC等应用于风光储充及汽车领域的相关产品。
报告期内，公司荣获“上市公司金牛奖——金信披奖”、“上证·金质量——科技创新奖”、“年度领军企业奖”、“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”、“中国GaN十强企业奖”等荣誉。这些殊荣不仅是对我们品牌影响力、科技创新实力、公司治理能力的权威肯定，更是客户信赖、行业认可、智库推崇、媒体赞誉的集中体现。
4、挖掘协同潜能，探索产学未来
2024年初，西安交通大学党委书记卢建军一行莅临芯导科技调研走访，进一步推动产学研深度融合，促进学校与企业之间的合作共赢。此次调研走访不仅加深了学校与校友企业之间的联系，更为双方未来的合作与发展奠定了基础。2024年8月，公司便迎来了西安交通大学“思源学子源动力训练营”的学子们来访参考与交流。此外，复旦MBA半导体俱乐部、复旦大学微电子学院等走进公司，共话第三代半导体前沿领域，探讨人才发展战略，本次参访为复旦大学与公司的更进一步合作奠定了良好基础。
长期以来，公司积极参与校企交流活动，高度支持在校学生们深入了解行业，参与到创新创业的实践中来，共同推动人才梯队的建设，为行业的蓬勃发展增势赋能。
非企业会计准则业绩变动情况分析及展望
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