|
| 扬杰科技(300373)经营总结 | | 截止日期 | 2023-12-31 | | 信息来源 | 2023年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
1、公司所处行业发展情况
功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件，应用十分广泛，主要涵盖汽车电子、清洁能源、5G通讯、安防、工业控制、消费类电子等配套领域。科技的发展带动了人们对安全、环保、智能等领域需求的提高，从而对各类半导体功率器件需求持续加大。随着功率半导体器件行业新型技术的发展与成熟，其应用领域将不断扩展，成为国民经济发展中不可或缺的核心电子元件。2023年全球半导体市场受到周期性变化影响整体有所下滑，据世界半导体贸易统计协会（WSTS）统计，2023年预计全球半导体同比负增长9.4%至5201亿美元，但分品类来看，分立器件市场仍有5.8%的温和增长。
功率半导体器件行业市场化程度较高，行业集中度低，但具备硅棒、硅片、芯片、器件研发、设计、制造、封装测试等全产业链综合竞争实力的国内本土公司只有少数。我国功率半导体市场梯队化竞争格局明显，随着国内企业逐步突破高端产品在芯片设计、制程等环节的核心技术，在更多领域填补国内技术缺口，国产功率半导体产品的质量、性能、技术标准不断提升，品牌认可度逐步升高，中国功率半导体应用市场对进口器件的依赖继续减弱，国产替代及海外替代的机遇愈加显现，全球行业TOP企业面对市场的激烈竞争迫切需要降本方案，开始从全部选用国际品牌转为引入中国品牌供应商，这对中国企业提升海外市占率也提供了很好的机会。同时，中美贸易争端和西方技术封锁将加快我国功率半导体产业自主化进程，地缘政治等对供应链安全提出了更高的要求，国内功率半导体企业迎来发展良机。国家相关政策对于国产化率提升的支持也给该行业带来了更多机会，2023年功率半导体国产化之路继续稳中求进，逐步推动了关键产业环节的国产化替代。
功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业，为推动电力电子技术和产业的发展、建设资源节约型和环境友好型社会，国家制订了一系列政策与法规引导、鼓励、支持和促进国内功率半导体事业的发展，增强本土科技竞争力，功率半导体产业已上升至国家战略高度。随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进，以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实，功率半导体作为我国实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件，有望在政策的护航之下驶入快车道。2022年12月，国务院印发《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》，旨在促进消费投资，内需规模实现新突破，并提出积极发展绿色低碳消费市场，加强能源基础设施建设，推动构建新型电力系统，提升清洁能源消纳和存储能力，全面提升信息技术产业核心竞争力，推动人工智能、先进通信、集成电路、新型显示、先进计算等技术创新和应用。2023年1月，工信部等六部门联合发布《关于推动能源电子产业发展的指导意见》，加快功率半导体器件等面向光伏发电、风力发电、电力传输、新能源汽车、轨道交通等领域推广，发展新能源用耐高温、耐高压、低损耗、高可靠IGBT器件及模块，并提升SiC、GaN等先进宽禁带半导体材料与先进拓扑结构和封装技术，新型电力电子器件及关键技术。2023年9月，国家发展改革委、国家能源局《关于加强新形势下电力系统稳定工作的指导意见》中提出，研发大容量断路器、大功率高性能电力电子器件、新能源主动支撑、大容量柔性直流输电等提升电力系统稳定水平的电工装备。推动新型储能技术向高安全、高效率、主动支撑方向发展。提高电力工控芯片、基础软件、关键材料和元器件的自主可控水平，强化电力产业链竞争力和抗风险能力。2023年7月，中国半导体行业协会发布了一则关于维护半导体产业全球化发展及供应链安全的声明，中国将始终“坚持开放合作，与世界各国、各地区一切愿意合作的产业界同仁共同维护半导体产业的全球化”。
2、公司在行业中的地位
公司凭借前瞻的市场布局、持续的技术创新、优质的产品设计、科学的成本优化、过硬的品质管控、快捷的交付能力，已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业，同时在MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域采用IDM+Fabless相结合的模式。公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率，整流桥、光伏二极管产品市场全球领先。根据企业销售情况、技术水平、半导体市场份额等综合情况，公司已连续数年入围由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强，位列国内外多个中国半导体企业榜单中前二十强，并入选了汽车芯片 50强，工信部汽车白名单等，通过了 FORVIA,斯坦雷，法雷奥，德赛西威等知名TIRE1汽车电子制造体系认证，技术和产品获得多家主流客户认可。
四、主营业务分析
1、概述
（1）报告期内公司主要经营情况
1）研发技术方面
①公司积极推进重点研发项目的管理实施。基于Fabless模式的 8吋、12吋平台的Trench 1200V IGBT芯片，完成了10A-200A全系列的开发；在G2和G3平台方面，目前已经成功开发应用于变频器、光储、电源领域的1200V/35A～200A、950V/200A、650V/50A～100A等多款IGBT芯片，对应的PIM和6单元功率模块1200V/10A～200A、半桥模块50A～900A也同步投放市场。公司重点布局工控、光伏逆变、新能源汽车等应用领域，报告期内公司在IGBT模块市场份额快速提升，已逐步成为一家集芯片设计和模块封装的重要参与者。同时，公司瞄准清洁能源市场，利用Trench Field Stop型IGBT技术，通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，成功推出1200V系列、650V系列TO220、TO247、TO247PLUS封装产品，性能对标国外主流标杆。报告期内，公司新能源汽车PTC用1200V系列单管通过车规认证，大批量交付客户；针对光伏领域，成功研制了1200V/160A、650V/400A和450A三电平IGBT模块，并投放市场，同时着手开发下一代950V/600A三电平IGBT模块；针对新能源汽车控制器应用，重点解决了低电感封装、多芯片均流、铜线互连、银烧结等关键技术，研制了750V/820A IGBT模块、1200V/2mΩ三相桥SiC模块。
②公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在 SiC、GaN 功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。报告期内，公司与东南大学集成电路学院签约共同建设“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”，进一步夯实第三代半导体的研发力度。 公司已开发上市G1、G2系SiC MOS产品，型号覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-1000 mΩ，已经实现批量出货 ，其中1200V SiC MOS平台的比导通电阻（RSP）已做到3.5mΩ.cm2以下，FOM值达到3300mΩ.nC以下，可对标国际水平。
开发FJ、Easy Pack等系列SiC模块产品。当前各类产品已广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。
车载模块方面，公司自主开发的车载碳化硅模块已经研制出样，目前已经获得多家Tier1和终端车企的测试及合作意向，计划于2025年完成全国产主驱碳化硅模块的批量上车。第三代半导体产品的持续推出，为公司实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定了坚实的基础。
③依照公司汽车电子战略大方向，基于Fabless模式的8吋、12吋G2平台40V SGT MOSFET芯片，针对汽车EPS、BCM、油泵、水泵等电机驱动类应用，完成了0.6mR~7mR系列布局，顺利通过车规级可靠性验证，部分客户测试通过并进入批量阶段；N60V/ N100V/ N150V/ P100V完成了车规级芯片开发，针对车载DC-DC、无线充电、车灯、负载开关等应用，多款产品已经量产；针对数据中心、安防系统系统数据器作存储数据固态硬碟; 皆需要热插拔应用，其采用特殊工艺进行N30V及 N100V SGT 2mohm以下器件开发。全年公司在SGT MOSFET方向加大研发投入，各电压平台加速迭代，通过进一步优化外延规格及解决高密度器件结构设计带来的诸多工艺难题，新一代N40V/ N60V/ N100V/ N150单位面积导通品提升50%以上，性能领先于国际一线大厂。针对清洁能源、便携储能、高端电源等应用，采用最新一代SGT技术，完成了N60V 1mohm~9ohm、N100V 1.2mohm~9mohm及150V 5.6mohm~13mohm系列化，同步也采用自主创新技术,在12吋晶圆厂进行产品开发，使用更新进的制造工艺技术, 确保产品有更好的性能及优异可靠性，其Gross die领先于市面同行。
公司 23年 SJ产品平台取得进一步技术突破，该系列产品通过提升器件结构密度,进一步降低特征导通电阻,提升器件功率密度,相同体积下,可以大幅提升器件电流能力,同时,优化器件开关特性,来提供系统EMC设计更大的余量,全面提升产品各方面参数特性。
2）市场营销方面
①行业方面，进一步完善技术营销机制，借助行业高速发展的形势，公司主要聚焦在新能源汽车电子、清洁能源、工控以及网通等行业，完成行业TOP大客户全覆盖，报告期内汽车电子与清洁能源行业业绩大幅增长。
②重点产品方面，构建策略产品行销的能力，设立专职策略产品行销经理重点推广 MOSFET、IGBT、SiC系列产品，进行策略产品的销售和推广赋能，形成团队作战模式，帮助销售获得产品承认机会，加速商机转化率，提高重点产品销售占比。构建功率器件MOSFET，IGBT，SiC解决方案类型的技术销售能力，为战略客户提供技术解决方案。
③渠道方面，公司持续推进国际化战略布局，加强海外市场与国内市场的双向联动，报告期内，在越南投资增设子公司美微科（越南）有限公司，加强国内国外“双循环”推广管理；持续推进国内外电商业务模式，线下和线上相结合，进一步强化品牌建设，提升品牌影响力。全球化渠道布局，不断拓展海外业务。
3）运营管理方面
①公司践行“质量至上”的发展理念。报告期内，公司通过持续深化落实“零缺陷管理”、“严进严出”与“三化一稳定”活动，挖掘质量管理缺陷，构建质量管理控制体系。通过培养善用工程品质工具、具有全面管理质量能力的专业团队，建立质量信息沟通和数据分享渠道，跟踪产品落地后客户端使用情况等，多维度降低产品潜在风险，做好高质量发展。
②公司深耕运营管理，持续推动各制造中心实施精细化运营。报告期内，结合市场供应情况，通过科学方法优化生产策略升级为MPS/MTS/ATO，通过MTS/MPS缩短生产周期，通过MPS升级响应客户需求，提升客户交付满意度。在2023年市场环境之下，公司以“产品领先”为目标，积极策划成本优化卓越运营活动，从研发创新，精益改善，流程优化价值流改善，全方位推进增效降本及革新项目，打造持续低成本能力。
③公司搭建精益生产体系，推进精益生产改善活动。通过精益项目推进，在各工厂生产管理中全面、全程地贯彻精益管理的思想，通过物流优化、OEE改善，现场看板及问题快速解决方法导入，初步构建扬杰精益管理体系。年度生产力环比提升18.8%，持续降低生产成本。
（2）报告期内业绩变动原因说明
1）在外部市场环境下滑的情况下，2023年公司营业收入同比略有增长，前3季度营业收入同比负增长进一步收窄，并于4季度实现全年营业收入同比增长。报告期内，公司光伏二极管、碳化硅产品、IGBT产品销售同比大幅增长，但因行业竞争进一步加剧，目前上述产品的毛利率低于公司平均毛利率，导致整体毛利率有所下滑。
2）公司持续以客户和市场需求为导向，加大新产品的研发投入。2023年公司通过继续收购湖南杰楚微公司30%股权，完成对湖南杰楚微公司的控股，进一步完善了公司在晶圆制造上的核心能力。但由于湖南杰楚微公司当前仍处于研发、产能持续爬坡阶段，前期各项投入较高，经济效益尚未释放。
3）公司通过持有北京广盟合伙份额间接持有瑞能半导体科技股份有限公司（新三板挂牌公司，证券代码：873928）股权，2023年度该项投资公允价值变动达2.04亿元，系参考瑞能半导近期非公开发行股票时的估值及公司的股权比例确定。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 不适用
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2023年2022年 同比增减
半导体器件 销售量 千只 39,157,150.54 35,687,713.82 9.72%生产量 千只 40,639,028.23 39,935,777.99 1.76%库存量 千只 7,549,203.87 7,689,407.38 -1.82%半导体芯片 销售量 千只 31,512,345.91 28,382,576.98 11.03%生产量 千只 29,808,950.20 28,504,776.50 4.58%库存量 千只 2,211,961.13 3,888,329.30 -43.11%半导体硅片 销售量 万只 2,051.02 1,849.64 10.89%生产量 万只 2,050.15 1,881.80 8.95%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用 □不适用报告期内，半导体芯片库存量下降43.11%，主要为公司半导体芯片销售量上升，生产量的增长低于销售量的增长，从而库存下降。
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
产品分类
产品分类
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
是 □否
1) 本期发生的非同一控制下企业合并
被购买方名称 股权取得时点 股权取得① 合并范围增加公司名称 股权取得方式 股权取得时点 出资额 出资比例新加坡美微科公司 设立2023年3月 USD 18,147,500.00 100.00%日本扬杰公司 设立2023年5月 JPY 6,000,000.00 100.00%越南美微科公司 设立2023年8月 USD 18,000,000.00 100.00%② 合并范围减少公司名称 股权处置方式 股权处置时点 处置日净资产 期初至处置日
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 不适用
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
4、研发投入
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化 开发新产品，提升企业研发创新能力，拓展新能源领域市场，进一步实现进口替代。 项目由杰利半导体牵头，联合北工大共同完成，2021年6月1日开始实施，2023年12月31实施完毕，实际总投资14,164.56万元，已完成新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化项目。 在项目实施期内完成“新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化”关键核心技术（装备）攻关任务，达到所有核心技术指标、应用考核指标和绩效目标要求。解决关键技术难点4个；
关键技术和应用考核
指标达标率100%；项目研发投入2600万元；完成攻关成果应用示范项目数量1个。 经济效益明显增加，实现了FRD月产5000片，可以实现月销售1020万元，年销售可达12050万元，实现新增利税3610万元。1200V80mΩ平面栅碳化硅MOSFET开发 该项目产品的研究目的是设计开发1200V80mΩ系列碳化硅MOSFET，实现产品规模产业化，并应用于新能源汽车和充电桩领域。 客户合作中。 提升公司碳化硅mos的性能和竞争力，为公司盈利贡献份额。 提升公司碳化硅mos的性能和竞争力，为公司盈利贡献份额。车规级60V-20mRN型 通过该项目获得车规 产品开发验证完成。 依照公司汽车电子战 满足终端客户对产品沟槽(Trench)MOSFET芯片设计开发 级沟槽（Trench）MOSFET产品设计的合理标准，确保使用该标准能更加稳定的进行生产制造，从而提高车规产品性能的稳定性和参数一致性。 略大方向，针对车载DC-DC、负载开关等应用提供方案支持，顺利通过车规级可靠性验证，部分客户测试通过并进入批量阶段。 多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。车规级40VN型屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET芯片设计开发 汽车产业正在经历智能网联化、电动化、共享化变革,推动半导体技木快速发展。耐压等级更高、散热性能更好、导通损耗和开关损耗更低的MOSFET将在车辆轻量化、能源效率提升及电气系统小型化方面起到越来越重要的作用。屏蔽栅SGTMOSFET兼具低功率损耗、高开关速度、高频特性好等优势，成为当前中低压领域的主流开关器件。研发一款性能优越、可靠性高、稳定性好的40V车规级屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET，搭建一套车规级40VSGT的设计方法和工艺平台，保证后续此平台的系列化产品能够满足下游终端需求，逐步替代国外同类型车规器件。 产品开发验证完成 依照公司汽车电子战略大方向，针对汽车EPS、BCM、油泵、水泵等电机驱动类应用，完成0.6mR~7mR系列产品布局，顺利通过车规级可靠性验证，部分客户测试通过并进入批量阶段； 满足终端客户对产品多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。车规级100VN型屏蔽栅沟槽(SGT)MOSFET芯片设计开发 该项目从N型100V屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET芯片设计入手，优化版图设计，提高大规模生产的稳定性和一致性，提供满足车规级要求的设计标准，从设计上提供车规级产品可靠性解决方案。 客户合作中。 依照公司汽车电子战略大方向，针对车载DC-DC、车灯等应用提供方案支持。丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。 满足终端客户对产品多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。分布式光伏三电平N系列模块研发 N系列产品160AT型三电平和450A650V一字型三电平产品，主要应用领域是光伏逆变器。 客户合作中。 建立光伏三电平模块测试，设计，工艺开发平台,完善650V和1200VG2，G3IGBT芯片设计和工艺平台。 建立光伏三电平模块研发平台，光伏市场占据市场地位。车载应用HPD功率模块研发 HPD系列产品主要包括820A/750V产品，主要应用领域是车规级逆变器。 产品开发验证中。 建立车规HPD研发，测试，仿真平台，完成产品的性能和可靠性测试。 建立车规的工艺和研发平台，客户测试通过。光伏应用boost混合SiC模块研发 P3产品是225A1200Vboost电路，内部包含SiCFRD1200V，应用领 客户合作中。 光伏boost产品60KW应用系列化，分体针工艺量产。 进入光伏boost市场，增加品牌的价值。域是光伏升压领域。LFPAK系列高性能超低阻抗Clip封装产品开发 配合超低内阻MOSFET芯片研发进行新品开发，减小封装的寄生电阻，更好耐湿耐高温抗振动能力减少SMT焊接应力，主要应用在车载安全部件底盘控制、刹车系统等。 客户合作中。 完成此封装开发，实现产品量产，品质满足客户要求。 开发车规级功率封装产品，满足车规客户多样性需求，加速国产替代。PDFN5060高性能超低阻抗FullClip产品开发 配合超低内阻MOSFET芯片研发进行新品开发，减小封装的寄生电阻，具备大电流、优良的散热、抗浪涌保护能力；丰富公司现有产品种类。主要应用在车载。 客户合作中。 完成此封装开发，实现产品量产，品质满足客户要求。 开发车规级功率封装产品，满足车规客户多样性需求，加速国产替代。GaN栅极ESD保护器件开发 GaNHEMT由于高频的特性，常用于高频、高效率电路做开关管，由于该器件Qg和Ciss特别小,容易受到静电作用损坏，因此集成ESD保护功能的GaNHEMT是未来市场趋势。 客户合作中。 扩展公司在第三代半导体领域的产品矩阵，抢占第三代半导体发展机遇。 扩展公司在第三代半导体领域的产品矩阵，抢占第三代半导体发展机遇。
5、现金流
(1)经营活动产生的现金流量净额 899,420,250.19元，较上年同期上升 12.65%，主要系报告期内，公司购买商品、接受劳务支付的现金减少。
(2)投资活动产生的现金流量净额-455,589,949.52元，较上年同期上升 40.26%，主要系报告期内，公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金减少。
(3)筹资活动产生的现金流量净额1,550,648,228.38元，较上年同期上升448.03%，主要系报告期内，公司发行境外存托凭证（以下简称GDR）。
报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 □适用 不适用
五、非主营业务情况
适用 □不适用
企业控制权时，原股权按公允价值重新计量产生的利得与处置长期股权投资产生的投资收益。 否公允价值变动损益 185,923,823.82 17.85% 主要系公司通过北京广盟间接持有瑞能半导体公司股权，本期根据瑞能半导公司非公开发行股票时的估值及公司的股权比例确定公允价值变动损益2.04亿元。 否资产减值 -61,171,819.94 -5.87% 主要系存货跌价准备金。 否营业外收入 6,000,188.68 0.58% 主要系质量赔款收入与无法支付款项。 否营业外支出 18,732,039.70 1.80% 主要系对外公益捐赠。 否信用减值损失 -19,013,082.49 -1.83% 主要系报告期内应收账款、其他应收款坏账准备金计提。 否资产处置收益 1,492,354.95 0.14% 主要系固定资产处置收益。 否
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
公司应收质保
金增加。
存货 1,145,317,62
牌方式受让湖
南杰楚微30%
股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。固定资产 3,480,422,02牌方式受让湖南杰楚微30%股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。使用权资产 117,816,524.牌方式受让湖南杰楚微30%股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。短期借款 553,968,908.银行融资增加，及以公开摘牌方式受让湖南杰楚微30%股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。合同负债 35,088,567.8牌方式受让湖南杰楚微30%股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。交易性金融资产 41,785,067.7风险可控理财产品。预付款项 59,693,121.7商材料采购款减少。其他应收款 12,420,738.1的投资保证金。其他流动资产 33,323,514.8固定收益型理财产品。其他非流动金融资产 649,575,265.导体产业投资中心（有限合伙）的合伙份额间接持有瑞能半导体科技股份有限公司（股票代码：
873928，以下简称瑞能半导公司）股票，本年度新增公允价值变动损益，系参考瑞能半导公司近期非公开发行股票时的估值及公司的股权比例确定。无形资产 211,533,873.土地使用权。商誉 313,851,069.牌方式受让湖南杰楚微30%股权，累计受让70%，湖南杰楚微成为控股子公司，纳入合并报表范围。递延所得税资产 14,231,497.3益确认的递延所得税资产增加。应付票据 239,394,631.承兑汇票减少其他应付款 50,397,974.9的供应商保证金增加。一年内到期的非流动负债 445,321,187.期的长期借款增加。税额增加。境外资产占比较高□适用 不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
适用 □不适用
展；
半导
体微
细加
工设
备研
究开
发；
半导
体热
工设
备研
究开
发；
半导
体元
件设
备研
究开
发；
半导
体窑
炉及
传感
器研
究开 收购 650,
332,
415.
十八
研究
所 长期 半导
体晶
圆制
造和
服务 以公
开摘
牌方
式受
让湖
南杰
楚微
半导
体科
技有
限公
股权 0.00 -
29,2
97,1
0 否2023年04
月03
日 详见
公司
于2023年4
月3
日在
巨潮
资讯
网
（ww
w.cn
com.
cn）
发布
的
《关
于以
公开
摘牌
方式
收购
湖南
楚微
半导
体科
技有
限公
股权
的公
告》
发 （公告编号：
015）
。
合计 -- -- 650,
332,
415.
17 -- -- -- -- -- -- 0.00 -29,297,10 -- -- --
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用 不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
适用 □不适用
（2） 衍生品投资情况
□适用 不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
5、募集资金使用情况
适用 □不适用
（1） 募集资金总体使用情况
适用 □不适用
募集资金总体使用情况说明
2023年公司实际使用募集资金0美元，收到的银行存款利息扣除银行手续费等的净额为467.18万美元。截至2023年12月31日，募集资金余额为21,678.61万美元。
（2） 募集资金承诺项目情况
适用 □不适用
(3)＝
(2)/(1
) 项目达
到预定
可使用
状态日
期 本报告
期实现
的效益 截止报
告期末
累计实
现的效
益 是否达
到预计
效益 项目可
行性是
否发生
重大变
化
承诺投资项目
发展功
率元件
业务，包括建设小信号产品、硅基及碳化硅SBD、MOSFET等产品 否 87,457海外研发中心和全球销售及售后服务网点建设 否 14,576运资金及其他一般公司用途 否 43,728资项目小计 -- 145,762.46 145,76不适用 否合计 -- 145,762.46 145,76说明未达到计划进度、预计收益782.43万美元存放于募集资金专户。募集资金使用及披露中存在的问题或其他情况 根据公司当地监管部门要求，公司募集资金先行汇入国内之后履行审批程序再进行出境，办理过程为不影响项目进度，公司募集项目发展功率元件业务，包括建设小信号产品、硅基及碳化硅SBD、MOSFET等产品的封装项目和海外研发中心、全球销售及售后服务网点建设项目本期以自有资金分别投入1,329.14万美元和
（3） 募集资金变更项目情况
□适用 不适用
公司报告期不存在募集资金变更项目情况。
八、重大资产和股权出售
1、出售重大资产情况
□适用 不适用
公司报告期未出售重大资产。
2、出售重大股权情况
□适用 不适用
九、主要控股参股公司分析
□适用 不适用
公司报告期内无应当披露的重要控股参股公司信息。
十、公司控制的结构化主体情况
□适用 不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动登记表
适用 □不适用
接待时间 接待地点 接待方式 接待对象类型 接待对象 谈论的主要内容及提供的资料 调研的基本情况索引
2023年05月24日 价值在线（https://ww
w.ir-
online.cn/）
网络互动平台 网络平台线上
交流 其他 面向社会公众 公司2022年 度报告交流 详见公司于2023年5月24日《扬杰科技2023年05月24日投资者关系活动记录表》（编号：2023-001）。
2023年08月28日 公司会议室 电话沟通 机构 上银基金、万家基金等160家机构投资者 公司2023年上半年度经营情况 详见公司于2023年8月30日《扬杰科技：2023年8月28日-29日投资者关系活动记录表》（编号：
2023-002）。
2023年10月23日 公司会议室 电话沟通 机构 青骊投资、上投摩根等267家机构投资者 公司2023年前三季度经营情况 详见公司于2023年10月24日《扬杰科技：2023年10月23-24日投资者关系活动记录表》（编号：
2023-003）。
十三、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况
公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案。是 □否公司积极响应号召，制定了“质量回报双提升”行动方案。具体举措如下： （一）专注主业，深耕功率半导体公司自成立以来，秉持“客户第一、激情创新、勤简自省、坦诚感恩”的核心价值理念，紧紧围绕功率半导体方向，建立研发、品质、成本等优势，持续推进“强品牌、新行业、国产化、国际化”四大发展战略，目前已成为国内少数集 单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业 链为一体的规模企业，公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较 高的市场占有率。根据企业销售情况、技术水平、半导体市场份额等综合情况，公司已连续数年入围由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强，并在国内外多个中国半导体企业榜单中位列前二十强。未来，公司将继续秉承“让世界信赖中国功率半导体”的使命，坚定不移地 在功率半导体领域深耕：以客户和市场需求为导向，加大对 MOSFET、IGBT、SiC 等产品的研发投入，聚焦新能源汽车、光伏储能等新领域；持续深化“双品牌”+“双循环”及品牌产品差异化的业务模式，把握全球发展机遇；加快实现高水平科技自立自强，推动公司高质量发展。
（二）创新驱动发展，加速中高端功率半导体国产化进程
公司将始终坚持以创新驱动发展，高度重视产品研发及生产工艺的领先能力建设。密切关注市场需求及核心技术发展趋势，加大研发与创新投入，在发展中 高端 MOSFET、IGBT 芯片及器件的同时，面向功率器件高端领域，在海外布局 研发基地，加快对 SiC、GaN 等第三代半导体的技术推进，持续增强核心竞争力。进一步强化研发队伍建设，吸引海内外一流半导体技术、研发人才，完善研发体系，让人才创新在突破关键技术、核心技术等方面发挥更大作用，加快驱动核心优势产业向高端化发展，加速进口替代。
（三）持续完善公司治理，加强规范运作
公司将不断夯实公司治理基础，建全内部控制制度，促进“三会一层”归位尽责。规范公司及股东的权利义务，防止滥用股东权利、管理层优势地位损害中 小投资者权益。持续加强投资者关系管理，拓宽机构投资者参与公司治理的渠道，引导中小投资者积极参加股东大会、业绩说明会等，使投资者全面了解公司运作 模式、经营状况、发展战略等，为各类投资者主体参与重大事项决策创造便利，增强投资者的话语权和获得感。
（四）坚持公司价值为核心，提升信息披露质量
公司将坚持公司价值为核心的披露原则，从满足监管部门要求的被动披露逐 步转变为满足投资者对实质有效信息的需求。信息披露突出重要性、针对性，主 动披露对投资者投资决策有用的信息，强化行业竞争、公司业务、风险因素等关 键信息披露，减少冗余信息披露。保证信息披露真实、准确、完整、及时、公平，简明清晰，通俗易懂。公司每年定期召开面向全体投资者的业绩说明会，确保交流活动常态化、高质量开展。同时，杜绝炒概念、蹭热点行为，防范股票炒作风险。
（五）持续分红，落实股东回报
公司将坚持以投资者为本，诚实守信，依法合规，在扎实自身发展根基的同时，牢固树立回报股东意识，让广大投资者有回报、获得感。公司已在《公司章程》中明确制定了利润分配政策，自上市后持续进行现金分红，每年现金分红不少于当年实现的可分配利润的20%。未来，公司将统筹好业绩增长与股东回报的动态平衡，落实打造“长期、稳定、可持续”的股东价值回报机制，在兼顾公司长远发展的同时，让股东切实感受公司的发展成果。公司重视运用股份回购等方式，稳定市场，提振信心。自公司上市以来，公司已推出两次股份回购，尚有一期正在实施中。
下一步，我们将牢固树立回报股东意识，坚持以投资者为本，将“质量回报双提升”行动方案执行到位，切实增强投资者的获得感，为稳市场、稳信心积极贡献力量。
|
|