|
| 扬杰科技(300373)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
二、报告期内公司所处行业情况
1、公司所处行业发展情况
功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件，广泛应用于汽车电子、AI数据中心、机器人、5G通讯、清洁能源、
智能安防、工业、消费类电子等领域。在双碳战略驱动和人工智能浪潮下，市场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升，进而拉动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。随着功率半导体器件行业新型技术的发展与成熟，功率半导体器件的应用领域将不断扩展，成为国民经济发展中不可或缺的核心电子元器件。
2025年，在人工智能、新能源、汽车电子等领域的驱动下，功率半导体市场呈现“需求扩张、国产加速”的态势。从需求端来看，“以旧换新”相关政策刺激消费电子、汽车电子等领域的市场需求，新兴行业 AI、具身智能、低空经济等正成为推动中高端功率半导体需求增长的另一关键驱动力。从竞争格局看，功率半导体器件行业市场化程度较高，行业集中度低。我国功率半导体市场梯队化竞争格局明显，随着国内企业在芯片设计、制造工艺等关键环节不断实现技术突破，逐步填补高端领域技术空白，国产功率半导体产品的质量、性能、技术标准不断提升。2025年国内企业市场份额稳步提升，逐步向高端市场渗透，进口替代不断加速。全球行业 TOP 企业面对市场的激烈竞争迫切需要降本方案，逐步由全面采用国际品牌器件，转向引入国内优质供应商，为我国功率半导体企业拓展海外市场、提升全球市占率创造了有利条件。同时，中美贸易摩擦与技术封锁进一步凸显供应链自主可控的重要性，地缘政治环境对产业链安全提出更高要求，有力推动国内功率半导体产业自主化进程。叠加国家层面持续出台产业支持政策，大力提升关键元器件国产化水平，多重利好共同为我国功率半导体行业发展注入强劲动能。功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业。为推动电力电子技术和产业的发展、建设资源节约型和环境友好型社会，国家出台了一系列政策与法规引导、鼓励、支持和促进国内功率半导体事业的发展，增强本土科技竞争力，功率半导体产业已上升至国家战略高度。随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进，以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实，功率半导体作为我国实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件，有望在政策的护航之下驶入快车道。2025年2月，工信部等八部门联合印发了《新型储能制造业高质量发展行动方案》，明确提出要提高先进功率半导体、智能传感器、电源管理芯片等关键核心器件的供给能力，以支撑新型储能产业的发展。2025年 3月，两会《政府工作报告》提出持续推进“人工智能+”行动，大力发展智能网联新能源汽车、人工智能手机和电脑、智能机器人等新一代智能终端以及智能制造装备。扩大5G规模化应用，加快工业互联网创新发展，优化全国算力资源布局，打造具有国际竞争力的数字产业集群。2025年 7月，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规盖零部件、系统集成、运营服务的充电产业链整体升级。2025年 11 月，国务院办公厅印发了《关于加快场景培育和开放推动新场景大规模应用的实施意见》，要求“稳妥有序拓展低空经济等领域应用场景”；2025年 12 月，国家发改委印发了《低空经济及其核心产业统计分类（试行）》，明确了低空经济的概念、分类及其核心产业，为相关政策的制定和实施提供依据。
2、公司在行业中的地位
公司凭借前瞻的市场布局、持续的技术创新、优质的产品设计、科学的成本优化、过硬的品质管控、 快捷的交付能
力，已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模化企业，同时在 MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域采用 IDM+Fabless 相结合的模式。公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率，整流桥、光伏二极管产品市场全球领先。依托综合营收规模、技术研发实力及市场占有率等核心指标，公司再度蝉联由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强，OMDIA全球功率半导体discrete榜单排名第八，位列国内外多个半导体企业榜单中前二十强、工信部汽车白名单等。报告期内，公司取得多家国际标杆汽车整车厂和 Tier1 客户认证，技术方案和产品性能获得多家主流客户认可；相继斩获全国首张芯片国产化权威认证、中国SiC器件IDM十强企业等行业荣誉，行业影响力与品牌认可度持续提升。。
四、主营业务分析
1、概述
1.报告期内公司主要经营情况
(1)研发技术方面
①公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以 SiC 为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，
以进一步满足公司后续战略发展需求。报告期内，发挥公司与东南大学集成电路学院签约共同建设的“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”作用，进一步夯实第三代半导体的研发能力。报告期内，公司投资的 SiC 芯片工厂通过 IDM 模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代，所有SiC MOS型号实现覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-500mΩ，其中第三代 SiC MOS 平台的比导通电阻（RSP）已做到 2.47mΩ.cm2 以下，FOM 值达到 2700mΩ.nC 以下，可对标国际水平。SiC模块方面，增加C2A、Y-DPAK、HPD mini等系列SiC模块产品。报告期内公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于 AI 数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，升级了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥 HPD 模块 22.5万只，按照AQG324标准完成了全套可靠性验证；重点完成了芯片银烧结、Pin针超声焊接、铜线互连等先进工艺DOE验证；针对OBC应用开发了满足1000V电气安全距离的顶部散热Y-DPAK模块，具备体积小型化、功率密度高，表贴型结构、工艺难度低，爬电距离大、电气安全性高，寄生电感低、支持高压工作，热阻低、散热效率高等特点。针对主驱 SIC 模块，开发了HPD mini 激光焊接模块，具备低电感、低热阻、高可靠性等特点。②IGBT 产品方面，基于 Fabless+自主 IDM 模式，在 8 吋、12 吋平台完成了 1.6/2.2µm pitch 微沟槽 650V 30A-160A，1200V 15A-200A IGBT 芯片全系列的开发和优化迭代，并在客户端已实现全系列批量出货。新能源的光储充应用方面，通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已经有 6 个型号（其中新增N3，N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段，涵盖电压650/1000/1200V、电流160-600A 的 I 型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。车规单管方面，公司利用自身具备的车规级功率器件封装线，在 PTC、压缩机控制器应用领域，大批量交付车企及 Tier 1 客户。报告期内公司 IGBT 产品重点布局新能源汽车、储能、工控、光伏逆变等应用领域，销售额不断增长，市场份额逐步提升，已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。③在 MOSFET 产品战略布局方面，公司围绕汽车电子与高端电源两大核心增长赛道，构建覆盖中低压至高压的完整技术平台体系。基于 Fabless 模式，公司在深耕成熟 8 吋工艺平台、持续提升良率与成本效率的同时，前瞻性推进 12吋平台开发，优化产能结构与单位成本曲线，为未来车规级与高端电源市场规模放量奠定坚实基础。在汽车电子领域，公司已实现从产品验证到规模量产的跨越式突破。车规NMOS产品通过多家头部终端汽车电子客户测试并进入量产阶段，性能处于行业领先区间。围绕汽车电机驱动、电源管理等高功率应用，公司持续完善系列平台布局，并逐步导入重点客户实现规模应用。同时，PMOS 车规产品已完成芯片开发并通过车规级可靠性验证，同时也达到头部终端汽车电子客户测试要求，形成覆盖电池防反接、负载开关、电源管理等核心场景的系统化产品矩阵，进一步增强公司在车规功率器件领域的渗透能力。在 SGT MOSFET 方向，公司持续加大研发投入， 加速平台迭代与电压等级拓展。新一代P40V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200V SGT 工艺平台全面建立，核心性能指标 FOM（RDS(ON)*QG）较市面主流水平领先20%以上，展现出显著的技术代际优势，该平台的构建不仅提升了产品功率密度与系统效率，也强化了公司在汽车与工业电源领域的技术壁垒。面向数据中心与服务器电源等高成长市场，开发超低阻产品，进一步提升能效、功率密度与优化器件设计，有效降低单位面积导通电阻，在相同封装体积下显著提升电流承载能力与功率密度。同时,优化的开关特性为系统 EMC 设计预留更大余量，全面提升产品综合性能，增强在高端电源、工业及新能源领域的竞争力。针对低空经济，聚焦12V/48V 电源管理系统(BMS)，在导通电阻RDS(on)和开关速度间寻求最佳平衡。面向具身智能，针对中小功率应用聚焦12V、48V系統的产品开发，为提升转换效率开发极低的Qoss和Qrr产品，推动倒装芯片、集成化等先进封装的落地。总体而言，已形成多电压平台协同推进、车规认证持续落地、核心性能指标领先市场的技术驱动型成长路径。随着汽车电子、电源管理及数据中心等高景气度市场持续扩张，公司在产品迭代、平台规模化、同时按照与市场渗透率提升方面具备清晰且可持续的长期成长空间。报告期内，公司研发费用率为 6.61%；报告期内，公司合计申请知识产权 114 件（其中国内发明专利 40 件，实用新型 71件），获授 128件（其中国内发明专利 20件，实用新型 97 件，集成电路布图设计7件，外观设计4件）。
(2)市场营销方面
①行业与客户深耕。公司持续完善技术营销协同机制，紧抓全球能源转型与智能化升级机遇，聚焦新能源汽车电子
（含800V高压平台/智能驾驶）、具身智能、光伏储能、工业自动化、5G通信、低空经济等领域，实现了行业TOP大客户全覆盖，报告期内汽车电子行业业绩大幅增长。公司构建了"客户需求-技术响应-闭环改进”的敏捷服务体系，每年以提升客户满意度为重点工作，根据客户反馈内容列出改善计划，形成改善报告，为客户反馈提供窗口并积极响应，增强了客户粘性，巩固已有客户群体为新的合作带来更多机会，客户满意度已连续三年稳步提升。②重点产品矩阵突破，构建战略好产品行销的能力，设立专职战略好产品行销经理，重点推广 MOSFET、IGBT、SiC系列产品，进行战略好产品的销售和推广赋能，形成团队作战模式，帮助销售获得产品承认机会，加速商机转化率，提高重点产品销售占比。构建功率器件 MOSFET，IGBT，SiC 解决方案类型的技术销售能力，为战略客户提供技术解决方案。③全球化渠道布局，公司持续推进国际化战略布局，加强海外市场与国内市场的双向联动，加强国内国外“双品牌”+“双循环”推广管理，“YJ”品牌产品主攻国内和亚太市场，“MCC”品牌产品主打欧美市场，实现多元化产品的全球市场渠道覆盖；持续推进国内外电商业务模式，线下和线上相结合，进一步强化品牌建设，提升品牌国际影响力；全球化渠道布局，不断拓展海外业务。美微科（越南）有限公司车规级封装及晶圆的量产标志着公司从产品出海到制造/技术出海的战略升级落地，国内国际供应链双循环战略构建成功，为公司在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。
(3) 运营管理方面
①公司始终坚持“质量至上”的发展宗旨。报告期内系统推进质量管理体系升级工程，持续完善 DPPB/DPPM 指标体
系，对标国际一流公司的质量管理水平。公司持续深化落实零缺陷管理、严进严出及三化一稳定等品质提升活动，精准查找质量管理短板，构建全流程质量管理控制体系。通过打造熟练运用工程品质工具、具备全面质量管理能力的专业人才队伍，搭建质量信息沟通与数据共享机制，跟踪客户端产品实际使用表现，多维度降低产品潜在风险，为公司高质量发展筑牢坚实基础。②公司深耕精益运营管理，持续推动各事业部实现精细化运营。基于市场供需动态分析，公司围绕 QDC（质量、交付、成本） 三大核心运营目标，运用科学方法优化生产策略，持续优化柔性制造体系，有效提升客户交付满意度。公司聚焦“成本领先”战略，系统性开展成本优化专项活动：研发端运用VAVE价值分析与价值工程推动技术创新与设计降本；制造端通过 VSM 价值流分析及精益改善工具，实现精益化转型与工艺持续优化；运营端将日常管理（DM）与数字化赋能深度融合，多维度协同推进增效降本与管理革新。同时公司大力推进智能化改造升级，重点落地 IoT 工业物联网、EAP等技术在制造过程与自动化设备管理中的应用，持续扩大数据采集覆盖范围，顺利通过国家卓越级智能化工厂/车间评审，以点带面提升整体数智制造水平。生产工艺环节，依托数字化与AI工具持续优化关键制造参数；生产运营端通过生产数据采集与精益日常管理相结合，推动制造体系向数字化、网络化、智能化方向全面演进。2.报告期内业绩变动原因说明报告期内,全球半导体行业延续向好态势,新能源汽车、AI、低空经济等新兴应用领域需求旺盛。公司精准聚焦市场需求,积极落实产品领先战略,通过持续加大研发投入,推动高附加值产品矩阵不断完善升级。公司持续深化全球产业链布局,加快海外产能建设,海外销售收入快速增长,全球化发展势头强劲。同时,公司深耕精益生产,推进全流程精细化管控,降本增效成效显著,实现了经营质量与效益的稳步提升。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
单位：
营业收入 营业成本 毛利率 营业收入比上年同期增减 营业成本比上年同期增减 毛利率比上年同期增减分行业电子元器件 6,958,389,684.36 4,632,337,3293 54,140,245.7半导体器件 6,256,897,728.73 4,167,913,5248 356,389,755.15 108,034,044.93 54,140,245.7内销 5,312,472,857.78 3,768,295,136.58 864,042,191.93 54,140,245.7公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 不适用
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2025年2024年 同比增减
半导体器件 销售量 千只 65,910,143.57 50,094,267.33 31.57%生产量 千只 70,234,979.44 51,081,412.52 37.50%库存量 千只 11,790,886.53 7,466,050.65 57.93%半导体芯片 销售量 千只 43,825,455.29 34,662,557.75 26.43%生产量 千只 44,848,608.68 34,452,023.61 30.18%库存量 千只 2,797,578.95 1,829,850.12 52.89%半导体硅片 销售量 万只 2,637.97 2,609.35 1.10%生产量 万只 2,710.83 2,700.71 0.37%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用 □不适用半导体器件销售量同比增长31.57%，生产量同比增长37.50%，库存量同比增长57.93%，主要系市场需求量增长，公司提升产能，销售收入增长，增加备货量所致；半导体芯片销售量同比增长26.43%，生产量同比增长30.18%，库存量同比增长52.89%，主要系市场半导体器件需求量增长，公司提升器件所需芯片的产能，增加内部耗用备货量所致。
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
产品分类
产品分类
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
是 □否
[注]湖南杰楚微公司2025年4 月收购长沙博电公司100%股权，公司间接持有其70%股权。长沙博电公司仅持有土地及房产，无实际经营业务，不具备投入、加工处理过程和产出能力，因此该收购不构成业务，在合并报表层面，将收购价款超过长沙博电公司账面净资产的部分计入长沙博电公司的土地及房产价值。
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 不适用
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
销售费用 291,063,334.27 224,611,780.18 29.59% 无重大变动。
管理费用 389,716,415.51 358,906,908.89 8.58% 无重大变动。
财务费用 -37,533,132.69 -135,032,988.06 72.20% 主要由于报告期内，外币汇率波动较大使得公司汇兑损失增加。研发费用 471,056,470.15 423,472,000.30 11.24% 无重大变动。
4、研发投入
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响PMBD车规级芯片开发 1、绑定高增长下游应用：PMBD芯片的需求直接与通信基础设施（5G/6G、数据中心）、新能源汽车、新能源发电及高端消费电子等国家战略支持和资本密集投入的领域绑定；
2、驱动特色工艺模块
发展：PMBD芯片制造
需要深度融合高压
MOS工艺、肖特基金属化工艺、先进的沟槽刻蚀与填充工艺等，成功开发PMBD工艺，这种工艺能力可以横向迁移，用于开发其他高性能分立器件或智能功率模块，增强平台竞争力。 产品开发验证完成 产品平台代表型号完成合格量产，释放市场推广 丰富公司产品种类，为客户提供更多高效率电源产品选择，与下游高增长应用领域绑定，建立了更健康的盈利模式和定价毛利优势。高可靠性车规级80VP型沟槽(TRENCH)MOSFET芯片设计开发 通过完成车规级80VP型沟槽（Trench）MOSFET芯片，摸索出一套适合工厂稳定生产的器件设计标准和生产工艺平台，确保后续在该平台开发的一系列沟槽（Trench）MOSFET器件都能更容易的满足车规级质量要求。最终实现车规级产品的大规模稳定生产，逐步替代进口器件。 产品开发中 开发出满足车载48V端口应用要求及车规级可靠性标准的产品，加速国产替代。 能够提供该类产品的稳定生产，同时建立起车规级产品的设计标准和平台，为后续其他产品的设计开发奠定基础，满足国内乃至国际市场的需求。高可靠性车规48V端口100V N型屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET芯片设计开发 为突破国外技术垄断、保障我国汽车产业链安全与自主可控，开发一款面向高可靠性车规48V端口的100VN型屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品 客户合作中 成功开发出拥有完整自主知识产权的高可靠性车规级100VN型屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET产品。其核心性能已与国际标杆（如英飞凌S5系列）实现全面对标，达到国际主流厂商同等技术水平。产品已通过严苛的AEC-Q101车规认证，并在国内主流汽车厂商的48V轻混系统及高端 1，经济效益：打开高价值市场，提升盈利水平；2，技术效益：构建高端研发与制造的核心能力3，战略效益：确立行业地位，赢得长期发展空间电气平台中实现稳定批量应用。铆接接线盒形式的新型铜铝复合光伏二极管模块开发 通过材料组合设计，使用铜铝复合替代全铜散热片，确保产品性能不下降，总成本下降来提升产品的市场竞争力 产品开发中 通过优化铆接工艺和表面处理技术，解决铜铝复合材料在封装过程中可能出现的热应力不匹配和界面氧化问题 通过铜铝复合组合铆接技术，公司将突破封装新材料应用技术瓶颈，开发出具有自主知识产权的封装技术，构建低成本产品护城河适用于柔性薄膜类光伏的内嵌式超薄二极管器件开发 通过集成超薄二极管器件，减少能量损耗，提升光电转换效率 产品手工样品产出，推广中 将超薄二极管直接集成到光伏组件的汇流带（Busbar）上，替代传统的外置接线盒和旁路二极管。 促进新型应用领域的拓展，开发适用于柔性薄膜光伏的超薄二极管将推动可穿戴电子产品的创新与发展集成bonding封装的铝面HVB芯片开发 目前市场封装形式趋向集成化发展，新的封装如PIM模块将多种功率器件（如IGBT、FRED、整流二极管等）和驱动电路的功率半导体器件集成，实现高度集成化和模块化的设计。为配合集成化封装的市场趋势，因此开发集成bonding封装的铝面HVB芯片，快速响应市场的需求。 项目已完成并量产 满足集成bonding封装需求，产品覆盖10-200A，性能达到如下目标：
1、VBR：1900-
2600V；
2、VF：≤1.3@IFAV 新产品量产，可为公
司在新的集成模块产
品赛道形成新的业务
增长点。
高端车用整流STD
GPP芯片开发 攻克高端车用整流STD/GPP芯片的设计与制造关键技术，开发出全面符合AEC-Q101标准，并在关键性能参数上对标国际主流产品的车规级芯片，最终通过客户端认证； 已量产 性能指标：关键电性参数达到或接近国际同类竞品的同等水平。可靠性水平： 100%通过AEC-Q101规定的全套可靠性测试项目（包括但不限于HTRB、H3TRB、TC、PCT等）。工艺水平： 建立并固化一套适用于量产的高端GPP芯片制造工艺平台，良率稳定在行业领先水平。认证水平： 完成至少一家主流Tier-1或整车厂的产线审核与产品认证，具备前装供货资格。 打破国外垄断，实现该品类芯片的国产化批量供应，切入头部车企供应链，为公司走向高端市场做好准备高功率密度SiCMOSFET芯片技术开发 开发应用于充电桩、新能源汽车OBC、光伏逆变高功率密度SiCMOS 项目已完成 成功开发高功率密度SiCMOS 产芯片 补齐高端功率器件SiCMOS 芯片短板，增强市场竞争力，助力公司在新能源、工控等领域实现国产替代。高功率密度SiC JBS芯片技术开发 攻克高功率密度SiC JBS 芯片关键技术，形成自主知识产 项目已完成 成功开发高功率密度SiCJBS产品 提升技术壁垒，丰富高端功率器件矩阵，助力公司抢占第三代权产品。 半导体市场。高浪涌性能SiC MPS芯片技术开发 攻克高浪涌SiCMPS 芯片关键技术，提升器件可靠性与抗冲击能力，形成自主产品。 项目已完成 成功开发高浪涌性能SiCMPS芯片技术开发 补齐高端功率器件短板，增强市场竞争力，助力公司在新能源、工控等领域实现国产替代。车载OBC专用SiCJBS芯片技术开发 研发车载OBC专用 SiC JBS芯片，满足车规级高效、高可靠需求，实现国产化替代。 项目已完成 成功开发车载OBC专用SiCJBS芯片技术开发 切入车载电源核心赛道，提升产品竞争力，助力公司在新能源汽车领域规模化落地。车载主驱专用SiCMOSFET芯片技术开发 打破进口芯片的垄断，解决卡脖子问题，满足新能源汽车极致性能的追求 项目已完成 成功新能源汽车主驱逆变专用芯片 进入高端功率器件新赛道，对冲行业周期性风险，SiC主驱芯片，单价高、技术壁垒大，是汽车芯片中价值量最高的领域之一，代表公司进入价值链顶端，掌握行业华语权多芯片高性能集成电源模块开发 开发C2A低电感封装，满足市场需求 完成产品设计和DOE验证，客户通过测试，小批量阶段 进入高频电源应用领域 建立了SiC低电感封装平台顶部散热绝缘型车载OBC充电功率模块研发 开发车载OBC应用，填补领域封装空白 完成产品设计和样品制作，客户已经通过测试，正在转小批量 进入OBC车载应用市场 建立了绝缘型塑封产品建立平台平面FS技术高性价比的焊机用半桥IGBT开发 进入焊机市场，掌握平面FS芯片技术 芯片完成50-150A设计，客户测试通过，正在进行小批量出货 进入焊机应用市场， 建立了平面FS芯片平台，产品系列和产品批量进入焊机领域
5、现金流
(1)投资活动产生的现金流量净额-1,862,017,466.22元，较上年同期下降71.08%，主要系报告期内，公司购买理财
产品支付的现金增加。
(2)筹资活动产生的现金流量净额27,884,756.20元，较上年同期下降39.06%，主要系报告期内，公司支付其他与筹资活动有关的现金增加。
报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 □适用 不适用
五、非主营业务情况
适用 □不适用
理财产品收益。 否
公允价值变动损益 96,822,438.84 6.82% 主要为报告期内公司 否权益工具投资确认的公允价值变动收益。资产减值 -91,429,364.84 -6.44% 主要为存货跌价准备金计提。 否营业外收入 10,902,725.91 0.77% 主要为质量赔款收入。 否营业外支出 21,721,073.84 1.53% 主要为质量赔款支出与公司对外捐赠。 否信用减值损失 -1,524,043.17 -0.11% 主要为报告期内应收账款、其他应收款坏账准备金计提。 否资产处置收益 2,565,796.08 0.18% 主要为固定资产处置收益。 否
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
金减少。
存货 1,631,598,14
加，带来原材料及库存商品库存增加。长期股权投资 18,797,967.2内，公司转让联营企业江苏智能微系统工业技术股份有限公司的股权。固定资产 4,094,564,43晶圆项目以及越南生产基地建设项目投入增加。使用权资产 31,994,329.1沙博电后使用权资产减少。短期借款 2,075,446,79内，公司一年内的银行融资增加。合同负债 31,347,159.8货款增加。长期借款 358,102,539.内，公司一年以上的银行融资减少。租赁负债 27,282,596.1沙博电后租赁负债减少。交易性金融资产 561,200,000.期理财产品增加。应收票据 14,353,761.7商业承兑汇票减少。无形资产 281,164,368.长沙博电，纳入合并报表范围。其他非流动资产 443,159,453.存单增加。应付账款 2,211,940,20程设备款增加。其他应付款 172,960,081.长沙博电，相关资金拆借款纳入合并报表范围。一年内到期的非流动负债 702,173,028.到期的长期借款增加。其他流动负债 26,401,494.7确认商业承兑汇票、迪链等增加。其他非流动负债 71,800,000.0能保证金减少。库存股 131,512,027.票。其他综合收益 4,379,091.65 0.03% 26,092,399.7财务报表折算差异。境外资产占比较高□适用 不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用 不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用 不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
适用 □不适用
（2） 衍生品投资情况
适用 □不适用
1） 报告期内以套期保值为目的的衍生品投资
适用 □不适用则，以及与上一报告期相比是否发生重大变化的说明报告期实际损益情况的说明2025年公司已投资衍生品产生的损益为 141.13万元，公司衍生品公允价值根据中国银行外汇报价确定。套期保值效果的说明 公司通过外汇套期保值，降低了外汇市场的风险，报告期内的汇率波动未对公司造成重大不良影响。衍生品投资资金来源 自有资金报告期衍生品持仓的风险分析及控制措施说明（包括但不限于市场风险、流动性风险、信用风险、操作风险、法律风险等） 一、外汇套期保值业务的风险分析公司及子公司进行外汇套期保值业务遵循稳健原则，不进行以投机为目的外汇交易，所有外汇套期保值业务均以正常生产经营为基础，以具体经营业务为依托，以规避和防范汇率风险为目的。但是进行外汇套期保值业务也会存在一定的风险，主要包括：
1、价格波动风险
因外汇行情变动较大，可能因汇率波动导致外汇衍生品价值大幅波动甚至产生亏损的市场风险。
2、内部控制风险
外汇衍生品交易专业性较强，复杂程度较高，可能会由于内控体系不完善产生风险。
3、操作风险
在具体开展业务时，如发生操作人员未准确、及时、完整地操作并记录外汇衍生品投资业务信息，将可能导致外汇衍生品业务损失或丧失交易机会。
4、法律风险
交易人员如未能充分理解交易合同条款和产品信息，公司将面临因此带来的法律风险及交易损失。
|
|