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| 扬杰科技(300373)经营总结 | | 截止日期 | 2024-12-31 | | 信息来源 | 2024年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
1、公司所处行业发展情况
功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件，应用十分广泛，主要涵盖汽车电子、AI服务器、机器人、5G通讯、清洁能源、智能安防、工业控制、消费类电子等领域。在双碳战略驱动和人工智能浪潮下，市场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升，进而推动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。随着功率半导体器件行业新型技术的发展与成熟，功率半导体器件的应用领域将不断扩展，成为国民经济发展中不可或缺的核心电子元器件。
功率半导体器件行业市场化程度较高，行业集中度低，但具备硅棒、硅片、芯片、器件研发、设计、制造、封装测试等全产业链综合竞争实力的国内公司只有少数。我国功率半导体市场梯队化竞争格局明显，随着国内企业逐步突破高端产品在芯片设计、制程等环节的核心技术，在更多领域填补国内技术缺口，国产功率半导体产品的质量、性能、技术标准不断提升，品牌认可度逐步升高，中国功率半导体应用市场对进口器件的依赖继续减弱，国产替代及海外替代的机遇愈加显现，全球行业TOP企业面对市场的激烈竞争迫切需要降本方案，开始从全部选用国际品牌转为引入中国品牌供应商，为中国企业提升海外市占率也提供了良好契机。同时，中美贸易争端和西方技术封锁将加快我国功率半导体产业自主化进程，地缘政治等对供应链安全提出了更高的要求，国内功率半导体企业迎来发展良机。国家相关政策对于国产化率提升的支持也给该行业带来了更多机会。
功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业，为推动电力电子技术和产业的发展、建设资源节约型和环境友好型社会，国家制订了一系列政策与法规引导、鼓励、支持和促进国内功率半导体事业的发展，增强本土科技竞争力，功率半导体产业已上升至国家战略高度。随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进，以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实，功率半导体作为我国实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件，有望在政策的护航之下驶入快车道。2023年12月，工业和信息化部印发的《国家汽车芯片标准体系建设指南》，旨在进一步推进汽车芯片标准研制和贯彻实施，助力汽车芯片研发应用。指南明确，将根据汽车芯片技术现状、产业应用需要及未来发展趋势，分阶段建立健全标准体系，加大力量优先制定基础、共性及重点产品等急需标准，再根据技术成熟度，逐步推进产品应用和匹配试验标准制定。到2025年，制定30项以上汽车芯片重点标准，明确环境及可靠性、电磁兼容、功能安全及信息安全等基础性要求；到2030年，制定70项以上汽车芯片相关标准，进一步完善基础通用、产品与技术应用及匹配试验的通用性要求，实现对于前瞻性、融合性汽车芯片技术与产品研发的有效支撑。2024年1月，工业和信息化部等七部门印发《关于推动未来产业创新发展的实施意见》，提出把握全球科技创新和产业发展趋势，重点推进人形机器人、高级别智能网联汽车、元宇宙入口等高潜能未来产业，深入实施产业基础再造工程，补齐基础元器件、基础零部件、基础材料、基础工艺和基础软件等短板，夯实未来产业发展根基。2025年3月，两会《政府工作报告》提出持续推进“人工智能+”行动，大力发展智能网联新能源汽车、人工智能手机和电脑、智能机器人等新一代智能终端以及智能制造装备。扩大5G规模化应用，加快工业互联网创新发展，优化全国算力资源布局，打造具有国际竞争力的数字产业集群。
2、公司在行业中的地位
公司凭借前瞻的市场布局、持续的技术创新、优质的产品设计、科学的成本优化、过硬的品质管控、快捷的交付能力，已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模化企业，同时在MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域采用IDM+Fabless 相结合的模式。公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率，整流桥、光伏二极管产品市场全球领先。根据企业销售情况、技术水平、半导体市场份额等综合情况，公司已连续数年入围由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强企业”前三强，位列国内外多个半导体企业榜单中前二十强，并入选了汽车芯片50强，工信部汽车白名单等，2024年取得多家国际标杆tier1客户认证，技术和产品获得多家主流客户认可。
四、主营业务分析
1、概述
1、报告期内公司主要经营情况
（1）研发技术方面
①公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。报告期内，发挥公司与东南大学集成电路学院签约共同建设的“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”作用，进一步夯实第三代半导体的研发能力。
公司投资的SiC芯片工厂在报告期内完成厂房装修、设备搬入和产品通线，采用IDM技术实现了650V/1200V的SiC SBD产品从第二代升级到第四代，实现650V/1200V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代，所有SiC MOS型号实现覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ，其中1200V SiC MOS平台的比导通电阻（RSP）已做到3.33mΩ.cm2以下，FOM值达到3060mΩ.nC以下，可对标国际水平。SiC模块方面，增加FJ、62mm、Easy Pack等系列SiC模块产品。报告期内公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。报告期内，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。
车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只，重点攻克了芯片银烧结、Pin针超声焊接、铜线互连等先进工艺技术难题；同时针对车规功率模块高功率密度、低热阻的特点，研究了低寄生电感、多并联芯片均流、直接水冷等关键技术。研制了三相桥功率模块（750V/950A IGBT模块、1200V/2.0mΩ SiC模块）、半桥功率模块（1200V 600A IGBT 模块、1200V 1.6mΩ SiC 模块、1200V 2.0mΩ SiC 模块）。目前在多家汽车客户完成送样，并且已经获得多家Tier1和终端车企的测试及合作意向。计划于2025年Q4开展全国产主驱碳化硅模块的工艺、可靠性验证。第三代半导体产品的持续推出，为公司实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定了坚实的基础。
②IGBT产品方面，基于Fabless模式，在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2µm pitch 微沟槽650V 30A-160A，1200V 15A-200A IGBT芯片全系列的开发，并在客户端已实现全系列批量出货。1700V 400A和600A C2和E3半桥产品已经上架。新能源的光储充应用方面，通过采用高密度器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已经有6个型号（其中新增N3，N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段，涵盖电压950-1200V、电流160-600A的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。汽车应用方面，公司利用自身具备的高可靠功率器件封装线，在PTC及压缩机控制器应用领域，大批量交付车企及tier 1客户。报告期内公司IGBT产品重点布局新能源汽车、人工智能、工控、光伏逆变等应用领域，销售额不断增长，市场份额逐步提升，已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。
③MOSFET产品方面，依照公司汽车电子战略大方向，基于Fabless模式的8吋、12吋平台，在汽车EPS、BCM、油泵、水泵等电机驱动类应用，N40V车规诸多产品(0.4-10mohm)已经通过终端汽车电子客户测试，已经进入批量量产阶段,其中PDFN5060产品最小RDSON已达到0.4mohm;进一步向大功率车载电机类应用做型号扩展,特别针对车载DC-DC、无线充电、车灯、负载开关等应用，N60V/N100V/N150V持续完善系列化型号扩充,也逐步通过个别大客户测试并进入批量阶段,P40V/P60V/P80V也已经完成了车规级芯片开发，主要针对电池防反，负载开关等应用，多款产品可靠性已经通过车规级验证，逐步推向市场。
全年公司在SGT MOSFET方向加大研发投入，除现有平台加速迭代之外，不断完善SGT MOSFET新电压平台研发，新开发的P40V/P150V/N80V/N200V SGT工艺平台，FOM（RDS(ON)*QG）领先市面主流水平20%以上。针对数据中心,安防系统系统数据器作存储数据固态硬碟皆需要热插拔应用，采用特殊工艺进行N30V及N100V SGT 2mohm以下器件开发,逐步扩展产品线完整布局。SJ产品平台取得进一步技术突破，该系列产品通过提升器件结构密度,进一步降低特征导通电阻,提升器件功率密度,相同体积下,可以大幅提升器件电流能力,同时,优化器件开关特性,来提供系统EMC设计更大的余量,全面提升产品各方面参数特性。
报告期内，公司研发费用率为7.02%，较去年同期上涨11.53%；公司2024年合计申请知识产权234件（其中国内发明专利111件，实用新型105件，集成电路布图设计12件，外观设计6件），获（2）市场营销方面
①行业与客户深耕。公司持续完善技术营销协同机制，紧抓全球能源转型与智能化升级机遇，聚焦新能源汽车电子（含 800V 高压平台/智能驾驶）、人工智能、光伏储能、工业自动化及 5G 通信等领域，实现了行业TOP大客户全覆盖，报告期内汽车电子行业业绩大幅增长。公司构建了"客户需求-技术响应-闭环改进"的敏捷服务体系，每年以提升客户满意度为重点工作，根据客户反馈内容列出改善计划，形成改善报告，为客户反馈提供窗口并积极响应，增强了客户粘性，巩固已有客户群体为新的合作带来更多机会，客户满意度已连续三年稳步提升。②重点产品矩阵突破，构建策略产品行销的能力，设立专职策略产品行销经理，重点推广 MOSFET、IGBT、SiC系列产品，进行策略产品的销售和推广赋能，形成团队作战模式，帮助销售获得产品承认机会，加速商机转化率，提高重点产品销售占比。构建功率器件MOSFET，IGBT，SiC解决方案类型的技术销售能力，为战略客户提供技术解决方案。③全球化渠道布局，公司持续推进国际化战略布局，加强海外市场与国内市场的双向联动，加强国内国外“双循环”推广管理；持续推进国内外电商业务模式，线下和线上相结合，进一步强化品牌建设，提升品牌影响力；全球化渠道布局，不断拓展海外业务。报告期内，MCC（越南）工厂一期正式通线量产，首批两个封装产品良率高达99.5%以上。二期项目也已经启动，预计于2025年6月份实现量产，标志着公司在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。
（3）运营管理方面
①公司践行“质量至上”的发展宗旨。报告期内，公司通过持续深化落实“零缺陷管理”、“严进严出”和“三化一稳定”活动，挖掘质量管理缺陷，构建质量管理控制体系。通过培养一支擅长运用工程品质工具、具备全面质量管理能力的专业团队，建立质量信息沟通和数据分享渠道，跟踪产品落地后客户端使用情况等，多维度降低产品潜在风险，做好高质量发展。
②公司深耕精益运营管理，持续推动各制造中心实施精细化运营。报告期内，结合市场供应情况，通过科学方法优化生产策略升级为MPS/MTS/ATO，通过MTS/MPS缩短生产周期，通过MPS升级响应客户需求，提升客户交付满意度。公司以“成本领先”为目标，积极策划成本优化卓越运营活动，从研发创新，制造端精益转型改善，流程优化等多个维度着手，全方位推进增效降本及革新项目，打造持续低成本能力竞争优势。
③公司构建扬杰精益运营体系（YBS），建立领导带头改善文化，自上而下实施全员精益转型，推进精益改善周活动。通过精益项目推进，在各工厂生产管理中全面、全程地贯彻精益管理的思想，通过物流优化、OEE改善，现场看板及问题快速解决方法导入，深化具有扬杰特色的精益管理体系。报告期2、报告期内业绩变动原因说明
（1）2024年公司营业收入达60.33亿元，同比上升11.53%。其中，公司汽车电子业务在客户端及应用场景均取得进一步突破，营业收入较去年同期上升超60%，且未来增长动能强劲。公司秉持价值创新战略和成本领先战略，持续加大新产品研发投入力度，报告期内公司研发费用占营业收入比重超过7%，新产品领域的投入占比更是超过10%，再创新高；同时，公司持续开展增效降本的一系列活动，有效提升全流程效率和降低成本费用。自二季度以来，新产品扩展及增效降本措施收益成效明显，推动公司整体毛利率稳步提升。
（2）公司坚持全球化发展战略，2024年，伴随着海外市场去库存阶段结束及公司越南工厂的建设与投产，海外客户对公司产品采购意向增强，订单量持续增加，海外业务销售收入环比同比均保持稳定增长，带动公司整体营业收入及毛利水平相应提升。
（3）报告期内，全球半导体行业呈现温和复苏态势，得益于多个下游应用领域景气度回升、新客户顺利拓展及部分新产品线的持续上量，为公司提供了新的增长机遇。同时，随着国家“两新”政策落地，消费类电子及工业市场需求逐步回升，2024年工业、消费电子领域营业收入较去年同期上升均超20%。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 不适用
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2024年2023年 同比增减
半导体器件 销售量 千只 50,094,267.33 39,157,150.54 27.93%生产量 千只 51,081,412.52 40,639,028.23 25.70%库存量 千只 7,466,050.65 7,549,203.87 -1.10%半导体芯片 销售量 千只 34,662,557.75 31,512,345.91 10.00%生产量 千只 34,452,023.61 29,808,950.20 15.58%库存量 千只 1,829,850.12 2,211,961.13 -17.27%半导体硅片 销售量 万只 2,609.35 2,051.02 27.22%生产量 万只 2,700.71 2,050.15 31.73%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用 □不适用半导体硅片生产量同比2023年上升 31.73%，主要系2024年子公司青洋电子产能提升、产量增加所致；库存量同比2023年上升 31.28%，主要系2024年年末结合市场需求有针对性的做了部分半导体硅片产品的备货。
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
产品分类
产品分类
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
是 □否
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 不适用
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
4、研发投入
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化 开发新产品，提升企业研发创新能力，拓展新能源领域市场，进一步实现进口替代。 项目由杰利半导体牵头，联合北工大共同完成，2021年6月1日开始实施，2023年12月31实施完毕，实际总投资14,164.56万元，已完成新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化项目 在项目实施期内完成“新能源车用IGBT配套FRD芯片研发及产业化”关键核心技术（装备）攻关任务，达到所有核心技术指标、应用考核指标和绩效目标要求。解决关键技术难点4个；
关键技术和应用考核
指标达标率100%；项目研发投入2600万元；完成攻关成果应用示范项目数量1个。 经济效益明显增加，实现了FRD月产5000片，可以实现月销售1020万元，年销售可达12050万元，实现新增利税3610万元。1200V 80mΩ平面栅碳化硅MOSFET开发 该项目产品的研究目的是设计开发1200V80mΩ系列碳化硅MOSFET，实现产品规模产业化，并应用于新能源汽车和充电桩领域 客户合作中 提升公司碳化硅mos的性能和竞争力，为公司盈利贡献份额 提升公司碳化硅mos的性能和竞争力，为公司盈利贡献份额车规级60V-20mR N型沟槽(Trench) MOSFET芯片设计开发 通过该项目获得车规级沟槽（Trench）MOSFET产品设计的合理标准，确保使用该标准能更加稳定的进行生产制造，从而提高车规产品性能的稳定性和参数一致性。 产品开发验证完成 依照公司汽车电子战略大方向，针对车载DC-DC、负载开关等应用提供方案支持，顺利通过车规级可靠性验证，部分客户测试通过并进入批量阶段； 满足终端客户对产品多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。车规级40V N型屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET芯片设计开发 汽车产业正在经历智能网联化、电动化、共享化变革,推动半导 产品开发验证完成 依照公司汽车电子战略大方向，针对汽车EPS、BCM、油泵、水 满足终端客户对产品多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢体技木快速发展。耐压等级更高、散热性能更好、导通损耗和开关损耗更低的MOSFET将在车辆轻量化、能源效率提升及电气系统小型化方面起到越来越重要的作用。屏蔽栅SGTMOSFET兼具低功率损耗、高开关速度、高频特性好等优势，成为当前中低压领域的主流开关器件。研发一款性能优越、可靠性高、稳定性好的40V车规级屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET，搭建一套车规级40VSGT的设计方法和工艺平台，保证后续此平台的系列化产品能够满足下游终端需求，逐步替代国外同类型车规器件。 泵等电机驱动类应用，完成0.6mR~7mR系列产品布局，顺利通过车规级可靠性验证，部分客户测试通过并进入批量阶段； 占市场份额。解决方案。 客户合作中 依照公司汽车电子战略大方向，针对车载DC-DC、车灯等应用提供方案支持。丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。 满足终端客户对产品多样性需求，丰富公司车规产品系列，抢占市场份额。分布式光伏三电平N系列模块研发 N系列产品160A T型三电平和450A 650V 一字型三电平产品，主要应用领域是光伏逆变器 客户合作中 建立光伏三电平模块测试，设计，工艺开发平台,完善650V和1200VG2，G3 IGBT芯片设计和工艺平台。 建立光伏三电平模块研发平台，光伏市场占据市场地位车载应用HPD功率模块研发 HPD系列产品主要包括820A/750V产品，主要应用领域是车规级逆变器 产品开发验证中 建立车规HPD研发，测试，仿真平台，完成产品的性能和可靠性测试 建立车规的工艺和研发平台，客户测试通过光伏应用boost混合SIC模块研发 P3产品是225A1200V boost电路，内部包含SIC FRD1200V，应用领域是光伏升压领域 客户合作中 光伏boost产品60KW应用系列化，分体针工艺量产 进入光伏boost市场，增加品牌的价值LFPAK系列高性能超低阻抗Clip封装产品开发 配合超低内阻MOSFET芯片研发进行新品开发，减小封装的寄生电阻，更好耐湿耐高温抗振动能力减少SMT焊接应力，主要应用在车载安全部件底盘控制、刹车系统 客户合作中 完成此封装开发，实现产品量产，品质满足客户要求。 开发车规级功率封装产品，满足车规客户多样性需求，加速国产替代等；PDFN5060高性能超低阻抗Full Clip产品开发 配合超低内阻MOSFET芯片研发进行新品开发，减小封装的寄生电阻，具备大电流、优良的散热、抗浪涌保护能力；丰富公司现有产品种类。主要应用在车载； 客户合作中 完成此封装开发，实现产品量产，品质满足客户要求。 开发车规级功率封装产品，满足车规客户多样性需求，加速国产替代GaN栅极ESD保护器件开发 GaNHEMT由于高频的特性，常用于高频、高效率电路做开关管，由于该器件Qg和Ciss特别小,容易受到静电作用损坏，因此集成ESD保护功能的GaNHEMT是未来市场趋势 客户合作中 扩展公司在第三代半导体领域的产品矩阵，抢占第三代半导体发展机遇 扩展公司在第三代半导体领域的产品矩阵，抢占第三代半导体发展机遇
5、现金流
(1)经营活动产生的现金流量净额 1,391,932,034.11元，较上年同期上升 54.76%，主要系报告期内，公司销售商品、提供劳务收到的现金增加 。
(2)投资活动产生的现金流量净额-1,088,333,634.77元，较上年同期下降138.88%，主要系报告期内，公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金增加。
(3)筹资活动产生的现金流量净额 45,757,236.31元，较上年同期下降97.05%，主要系上一报告期内，公司发行境外存托凭证（以下简称 GDR）。
报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 □适用 不适用
五、非主营业务情况
适用 □不适用
投资收益 46,795,636.06 4.00% 主要为报告期内，公司转让联营企业扬州国宇电子有限公司的股权取得处置收益。 否公允价值变动损益 133,017.94 0.01% 主要为报告期内公司权益工具投资确认的公允价值变动收益。 否资产减值 -64,839,784.84 -5.54% 主要为存货跌价准备金计提。 否营业外收入 8,579,242.21 0.73% 主要为质量赔款收入。 否营业外支出 21,449,348.89 1.83% 主要为质量赔款支出与公司对外捐赠。 否信用减值损失 -16,732,011.45 -1.43% 主要为报告期内应收 否账款、其他应收款坏账准备金计提。资产处置收益 2,925,974.27 0.25% 主要为固定资产处置收益。 否
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
金减少。
存货 1,227,175,10
内，公司转让联营企业扬州国宇电子有限公司的股权。固定资产 3,467,212,94晶圆项目以及越南生产基地建设项目投入增加。使用权资产 96,199,205.8内，公司一年内的银行融资增加。合同负债 11,243,387.0款减少。长期借款 523,744,408.押借款增加。租赁负债 78,803,045.3融资产 248,289,829.风险可控理财产品增加。应收票据 22,118,258.8内，公司持有的商业承兑汇票增加。其他应收款 18,236,464.2内，公司支付客户保证金上升。其他流动资产 164,276,158.内，公司持有的保本固定收益型理财产品以及待抵扣税金增加。递延所得税资产 9,756,520.28 0.07% 14,231,497.3亏损减少而确认的递延所得税资产增减少。其他非流动资产 243,996,762.内，公司预付的产能保证金以及预付工程设备款减少。预付款项 26,082,059.3商材料采购款减少。应付票据 424,034,769.承兑汇票增加。应付账款 1,567,952,58材料款及工程设备款增加。应交税费 60,692,578.4得税金增加。其他非流动负债 215,800,000.能保证金减少。库存股 90,528,153.8购公司社会公众股份。境外资产占比较高□适用 不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用 不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用 不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
适用 □不适用
（2） 衍生品投资情况
适用 □不适用
1） 报告期内以套期保值为目的的衍生品投资
适用 □不适用则，以及与上一报告期相比是否发生重大变化的说明 未发生重大变动报告期实际损益情况的说明2024年公司已投资衍生品产生的损益为 29.63万元，公司衍生品公允价值根据中国银行外汇报价确定。套期保值效果的说明 公司通过外汇套期保值，规避了外汇市场的风险，报告期内的汇率波动未对公司造成重大不良影响。衍生品投资资金来源 自有资金报告期衍生品持仓的风险分析及控制措施说明（包括但不限于市场风险、流动性风险、信用风险、操作风险、法律风险等） 一、外汇套期保值业务的风险分析公司及子公司进行外汇套期保值业务遵循稳健原则，不进行以投机为目的外汇交易，所有外汇套期保值业务均以正常生产经营为基础，以具体经营业务为依托，以规避和防范汇率风险为目的。但是进行外汇套期保值业务也会存在一定的风险，主要包括：
1、价格波动风险
因外汇行情变动较大，可能因汇率波动导致外汇衍生品价值大幅波动甚至产生亏损的市场风险。
2、内部控制风险
外汇衍生品交易专业性较强，复杂程度较高，可能会由于内控体系不完善产生风险。
3、操作风险
在具体开展业务时，如发生操作人员未准确、及时、完整地操作并记录外汇衍生品投资业务信息，将可能导致外汇衍生品业务损失或丧失交易机会。
4、法律风险
交易人员如未能充分理解交易合同条款和产品信息，公司将面临因此带来的法律风险及交易损失。
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