|
| 拓荆科技(688072)经营总结 | | 截止日期 | 2023-12-31 | | 信息来源 | 2023年年度报告 | | 经营情况 | 一、经营情况讨论与分析
集成电路行业是支撑经济发展、社会进步、国防安全的重要力量，而高端半导体设备是驱动这一产业发展的基石。在数字经济成为经济发展新动力的趋势下，半导体芯片技术持续迭代发展，并逐步向精密化、微小化发展，对制造工艺技术不断提出挑战，高端半导体设备的重要地位日益凸显。在经济发展与行业发展的双驱动下，产生巨大的半导体设备市场空间，2023年全球半导体
设备的销售额达1,063亿美元。 数据来源：SEMI
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片需求巨大，进而对半导体设备的需求持续增长。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，同比增长29%，连续第四年成为全球最大半导体设备市场。近年来，在终端市场的拉动下，伴随着我国对半导体产业政策扶持，中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，但高端半导体设备自给率仍较低，这也为国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的成长数据来源：SEMI
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的 90%，达到约 960亿美元。而薄膜沉积设备市场规模约占晶
圆制造设备市场的22%，由此推算，2023年全球薄膜沉积设备市场规模约为211亿美元。 数据来源：SEMI
公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）及HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序，主要应用及薄膜材料如图示：备。面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（Hybrid Bonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fusion Bonding）。键合设备主要应用原理如图示：晶圆键合设备应用示意图报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方面的优势，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异的成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，并在推进产品产业化和各产品系列迭代升级的过程中取得了重要成果，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂良好的发展态势，国内半导体行业设备需求增加，公司产品销售订单大幅增加，营业收入维持高增长趋势。2023年度，公司实现营业收入 270,497.40万元，同比增长58.60%；实现归属于上市公司股东的净利润66,258.38万元，同比增长79.82%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润31,211.97万元，同比增长75.29%，盈利能力持续增强。
截至2023年12月31日，公司总资产996,934.53万元，较期初增长36.31%；归属于上市公司股东的净资产459,386.04万元，较期初增长23.77%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到57,594.89万元，同比增加52.07%，研发投入占营业收入比例达21.29%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽薄膜工艺应用覆盖面，在新工艺机型研发、验证，以及产品出货、产业化应用等方面均取得了优异成果。
报告期内，公司推出了两款新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和两款新型反应腔（pX和Supra-D），新型设备平台的设计进一步提升了设备产能，机械产能可提高约20%至60%，新型反应腔进一步提升了薄膜沉积的性能指标，包括薄膜均匀性、颗粒度等指标，可以满足客户在技术节点更新迭代的过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求，新型设备平台及反应腔均已出货至不同客户端验证。报告期内，超过130个新型反应腔（pX和Supra-D）获得客户订单，超过40个新型反应腔（pX和Supra-D）出货至客户端验证。
随着公司业务规模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量逐年大幅增加。2023年度，公司出货超过460个反应腔。截至报告期末，公司累计出货超过1,510个反应腔，进入60多条生产线。预计2024年全年出货超过1,000个反应腔，将创历史新高。
报告期内，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD及HDPCVD等薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料和约100多种工艺应用。报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过 90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.56亿片。 （1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况PECVD 设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一。主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD 设备，PECVD 设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UV Cure产品：产品系列 产品类型 主要产品型号 主要薄膜工艺PECVD PECVD PF-300T SiO、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料PF-300T eXPF-300T Plus eXPF-300T pXPF-300T Plus pXPF-300T Supra-DPF-300M Supra-DNF-300HPF-150TPF-200T SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜材料（新型功率器件领域）UV Cure PF-300T Upsilon HTN、LoKⅡ等薄膜材料的固化和性能优化后处理① PECVD产品报告期内，公司PECVD设备作为主打产品，已实现全系列PECVD薄膜材料的覆盖，并持续保持竞争优势，获得批量订单和批量验收，广泛应用于国内集成电路制造产线，为客户提供高性能的介质薄膜材料。报告期内，公司首台PECVD LokⅡ工艺设备、ADC II工艺设备通过验收，实现了产业化应用。此外，公司不断拓展通用介质薄膜材料工艺及先进介质薄膜材料工艺的应用，持续获得客户订单、出货至客户端验证、扩大量产规模。截至本报告期末，PECVD通用介质薄膜材料（包括SiO、SiN、2TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ、ADCⅡ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用。报告期内，公司研制并推出了新型PECVD反应腔（pX和Supra-D），采用新型反应腔配置的LoKⅡ、ACHM、SiH4、TEOS等薄膜工艺设备均已出货至客户端验证，可以实现更严格的薄膜工艺指标要求，满足芯片技术日益严苛的工艺需求。此外，公司拓展了新型功率器件领域，开发并推出了用于SiC器件制造中的SiO、SiN、TEOS、2SiON等薄膜工艺PECVD设备。报告期内，首台TEOS设备通过了客户端的验证，实现了产业化应用，并获得了重复订单。公司推出的PECVD（NF-300H）型号设备已实现产业化应用，可以沉积Thick TEOS等介质材料薄膜。② UV Cure产品UV Cure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司UV Cure设备与PECVD设备成套使用，为PECVD HTN、LokⅡ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。报告期内，公司首台UV Cure（LokⅡ工艺）设备通过客户端验收，实现产业化应用。截至本报告期末，公司UV Cure（HTN、LokⅡ工艺）均已实现产业化应用，并持续获得客户的订单、出货至客户端验证，不断扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。
公司ALD产品系列包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产品。
产品系列 产品类型 主要产品型号 主要薄膜工艺
ALD PE-ALD PF-300T Astra 高温、低温、高质量SiO2、SiN等多种介质薄膜材料NF-300H AstraThermal-ALD PF-300T Altair Al2O3等多种金属及金属化合物薄膜材料TS-300 Altair① PE-ALD产品PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。公司PE-ALD设备已实现了产业化应用，可以沉积高温、低温、高质量等多种指标要求的SiO2、SiN等介质薄膜材料，在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺中有广泛的应用，以实现更小图形化以及特定的隔离功能。报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，获得了原有客户及新客户订单，并出货至不同客户端进行验证，部分工艺再次获得客户重复订单，持续扩大量产应用；首台PE-ALD（NF-300H Astra）设备（沉积SiO 薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用，该设备主要应用于沉积2较厚的PE-ALD薄膜，具有高产能和低成本的优势。② Thermal-ALD产品Thermal-ALD 是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。报告期内，公司首台Thermal-ALD（TS-300 Altair）设备通过客户验证，取得了突破性进展。该设备为集成工艺设备，可以在同一台设备中沉积Thermal-ALD金属化合物薄膜及PECVD ADCⅡ薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD薄膜工艺，开发并推出了多款新工艺机型，获得了原有客户及新客户订单，持续扩大薄膜材料覆盖面。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
SACVD 设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。
在集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
产品系列 主要产品型号 主要薄膜工艺
SACVD PF-300T SA SA TEOS、SA ILD等介质薄膜材料PF-300T SAF BPSG、SAF（包括等离子体处理优化的SAF）等介质薄膜材料报告期内，公司SACVD产品持续提升产品竞争力，新推出了等离子体处理优化的SAF薄膜工艺应用设备并出货至客户端验证，进展顺利。截至本报告期末，公司可实现SA TEOS、SA ILD、BPSG、SAF薄膜工艺沉积的SACVD设备在国内集成电路制造产线的量产规模逐步提升。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
产品系列 主要产品型号 主要薄膜工艺
TS-300S Hesper报告期内，公司首台HDPCVD设备（沉积USG薄膜）通过客户验证，实现了产业化应用,并持续获得客户订单，出货至不同应用领域的不同客户端进行产业化验证，可以沉积SiO、USG、FSG、2PSG等介质材料薄膜。截至报告期末，公司HDPCVD产品已累计出货超过40个反应腔。
（5）混合键合系列产品研发及产业化进展情况
混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过直接键合工艺技术实现芯片或晶圆的堆叠。通常对晶圆表面进行等离子激活和清洗之后，运用高精密对准技术和键合工艺控制技术，实现晶圆对晶圆或芯片对晶圆的键合，并将键合精度控制在亚微米级，从而有效提升芯片间的通信带宽及芯片系统性能。除此之外，混合键合工艺可以有效缩短芯片开发周期。
公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）产品。
产品系列 主要产品型号 主要应用
晶圆对晶圆键合产品 Dione 300 晶圆对晶圆常温混合键合（Hybrid Bonding）和熔融键合（Fusion Bonding）芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品 Propus 晶圆及切割后芯片的表面活化及清洗注：芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品型号由原来的“Pollux”调整为“Propus”。报告期内，公司首台晶圆对晶圆键合产品Dione 300顺利通过客户验证，并获得复购订单，复购的设备再次通过验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的混合键合设备，目前该设备的性能和产能指标均已达到国际领先水平。此外，报告期内，公司推出的芯片对晶圆混合键合前表面预处理产品Propus发货至客户端验证，并在当年即通过客户端验证，实现了产业化应用，成为国产首台应用于量产的同类型产品。
3、供应链保障方面
公司持续优化供应链管理体系，建立了覆盖生产与库存管理、采购管理、物流管理等多维度的协调机制，合理规划采购体量及进度，通过提前策划、共享需求预测等方式提高供应链协同性及响应能力，以确保部件供给匹配机台生产需求。公司注重供应商关系管理，将与供应商的简单供需关系提升到协同合作、创新共赢的合作伙伴关系，持续完善供应商支持与绩效考核机制，促进供应商产品质量与产品性能的不断提升。积极推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，进一步提高公司设备的先进性、可靠性。公司采用全球化、多货源的供应策略，保证关键部件的及时稳定供应。报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产、及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续聚焦中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术、客户资源、售后服务等方面的核心竞争优势，同时，不断优化公司产品结构，持续增强产品竞争力，进一步促进客户群体的拓展及客户结构的多元化，公司产品的市场覆盖面和客户认可度持续提升，截至报告期末，公司在手订单（不含Demo订单）金额达到64.23亿元人民币。此外，公司积极拓展海外市场，报告期内出货一台PECVD设备至海外市场。
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜系列产品持续获得客户的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加。此外，公司新推出的键合系列产品均通过客户验证，实现了产业化突破。公司继续保持与下游客户深入稳定的合作，持续提供定制化、高性能的设备产品，以及高质量的售后服务，为公司业务持续增长奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合业务发展需要，持续加强人才梯队建设，人员规模不断扩大，截至2023年12月31日，公司员工总数达到1,070人，其中，研发人员484人，占公司员工总数的45.23%。
在人才引进方面，积极吸引行业经验丰富的管理及技术人才，并从国内高校选拔优秀的毕业生，2023年招聘应届毕业生120余人。在人才激励方面，公司充分发挥绩效考核激励作用，持续增强员工的荣誉感和凝聚力；在人才培养方面，公司建立了完善的人才储备及培养体系，不断探索校企合作新机制，已经与国内多所知名高校建立校企联合培养机制，推荐优秀工程师进行在职教育，同时，公司作为省级博士后实践基地，与高校共同联合培养博士后，2023年共有2名应届博士进入公司博士后实践基地工作；公司积极推动产学研密切合作，同时着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。 报告期内，公司完成了2022年股权激励计划的第一期归属/行权工作，共归属登记第二类限制性股票99.9635万股，行权股票增值权14.80万份。此外，公司实施了2023年度限制性股票激励计划，向激励对象授予375万股第二类限制性股票，并于2024年1月8日完成首次300万股的授予。上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远发展。
6、营运管理方面
报告期内，公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理，有效提升装配制造及时率、合格率；公司持续强化产品质量的管理体系，并保持较高水平的售后技术支持服务，获得客户高度认可；公司EHS（环境、健康、安全）部门持续完善公司在绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理机制，保障公司生产的合规和安全。同时，公司持续完善信息系统技术防护和安全保密管理，加强公司网络安全、数据安全。
7、募投项目建设进展情况
① 公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”
公司募投项目一“高端半导体设备扩产项目”是在公司原有半导体薄膜沉积设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设。截至报告期末，二期洁净厂房已完成建设并投入使用，大幅提高了公司薄膜沉积设备系列产品的产能支撑能力。本募投项目已结项，公司已将节余的募集资金用于永久补充流动资金。 ② 公司募投项目三“ALD设备研发与产业化项目”为进一步完善产业布局，公司在上海临港新片区购置整体厂房，建设新的研发及生产基地（建筑面积为5,181.68平方米），开展ALD薄膜沉积设备的研发与产业化。报告期内，该项目的研发与产业化基地建设厂房改造已经完成并投入使用，开始开展ALD设备的研发和生产相关工作。 ③ 超募资金投资建设新项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”是在上海临港新片区建设研发与产业化基地（土地面积为39,990.20平方米），用于先进半导体薄膜沉积设备及工艺的研发，并实现以临港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，公司已完成项目用地规划许可证和土地证的办理，并按照计划施工建设，进展顺利。 注：基地尚在建设中，上图为规划效果图
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对外投资事项：
（1）新设全资子公司及向全资子公司增资
① 设立全资子公司拓荆创益
报告期内，公司设立全资子公司拓荆创益，拓荆创益围绕公司现有主营业务开展相关经营活动，从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务。截至本报告披露日，拓荆创益注册资本为人民币50,000.00万元，公司实缴金额为36,168.02万元，其中33,000.00万元为货币资金，其余为非货币资产。
② 向拓荆上海增资
自报告期初至本报告披露日，公司以非货币资产作价人民币37,253.79万元及超募资金人民币60,000.00万元向拓荆上海实缴出资额，其中，超募资金10,000.00万元增资已办理工商变更登记手续，其余尚未办理工商变更登记。截至本报告披露日，拓荆上海注册资本为人民币48,000.00万元。
③ 设立全资子公司岩泉科技，
报告期内，公司设立全资子公司岩泉科技，岩泉科技主要围绕公司主营业务开展相关的对外投资活动，面向与公司具有产业协同性、有发展潜力的相关业务实体开展业务，为公司积蓄新的增长点，提升公司的综合实力。截至本报告披露日，岩泉科技注册资本为人民币10,000.00万元，公司向岩泉科技累计实际缴纳出资款人民币39,950.00万元，尚未办理工商变更登记。
（2）增资并参股公司
① 向芯密科技增资
报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币 2,000.00万元向芯密科技增资并获得增资后芯密科技 1.5625%的股权。本次公司向芯密科技增资，与公司目前战略布局相符，与公司主营业务具有协同效应，本次增资也有利于增强公司上游供应链的稳定性。
② 向无锡金源增资
报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币 2,000.00万元向无锡金源增资并获得增资后无锡金源4.7619%的股权。本次增资符合公司战略规划，与公司主营业务具有协同效应，并能增强公司上游供应链的稳定性。
③ 向稷以科技增资
报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币12,650.00万元向稷以科技增资，同时以自有资金人民币10,330.00万元受让稷以科技原股东所持股份，股权转让及增资完成后，岩泉科技合计持有稷以科技8.4478%的股权。本次投资将有助于公司完善产业协同发展。
④ 向恒运昌增资
报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币 1,100.00万元向恒运昌增资并获得增资后恒运昌 0.3447%的股权。本次增资后，公司及岩泉科技共计向恒运昌增资 3,100.00万元，公司及岩泉科技合计持有恒运昌 3.5280%的股权。公司向恒运昌增资与公司目前战略布局相符，与公司主营业务具有协同效应，有利于增强公司上游供应链的稳定性。
⑤ 受让神州半导体股权
报告期内，公司全资子公司岩泉科技以自有资金人民币 3,359.64万元受让江苏信基科技有限公司所持有的神州半导体 2.0730%的股权。本次投资与公司目前战略布局相符，有利于增强公司上游供应链的稳定性。
⑥ 投资中科共芯
报告期内，公司作为有限合伙人与其他方共同成立中科共芯，其中公司出资人民币5,000.00万元占合伙企业份额的27.76%，本次投资将有助于公司完善产业协同发展。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开5次股东大会、12次董事会会议、1次董事会战略与规划委员会会议、6次董事会审计委员会会议、3次董事会提名委员会会议、4次董事会薪酬与考核委员会会议、及9次监事会会议。
公司严格依照《公司法》《证券法》《上市规则》以及《公司章程》等有关法律、法规、规范性文件的要求不断完善公司的治理结构，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定良好的基础。
10、公司信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作、信息披露管理工作和投资者关系管理工作。公司严格依照股东大会、董事会、监事会、信息披露和投资者管理等相关制度规则合规运作；公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整，2022至2023年度公司信息披露工作评价结果为“A”，彰显了公司在信息披露领域的卓越表现和良好的公司治理结构。公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研、电话交流以及反路演等多种形式加强与投资者进行交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系。此外，公司将继续遵守相关法律法规，完善投资者关系管理制度，提高投资者关系管理水平，为投资者提供优质的服务，实现公司价值和投资者利益的最大化。2023年度，公司召开4次业绩说明会，开展100余次投资者交流活动，并荣获全景网“投资者关系金奖（2022）新秀IR公司”。公司高度重视内幕交易防范，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
|
|