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| 赛微电子(300456)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
二、报告期内公司所处行业情况
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
（一）公司所处行业的整体发展情况、行业政策及对公司的影响
1、集成电路行业的整体发展情况、行业政策
集成电路是信息处理和计算的基础，在科技革命和产业变革中发挥着关键作用。集成电路行业处于电子产业链的上
游，其发展速度与全球经济增速正相关，呈现出周期性的波动趋势。2025年集成电路行业呈现全球市场稳步复苏、AI与先进工艺双轮驱动增长的态势。根据国际权威研究机构 Gartner 初步统计数据显示，2025年全球半导体市场营收总额达7,930亿美元，同比增长21%。其中，人工智能（AI）相关半导体（含处理器、高带宽内存HBM及网络组件）成为核心增长引擎，贡献了近三分之一的市场销售额；与此同时，AI 基础设施支出持续攀升，预计到2026年将突破 1.3万亿美元，进一步为行业增长注入动力。从中长期看，集成电路是一个繁荣向好的行业。近年来，国家大力支持集成电路行业创新发展。以《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》为统领，中国形成对集成电路产业发展的总体方向指引，并在此基础上出台了一系列支持集成电路产业发展的财税政策。如北京市政府在《2025年市政府工作报告重点任务清单》中提出：大力推进集成电路、人工智能等九大专项攻关行动，着力提升共性技术供给能力，在人工智能、商业航天等领域突破一批关键核心技术。如2023年中央经济工作会议精神指出：“要以科技创新推动产业创新，特别是以颠覆性技术和前沿技术催生新产业、新模式、新动能，发展新质生产力。完善新型举国体制，实施制造业重点产业链高质量发展行动，加强质量支撑和标准引领，提升产业链供应链韧性和安全水平。要大力推进新型工业化，发展数字经济，加快推动人工智能发展。”2025年 7 月，工信部等七部门在《关于推动脑机接口产业创新发展的实施意见》中提出：“创新基于光、电、磁、超声、化学的新型脑信号传感器，突破单模态信号局限，提高脑信号感知能力”等。2025年“十五五”规划提出：“完善新型举国体制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。突出国家战略需求，部署实施一批国家重大科技任务。加强基础研究战略性、前瞻性、体系化布局，提高基础研究投入比重，加大长期稳定支持。强化科学研究、技术开发原始创新导向，优化有利于原创性、颠覆性创新的环境，产出更多标志性原创成果。”因此，基于集成电路行业整体发展长期向好的态势以及国家的长期战略政策支持，公司业务的进一步发展将继续拥有良好的产业发展及政策支持环境。
（1）MEMS行业发展情况、行业政策
MEMS 是微电路和微机械按功能要求在芯片上的一种集成，基于光刻、腐蚀等传统半导体技术，融入超精密机械加工，
并结合力学、化学、光学等学科知识和技术基础，使得一个毫米或微米级的MEMS具备精确而完整的机械、化学、光学等特性结构。MEMS 行业系在集成电路行业不断发展的背景下，传统集成电路无法持续地满足终端应用领域日渐变化的需求而成长起来的。随着微电子学、微机械学以及其他基础自然科学学科的相互融合，诞生了以集成电路工艺为基础，结合体微加工等技术打造的新型芯片，而终端应用市场的扩张，使得MEMS应用越来越广泛，产业规模日渐扩大，成为集成电路行业一个日趋活跃的新分支。随着万物互联与人工智能的兴起，作为集成电路细分行业的MEMS获得了更广阔的市场空间和业务机会。传统的传感器、执行器和无源结构器件逐步被替代，MEMS 技术的渗透率得以进一步提高。根据世界权威半导体市场研究机构 Yole
Development 发布的《Status of the MEMS Industry 2025》，全球 MEMS 市场规模将由2024年的 154亿美元增长至2030年的192亿美元，CAGR（年均复合增长率）为3.7%。 图片来源：Yole Development
MEMS 属于国家鼓励发展的高新技术产业和战略性新兴产业，是当前国际竞争和科技攻关的前沿热点。国家“十四五”
规划纲要提出：“打造数字经济新优势，加强关键数字技术创新应用，聚焦传感器等关键领域。”与此同时，以高水平现代化生产力（新类型、新结构、高技术水平、高质量、高效率、可持续的生产力）为衡量标准，以“领域新、技术含量高，依靠创新驱动”为评判关键，MEMS 属于新质生产力的范畴，将助力推动相关产业的发展，增强产业创新能力和国际竞争力。2026年初，国家“十五五”规划又进一步提出：“加快高水平科技自立自强，引领发展新质生产力。”“深入推进数字中国建设提升数智化发展水平。”近年来，国家有关部门陆续出台了一系列相关政策，从关键技术研发、产业应用等角度大力支持促进行业发展，为行业的发展提供了良好的政策环境。集成电路及MEMS行业部分相关政策发布时间 政策名称 发布单位 主要内容2023.1 《关于推动能源电子产业发展的指导意见》 工信部等六部门 发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件，集成多维度信息采集能力的高端传感器、新型MEMS传感器和智能传感器。2023.1 《“机器人+”应用行动实施方案》 工信部等十七部门 推动机器人技术与 5G、云计算、智能传感等新技术融合，实现自主导航、自动避障、人机交互、语音及视觉识别、数据分析等功能。2023.12 《产业结构调整指导目录（2024年本）》 国家发改委 推动制造业高端化、智能化、绿色化。以下内容列为鼓励类技术、装备及产品：集成电路：线宽小于 0.25 微米（含）的特色工艺集成电路生产；传感器封装（MEMS）、2.5D、3D等一种或多种技术集成的先进封装与测试；传感器：微纳位移传感器、柔性触觉传感器、高分辨率视觉传感器、可加密传感器等具有无线通信功能的低功耗智能传感器。2024.1 《关于推动未来产业创新发展的实施意见》 工信部等七部门 突破脑机融合、类脑芯片、大脑计算神经模型等关键技术和核心器件，研制一批易用安全的脑机接口产品，鼓励探索在医疗康复、无人驾驶、虚拟现实等典型领域的应用；加快突破 CPU 芯片、集群低时延互连网络、异构资源管理等技术，建设超大规模智算中心，满足大模型迭代训练和应用推理需求。2024.3 《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》 国务院 促进产业高端化、智能化、绿色化发展；推进医疗卫生机构装备和信息化设施迭代升级，鼓励具备条件的医疗机构加快医学影像、放射治疗、远程诊疗、手术机器人等医疗装备更新改造；开展汽车以旧换新；鼓励有条件的地方对消费者购买绿色智能家电给予补贴；积极培育智能家居等新型消费。2024.5 《关于深化智慧城市发展推进城市全域数字化转型的指导意见》 国家发改委等四部门 加快推动城市建筑、道路桥梁、园林绿地、地下管廊、水利水务、燃气热力、环境卫生等公共设施数字化改造、智能化运营，统筹部署泛在韧性的城市智能感知终端；推进城市智能基础设施与智能网联汽车协同发展。2024.12 《关于深化养老服务改革发展的意见》 中共中央、国务院 研究设立养老服务相关国家科技重大项目，重点推动人形机器人、脑机接口、人工智能等技术产品研发应用。深化全国智慧健康养老应用示范，推广智能化家居和智慧健康产品，探索开展居家养老安全风险预警和防范服务。2025.8 《关于深入实施“人工智能+”行动的意见》 国务院 为深入实施“人工智能+”行动，推动人工智能与经济社会各行业各领域广泛深度融合，重塑人类生产生活范式，促进生产力革命性跃迁和生产关系深层次变革，加快形成人机协同、跨界融合、共创分享的智能经济和智能社会新形态。2025.9 《电子信息制造业2025—2026年稳增长行动方案》 工信部、市场监督管理总局 加强电子信息领域制造业创新中心等创新平台建设，强化行业关键共性技术供给。通过国家重点研发计划相关领域重点专项，持续支持集成电路、先进计算、未来显示、新型工业控制系统等领域科技创新。2026.1 《关于进一步提升北京市中试服务能力促进科技创新和产业创新融合发展的若干措施》 北京市发改委、北京市经信局、北京市科委等 提升中试平台全链条服务能力。引导技术创新类、成果转化与产业化类创新平台拓展技术熟化、工程化放大和可靠性验证功能。鼓励平台以中试功能为基础，加快形成覆盖技术挖掘、技术熟化、产品试制、工艺创新、试验验证、检验检测、市场对接、资金筹集等功能的产业链全链条服务能力。支持市级重大中试平台、中试产线、中试零号工厂提升产品创制能力。2026.3 《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要（草案）》 全国人民代表大会、国务院 加强原始创新和关键核心技术攻关。坚持技术驱动和需求拉动相结合、锻长板和补短板相结合，完善新型举国体制，推动产出更多标志性原创成果。打好关键核心技术攻坚战。强化战略前沿领域科技布局。全面提升基础研究水平。强化企业科技创新主体地位。落实企业在技术创新决策、研发投入、科研组织和成果转化应用中的主体地位，促进创新链产业链资金链人才链深度融合。推动创新资源向企业集聚。加强企业主导的产学研融通创新。完善促进企业创新的政策体系。
（2）IC设计服务行业发展情况、行业政策
随着芯片集成度的不断提升，集成电路行业进入后摩尔时代，芯片性能单纯依靠制程微缩进行提升已面临瓶颈，产
业发展也从早期的IDM一体化模式逐步走向高度专业化分工，IC设计服务与EDA软件开发正是在这一产业演进过程中应运而生的。当下，芯片设计涉及前端设计及验证、逻辑综合、时序分析、物理实现、版图验证、功耗优化、可靠性设计等大量复杂环节，仅仅依靠芯片设计企业自身团队已难以覆盖全部流程，为提升设计效率、降低研发成本、缩短产品上市周期，专业化的IC设计服务逐步从产业链中独立出来，成为连接芯片设计与制造的关键环节和重要能力补充。与此同时，为实现芯片自动化设计、逻辑仿真、电路综合、布局布线、寄生参数提取、设计规则检查、物理验证等工作，以计算机辅助设计（CAD）为基础的电子设计自动化工具逐步发展，最终形成了EDA软件开发行业。根据 Archive Market Research's Growth 数据，全球集成电路后端设计服务市场规模2025年市场规模约为 524亿美元，到2031年市场规模将增长至约660亿美元。其中，亚太地区的集成电路后端设计服务市场正经历显著增长，市场份额占比约20%。
集成电路后端设计服务市场规模（十亿美元） 图片来源：Archive Market Research's Growth
一直以来，在 IC 设计服务与 EDA 软件开发的先进制程和关键技术领域，国外大型 IC 设计服务企业都居于主导地位，
国内企业正奋力追赶。近年来，国内发布了一系列围绕IC设计服务与EDA软件开发行业的支持政策，重点以《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》为基础，持续强化顶层设计，推动国产IC设计服务行业与EDA国产替代。随着自主可控战略深入推进、下游算力与智能终端需求持续增长，叠加全方位政策红利，IC 设计服务及 EDA 软件开发行业正处在高速发展期，未来前景广阔，国产替代空间巨大。公司当前业务以 MEMS 纯代工为核心，并兼具 IC 设计服务及 EDA 工具服务，基于两项细分行业整体发展长期向好的态势以及国家的战略政策支持，公司业务的发展将继续拥有良好的产业空间及政策支持环境。报告期内，公司及旗下控股子公司继续获得中央及地方集成电路项目的各项政策支持，这有利于公司进一步加大相关投入，推动业务未来持续向好发展。
（二）所属细分领域主流技术水平、市场需求变化及对公司的影响
1、MEMS纯代工
MEMS 的生产制造使用了包括体微机械加工和表面微机械加工在内的微细加工技术，并结合沉积、光刻、键合、刻蚀
等集成电路工艺，在硅片上实现微型机械三维结构的构建，在保留器件机械性能的基础上大幅缩减了机械体积、降低了能耗并提高了机械可靠性，同时可批量生产，大大降低生产成本。MEMS 技术发展正受到多重因素的推动，包括成本、尺寸、性能、功率、稳定、智能及连接性。成本的降低有助于实现新应用场景，小型化的MEMS器件有助于系统整合，并支持增强现实（AR）等新应用的发展。在性能方面，高准确性和低噪声是关键指标，直接影响MEMS传感器的可靠性和效果。功率管理是确保 MEMS 技术能够持续运行的重要因素。MEMS 器件还需要对环境条件具有稳定性，能够抵抗冲击、振动、湿度、压力等环境因素。此外，传感器融合、集成数据处理（DSP）、嵌入式软件和算法、边缘 AI（包括推理和最终训练）以及多种通信接口（如I2C、I3C、SPI、MIPI、LoRa、BLE）都是提升MEMS智能和连接性的关键技术。在通信计算领域，除 MEMS 光开关在传输领域的成熟应用外，数据中心及 AI 超级计算机对硅光技术的采用，促进了MEMS-OCS（Optical Circuit Switch，光链路交换器件）的兴起，高频通信则对基于MEMS工艺制造的BAW滤波器提出了更多的应用需求；在生物医疗领域，由于试验、诊断、监测、给药设备及载体的微型化以及生物与机械之间的融合探索，MEMS 器件在医疗领域的需求持续增加；在工业汽车领域，受高端工业装备对精密传感及执行需求以及自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）功能集成的推动，MEMS 传感器件的价值量及渗透率不断增长；在消费电子领域，随着智能手机、可穿戴设备、AR/VR/MR 等消费终端的发展，对于设备的智能化、精准化及交互性提出了丰富的需求，促进了 MEMS 传感器件的应用。整体而言，MEMS行业拥有来源丰富、活跃变化的市场需求。公司拥有覆盖 MEMS 领域的全面工艺技术储备，关键技术已经成熟并经过多年的生产检验，TSV、TGV、DRIE 及晶圆度和低功耗性能。 国际领先硅通孔金属层MetVia®TSV国际领先玻璃通孔MetVia®TGV国际领先深反应离子刻蚀DRIE 刻蚀 在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔。 国际领先晶圆键合Wafer Bonding 键合与退火 将晶圆相互结合，使表面原子相互反应，产生共价键合，让其表面间的键合能达到一定强度，使晶片间无需媒介物而纯由原子键结为一体。 国际领先DUV光刻 光刻 最小分辨率低至0.2微米，对准精度小于50纳米。 相对领先压电材料Piezo material 材料应用 利用压电材料受压力作用在两端面间出现电压的特性，实现机械能和电能的互相转换。 国内领先聚合物材料Polymer 材料应用 聚合物增强了断裂强度、具有低杨氏模量、延长断裂时间和相对低成本，其具有惰性和生物相容的特点，适于生物和化学应用。 相对领先磁阻材料 材料应用 利用隧道磁阻效应，实现磁场，电流的非接触量测，可应用于转速控制，编码等相关场景。 国内领先无铅焊锡电镀 Platingsolders 电镀 利用电解作用使金属或其他材料的表面附着一层金属膜，从而防止腐蚀，并提高耐磨性、导电性、反光性等。 相对领先封帽Capping 圆片封盖密封 形成机械结构所需的真空空间并保护晶圆避免受到机械刮伤、高温破坏。 相对领先离子注入Implant 硅材料改性 采用高能量离子束注入硅表面一定深度，并进行退火扩散处理，使硅表面材料改性，达到器件需要的性能。 相对领先由于 MEMS 应用场景及产品种类的多样性，对 MEMS 制造工艺的需求也体现出高度的定制化与复杂性，公司掌握的硅通孔（TSV）、压电材料（PZT）、晶圆键合工艺技术举例图示如下： 21
硅通孔（TSV）工艺技术图示 图片来源：赛微电子
厚硅晶圆TSV工艺技术图示 图片来源：赛微电子
压电材料（PZT）工艺技术图示 图片来源：赛微电子
键合技术图示 图片来源：赛微电子
因此，在市场需求保持中长期旺盛态势、公司代表着业内主流、领先技术水平的情况下，公司MEMS纯代工业务的进
一步发展拥有良好的市场及竞争要素。
2、IC设计服务
近年来，IC 设计服务主流技术围绕着“先进制程突破、异构集成落地、自动化赋能升级、多场景高效验证”四大方
向进行，总体IC设计服务的产业角色，也从传统的物理实现工具升级为系统级优化解决方案服务商。在先进制程突破方面，随着芯片集成度持续提升，IC 设计服务已需要开始逐步适应 3nm 量产、2nm 研发的技术需求，并需要为后续更先进节点做好准备，包括PPA（Performance性能、Power功耗、Area面积）极限优化等在内的技术愈发重要。在异构集成落地方面，Chiplet（芯粒）异构集成技术、2.5D/3D 堆叠技术成为延续芯片性能增长的关键，这直接推动了 IC 设计服务与先进封装的深度融合。在自动化赋能升级方面，近年来EDA工具迎来AI赋能的革命性变革，国产EDA工具在IC设计服务成熟制程领域实现积累，积极打破国际垄断，机器学习、强化学习技术全面应用于IC设计服务全流程，这大幅缩短了芯片设计周期，成为IC设计服务效率提升的核心支撑。在多场景高效验证技术方面，随着人工智能芯片、车规芯片等高端场景需求爆发，IC 设计服务的验证要求已从传统的时序、物理验证，升级为电、热、应力、电磁等一体化的多物理场验证，以确保芯片在复杂场景下的高可靠性。展诚科技的 IC 设计服务技术能力覆盖了 90/55/40/28/22/16/14/7/5nm 等主流及先进工艺节点，在上述主流技术方限收敛；在性能、功耗、面积多目标平衡上形成成熟方法论；服务众多等头部客户，支撑高端芯片PPA最优设计。 全流程后端设计（布局布线、时序/功耗优化、物理验证、签核）。 技术能力覆盖90/55/40/28/22/16/14/7/5nm等主流及先进工艺节点。2.5D/3D堆叠技术 具备微凸点等先进互连设计能力；完成 2.5D 中介层、3D 堆叠的版图与验证方案；结合自研多物理场分析，优化堆叠结构的信号/电源/热/机械可靠性。 2.5D/3D 堆叠架构设计、互连仿真、热/应力分析、封装协同。 支撑先进封装与Chiplet集成的2.5D/3D方案落地。多物理场验证 自研Z-RC寄生参数提取工具，支持高精度RC提取；
开发多物理场（电、热、应力、电磁）协同仿真与验证流程；适配车规/航天/AI高可靠场景验证需求。 先进工艺寄生参数提取、信号完整性、电源完整性、热/应力/EMC 分析、签核验证。 自研工具达到业内主流工具同水平，多物理场验证能力突出。高效验证技术 构建并行化、自动化验证平台；自研验证工具与流程，提升5nm节点验证效率；实现物理验证、时序验证、功耗验证、多物理场验证一体化；支持大规模芯片快速签核，缩短验证周期。 全流程物理验证、时序/功耗签核、多物理场验证、量产前sign-off。 验证效率与精度达到业内先进水平，支撑高端芯片快速交付。未来，全球IC设计服务市场需求总体将依旧保持可观增长态势，但需求结构却持续发生变化。应用需求结构方面，消费电子（手机、平板、电脑等）仍是 IC 设计的基础需求，但占比逐步下降，AI 算力芯片、车规级芯片、高速通信芯片（5G-A/6G/光通信）成为核心增长引擎；技术需求结构方面，IC 设计服务需求从低端化、普适化需求向高端化、定制化需求升级转变，从PPA优先需求向PPA+可靠+安全+热等多目标平衡需求转变，从通用设计需求向垂直定制需求转变。国内集成电路产业在国产替代政策推动下，本土芯片设计企业已开始逐步崛起，这带动着配套的IC设计服务公司快速发展。目前，先进制程（7nm及以下）IC设计服务需求规模快速增长，但能提供先进制程服务的IC设计服务企业以国外企业居多，国内企业虽在努力进军但仍占较小份额，因此以展诚科技为代表的本土IC设计服务公司市场发展空间巨大。此外，尽管目前国内 EDA 市场目前仍由新思科技（Synopsys）、楷登电子（Cadence）和西门子（Siemens）等国际企业占据主导地位，但随着国家和市场对国产 EDA 行业的重视程度提升，近年来国内 EDA 企业在产业政策、产业环境、投资支持、行业需求、人才回流等各方面的利好影响下获得了迅速发展，上下游协同显著增强，展诚科技的 EDA 工具服务拥有良好的国产替代机遇。
（三）公司核心技术、成本控制及竞争优劣势
1、MEMS核心技术、成本控制及公司竞争优劣势
（1）MEMS核心技术
MEMS 代工业务的本质是通过集成电路大规模、标准化工艺技术，实现各类传感器件的批量精密制造，同时实现器件
的小体积与低功耗。作为业界领先的 MEMS 纯代工厂商，公司 MEMS 工艺开发及晶圆制造业务的主要生产技术类别及环节与其他竞争厂商相比并无重大差异，公司的竞争优势更多地体现在通过长期实践，在制造工艺中集成了大量的专利技术（IP）和技术诀窍（Know-how），以及坚定保持“Pure-Foundry”商业运营模式。MEMS代工涉及的主要生产技术类别及环节主要技术 具体内容 使用的设备或技术光刻 除去晶圆表面薄膜的特定部分，主要分为涂胶、曝光、显影、定影等步骤。 步进式光刻机、接触式光刻机。键合 通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的一种晶圆制造技术。硅晶圆键合往往与表面硅工艺、体硅工艺相结合，被用于MEMS器件的加工制造工艺中。 技术分支：直接键合（硅-硅、阳极、混合等）；间接键合（共晶、金属、glass frit等）。设备：晶圆级键合机。氧化退火 氧化是在硅上形成二氧化硅；而退火提高了温度使注入的掺杂剂离子从晶格间迁移到晶格点。 技术：扩散，或晶格修复。设备：FGA氧化退火炉等。沉积 采用物理和化学等方法在晶圆表面或近表面形成膜（薄膜、厚膜）。 金属溅射机、金属蒸镀机、二氧化硅/氮化硅等离子增强化学气相沉积、物理气相淀积、电镀。干法刻蚀 干法刻蚀的刻蚀剂为等离子体，利用等离子体和表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。 深反应离子刻蚀；二氧化硅/氮化硅/多晶硅/聚酰亚胺薄膜刻蚀、螺旋波等离子体源二氧化硅刻蚀。湿法刻蚀 通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反应将需被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法。 KOH溶液湿法硅刻蚀、HNA系统湿法硅刻蚀、氮化硅湿法刻蚀。量测 对加工体（晶圆等）的电性/机械/化学/形貌/尺寸等参数进行测量，用于控制工艺参数、校调生产设备、分析失效因素和验证基本功能。 晶圆级、分立器件级探针机台、显微镜、形貌仪等。切割 使用高速旋转的晶圆切割设备，采用磨削的方式切割晶圆，以使芯片间得以切割分离。 （自动/或手动）晶圆切割机。MEMS 制造上连产品设计，下接产品封测，是 MEMS 产业链中必不可少的一环。MEMS 产品类别多样、应用广泛，客户定制化程度非常高，其生产采用的微加工技术强调工艺精度，属于资金、技术及智力密集型行业。与 CMOS 相比，MEMS代工行业呈现出多品种、小批量的特点，部分品种陆续提出大批量制造需求但暂不具备显著的规律性，同时对代工厂商的工艺技术及成本控制能力提出极高要求。
（2）MEMS成本控制及公司竞争优劣势
报告期内，公司在MEMS业务的工艺技术及成本控制方面具有如下特点： A、形成了标准化、结构化的工艺模块
虽然MEMS产品的特殊性要求制造者为每种产品开发独特的工艺流程，但实践中许多工艺步骤是可为多种器件通用的。公司以最大化利用工程资源为目标，提炼出多种可重复使用的工艺制程模块。标准工艺模块作为工艺集成规划的起点，再对单个产品的关键工艺开发、调整和优化，最后对单个产品开发特殊工艺或材料。标准化的工艺模块加上调整优化后的关键工艺和特殊工艺能直接整合客户的产品，实现工艺标准化和规模量产定制化相结合。B、丰富的项目开发及代工经验公司在历史经营期内与下游客户开展广泛合作，代工生产了包括微镜、光开关、片上实验室、微热辐射计、振荡器、原子钟、压力传感器、加速度计、陀螺仪、硅麦克风等在内的多种MEMS产品。长期实践中，公司严格按照新产品导入流程（NPI）进行项目管理，在产品复杂多样的环境下做好生产工艺的开发与管理；公司团队自主开发的生产管理系统能够很好地对生产计划和制造过程进行整体控制，形成了一套行之有效的MEMS代工厂运营管理办法。C、建立量产工厂的成本控制体系随着工艺开发向量产的并行转换、公司结合量产需要，采取相应的成本控制手段，一方面根据规模量产工厂的定位要求建立成本控制体系，另一方面则是积极扩大产品范围及客户群体，通过规模效应来实现边际业务成本的降低。
2、IC设计服务核心技术、成本控制及公司竞争优劣势
（1）IC设计服务核心技术
IC 设计服务是芯片产品定义与芯片制造中间的关键环节，在芯片设计全产业链中占据不可或缺的重要地位，对提升
产业效率、强化企业核心竞争力、保障产业链供应链稳定具有关键作用。公司控股子公司展诚科技在服务客户（以芯片设计企业为主）过程中提供的IC设计服务主要技术及环节涵盖架构设计、前端设计及验证、物理设计及验证等。展诚科技IC设计服务主要技术及环节主要技术 具体内容 关键作用架构设计 依据客户需求定义关键性能指标，梳理接口与互联需求，确定芯片整体架构，划分功能模块，搭建架构级性能模 架构设计：决定芯片性能、功耗和面积等。型，模块划分与接口定义，验证与迭代。前端设计及验证 前端设计主要是根据芯片规格、架构方案、接口协议、性能指标，使用 Verilog/SystemVerilog/VHDL 编写寄存器传输级代码，通过综合、DFT 和仿真，最终交付代码及设计文档。验证主要是搭建测试环境，编写验证代码，设计测试用例，全面验证芯片的功能是否正常实现。 前端设计核心是把架构需求落地为可实现、可综合的 RTL 代码和相关模拟电路设计，做好模块设计、时钟复位规划和 DFT 支持，确保设计方案合规、高效，是芯片设计成功的基础。验证，核心是通过搭建验证环境、开展全面仿真、排查边界异常，确保芯片功能符合规格，把缺陷消灭在前端，避免后期流片风险。是芯片设计成功的关键。物理设计及验证 根据前端设计数据，完成版图规划，开展布局、时钟树设计、单元创建和布线工作；依据电路逻辑关系用金属连线连接标准单元，结合客户工艺制程节点和具体需求完成相关工作，力争缩小芯片面积、降低功耗。验证核心工作时开展设计规则检查、电学规则检查、电路图和版图一致性检查及可靠性检查等。 芯片物理设计直接决定芯片的核心性能、长期可靠性及量产良率，关乎项目成败、成本控制和产品核心竞争力，优化芯片面积与功耗，保障芯片设计性能落地和功耗控制，是芯片从设计理念落地为可量产产品的关键环节。与芯片设计公司相比，展诚科技所从事的IC设计服务更强调物理实现的专业性、工艺规则的适配性和设计结果的可制造性，在满足工艺约束的前提下，展诚科技需要依据客户需求实现芯片面积、功耗、时序的最优平衡，这对展诚科技服务的技术能力、成本管控提出了严苛要求。
（2）IC设计服务成本控制及公司竞争优劣势
报告期内，展诚科技在IC设计服务成本控制方面形成了显著优势，具体特点如下： A、打造一体化服务体系，精准匹配客户需求，进行高质量交付
展诚科技深耕 IC 设计服务领域，形成了全流程 IC 设计服务能力，可针对数字芯片、模拟芯片等不同类型产品，以及不同制程节点的工艺要求，为客户提供从版图规划到最终GDS II文件交付的一体化服务。在服务过程中，展诚科技深度融合工艺规则与设计优化，确保IC设计服务既符合客户的功能、性能需求，又高度适配芯片制造的工艺标准，有效保障客户芯片流片的良率与成功率，实现从逻辑设计到物理实现的无缝衔接。B、构建标准化服务流程，结合客户定制化要求，实现服务效率提升 集成电路芯片设计的定制化需求虽然要求IC设计服务公司根据不同芯片的功能、工艺节点、性能指标制定个性化的设计方案，但芯片设计的部分核心环节与关键流程具备通用可复制性。展诚科技以提升服务效率、最大化利用技术资源为核心目标，提炼出覆盖全环节的标准化服务流程与模块化设计方法，将各环节的核心操作要点固化为标准模块，作为各类项目设计的基础框架。在此基础上，针对不同客户的工艺制程节点、芯片性能需求进行定制化调整与精细化优化，实现了标准化服务流程与定制化设计优化的有机结合，既大幅提升了项目开发效率，又能满足客户定制化要求，实现了服务效率提升。C、运用丰富项目实操经验，构建成熟的项目管控体系，降低返工率 展诚科技在二十多年经营过程中与多家集成电路设计公司开展深度合作，积累了丰富的IC设计服务项目经验，在实际服务中完成了各类通用及定制化芯片的IC服务工作。基于长期丰富的项目实操，展诚科技建立了成熟的项目管理管控体系，从项目立项、需求对接、方案制定到设计实施、质量验证、成果交付，全流程进行精细化管控，从源头上尽最大可能规避IC设计服务错误，保障IC设计服务成果的准确性与合规性，大幅降低了项目返工率，提升了客户服务体验。D、运用数字化/信息化手段，聚焦核心客户及业务，实现服务成本优化与规模效应 展诚科技围绕IC设计服务的全流程，积极通过数字化、信息化手段提升项目管理与设计协作，优化内部资源配置，减少了管理成本与运营成本。此外，公司凭借核心的技术服务能力与良好的行业口碑，聚焦核心客户及业务，提升客户合作粘性，减少市场开拓成本，实现了成本控制与业务发展的良性循环。
（四）所属行业的周期性特点
集成电路行业处于电子产业链的上游，其发展受到下游终端应用的深刻影响，其行业发展速度与全球经济增速正相
关，呈现出周期性的波动趋势。近年来，随着行业分工的深化，芯片设计、制造及封测各环节专业化程度显著提高，行业整体能够更加准确的把握需求变动趋势、更有计划地控制产能规模及资本性支出、更加及时地对市场变化做出反应及修正；同时，集成电路产业在社会其他行业的渗透日益深入，终端消费群体基数庞大，一定程度上抵消了经济周期的影响，使集成电路行业整体的周期性波动日趋平滑。MEMS纯代工、IC设计服务行业作为基于集成电路技术演化而来的新兴子行业，其周期性与集成电路行业相似；同时由于 MEMS 技术具有替代性、前沿性、创造性，IC 设计服务也可大幅提升行业整体效率，与 MEMS 相关的技术、产品的更新和 IC 设计服务以及 EDA 软件开发的技术迭代，将为下游市场注入新的活力，并引导下游突破现有瓶颈限制、持续激发创新、拓宽终端应用范围，推动社会经济有机增长，故其行业周期性波动风险可得到有效降低。公司 MEMS 纯代工、IC 设计服务必然受到宏观经济周期的影响，但由于终端各应用领域行业正处于快速蓬勃发展阶段，且境内企业正逐步提升自身技术进行国产替代，智能传感是推动全球经济发展的新兴力量，MEMS 更是技术变更与竞争的新兴领域，IC 设计服务亦是集成电路产业链的关键环节。因此在国产化替代、技术升级与生态构建多重驱动下的当前阶段，集成电路行业以及公司所在的 MEMS 和 IC 设计服务行业，更多受自身发展阶段的影响，受宏观经济周期的直接影响相对较小。
（五）公司所处的行业地位
MEMS业务方面，公司控股子公司赛莱克斯北京已投入运营并持续推动产能爬坡。赛莱克斯北京是国内领先的纯MEMS
代工企业之一，在瑞典 Silex 控制权转让后，公司将集中资源重点发展并深化运营北京产线，随着赛莱克斯北京产能的持续爬坡，公司有望在纯MEMS代工领域仍保持重要地位。公司参股子公司瑞典Silex（2025年7月出表成为公司参股子公司）是全球领先的纯 MEMS 代工企业，服务于全球各领域巨头厂商，且正在瑞典持续扩充产能。根据 Yole Development 的统计数据，2012年至今，瑞典 Silex 在全球 MEMS 代工厂营收排名中一直位居前五，与意法半导体（STMicroelectronics）、TELEDYNE、台积电（TSMC）、索尼（SONY）等厂商持续竞争，2019-2024年则在全球 MEMS 纯代工厂商中位居第一。2025年7月，瑞典Silex的控制权转让事项已完成交割，但瑞典Silex仍为公司持股45.24%的重要参股子公司。IC 设计服务业务方面，公司控股子公司展诚科技是国内较早从事集成电路设计服务细分领域的头部公司，累计服务多家行业知名企业，在集成电路设计服务领域占据国内领先地位。报告期内，公司控股子公司展诚科技还在 EDA 软件开发方面主要从事寄生参数提取 EDA 软件研发，展诚科技研发的寄生参数提取 EDA 主要用于精确还原集成电路纳米尺寸下真实复杂的物理模型，是保证工艺研发和芯片设计成功的关键环节。展诚科技先后荣获国家重点集成电路设计企业、国家专精特新“重点小巨人”企业、山东省“瞪羚”企业、山东省电子信息行业优秀企业、山东省软件产业高质量发展重点项目等资质荣誉。。
四、主营业务分析
1、概述
（一）整体经营情况概述
报告期内，公司继续聚焦发展主营业务 MEMS（微机电系统），并持续为下一步的产能扩充及爬坡做好准备；同时根
据公司发展战略，延伸并购展诚科技，布局IC设计服务。对于北京亦庄MEMS量产线，报告期内继续处于产能爬坡阶段，具有导入属性的工艺开发业务继续开展，带动着公司从工艺开发阶段转入风险试产、量产阶段的晶圆产品类别持续增加。但由于部分原有量产客户订单在报告期内因下游市场需求变化产生较大波动，北京亦庄 MEMS 量产线的收入出现下滑。此外，北京亦庄 MEMS 量产线研发投入依然保持较高强度，运营支出存在刚性，叠加折旧摊销等因素，亏损较上年扩大。对于瑞典MEMS产线（2025年7月出表成为公司参股子公司），报告期内订单、生产与销售状况良好（尤其是MEMS-OCS晶圆的生产销售在本报告期实现大幅增长），继续实现了整体业务增长，保持了良好的盈利能力。近年来，国际地缘政治环境发生深刻变化，同时半导体产业在全球地缘政治博弈中的战略地位日益凸显，经济全球化与国际产业链分工协作面临挑战。由于国际局势的日趋紧张及复杂化，瑞典 Silex 面临的不确定性因素显著增加。若公司继续维持对瑞典 Silex 的控股地位，其业务运营与发展面临的地缘政治相关风险及不确定性可能上升，包括但不限于其与关键客户及供应商伙伴持续稳定合作的潜在挑战，以及由此可能导致的瑞典 Silex 经营风险和价值受损风险。为审慎应对复杂多变的国际形势，最大程度缓解地缘政治环境变化带来的系统性风险，切实维护上市公司及全体股东的长远利益，经公司慎重研究，决定出售瑞典 Silex 控制权，同时保留部分少数股权，继续享有瑞典 Silex 业务增长收益、保持境内外协作沟通纽带，并为海外业务运营创造更具韧性的发展条件。本次重大资产出售已于2025年7月完成交割，瑞典Silex从公司的全资子公司转变成为公司的重要参股子公司。
2025年 9 月，公司完成对展诚科技 56.24%股权的收购。本次交易完成后公司合计持有展诚科技 61.00%股权，展诚科技成为公司控股子公司，纳入公司合并报表范围。报告期内，展诚科技IC设计服务保持良性发展，实现盈利。报告期内，公司及相关子公司基于存量设备仍适度开展半导体设备业务，贡献了一定的营业收入，但由于缺乏上年的大客户销售，且国内半导体设备市场竞争加剧，公司2025年半导体设备业务较上年大幅下降了82.69%。与此同时，报告期内公司管理费用大幅增长，主要系确认瑞典 Silex 因控制权出让交易触发的大额股权激励费用，剔除该因素影响后，管理费用较上年小幅增加；财务费用上升，主要系因报告期汇兑损失较上年同期增加；销售费用略有下降；资产减值损失大幅增加；研发费用略有下降但继续处于较高投入水平。报告期内，公司实现营业收入 82,410.59万元，较上年下降31.59%；实现营业利润 138,017.82万元，较上年大幅增长642.79%；实现利润总额138,010.57万元，较上年大幅增长642.78%；实现净利润138,843.48万元，较上年大幅增长 643.94%；归属于上市公司股东的净利润 147,345.41万元，较上年大幅增长966.77%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-34,195.01万元，较上年大幅下降79.30%。报告期内，公司基本每股收益 2.0123元，较上年大幅增长966.62%；加权平均净资产收益率 25.27%，较上年优化28.64%（绝对数值变动），主要是由于本期归属于上市公司股东的净利润较上年大幅增长966.77%。本报告期末，公司总资产893,942.24万元，较期初上升27.50%；归属于上市公司股东的所有者权益673,438.65万元，股本732,213,134.00元，归属于上市公司股东的每股净资产9.20元，较期初上升36.90%。报告期内，公司2025年7月完成对原全资子公司瑞典Silex控制权的出售，本次股权交易完成后，瑞典Silex由公司全资子公司转变为公司参股子公司，不再纳入公司合并报表范围，由此产生的非经常性损益对本报告期归属于上市公司股东的净利润产生重大影响；上述股权交易是公司营业收入下降、归属于上市公司股东的净利润大幅增长的主要原因。报告期内，非经常性损益对公司当期归母净利润的影响为181,540.42万元（主要影响因素为瑞典Silex控制权的出售），上年同期非经常性损益对当期净利润的影响为2,072.18万元（主要影响因素为政府补助）。
（二）主要业务情况
2、IC设计服务业务发展情况
2025年展诚科技实现营业收入21,148.38万元，归母净利润2,216.41万元，保障提升IC设计服务业务基本盘的同时，推进了EDA软件开发。报告期内，展诚科技紧抓算力及AI芯片发展的重要机遇期，优化自身技术，夯实绑定大客户
战略，大力开发新客户，实现了技术优化升级与包括海外市场的业务开拓，并提前布局 3nm 以下技术储备与积累。同时，展诚科技积极延伸业务赛道，力争细分领域的突破，并不断打造自身在不同芯片领域从架构设计到版图验证的一站式服务能力和全方位服务体系，关注和兼容国际主流技术、工具、格式，积极捕捉商业机遇，为将来助力客户降低研发成本、缩短上市周期做好了扎实准备。报告期内展诚科技各业务模式的发展情况如下： （1）off-site模式发展情况报告期内，展诚科技在off-site模式依托远程网络专业工具、安全远程协作体系的完善和普及，借助标准化的设计流程、跨地域的资源整合能力，在芯片设计、验证、标准化IP开发与验收、设计数据校验检查等项目流程中持续优化运营效率，有效降低了远程协作的沟通成本。off-site模式是展诚科技服务众多客户、承接批量标准化需求的重要模式。
（2）on-site模式发展情况
报告期内，展诚科技在 on-site 模式持续深化场景化适配能力，针对客户先进工艺节点芯片设计、高复杂度混合模
块等对实时协同、工艺深度对接要求高的需求，进一步强化驻场团队的专业配比度，提升快速响应速度，通过与客户的无缝联动，在项目中实现了高效协作和高质量交付。on-site模式是展诚科技IC设计服务业务发展的重要模式。
（3）odc模式发展情况
报告期内，在 odc 离岸开发中心模式方面，展诚科技搭建专属化、定制化的离岸团队，推进规模化落地与精细化运
营，围绕芯片设计客户的长期持续性需求，实现了团队与客户设计规范、工艺要求、工具链的深度适配，同时展诚科技通过建立远程管理体系、人才培养机制与数据安全防护体系，有效平抑了高端人才稀缺等问题，初步形成了成本优势与交付效率的双协同。
3、研发情况
报告期内，公司继续重视技术和产品的研发投入，包括人才的培养引进及资源的优先保障。公司MEMS纯代工业务及
IC 设计服务业务均属于国家鼓励发展的高技术产业和战略性新兴产业，同时也需要公司进行重点、持续的研发投入。
2025年，公司共计投入研发费用39,272.97万元，占营业收入的47.66%，金额在上年高基数的情况下有所下降，继续保持了较高的投入强度。具体详见本节“四、主营业务分析”之“研发投入”的相关内容。
4、投融资情况
报告期内，公司为实现产业目标、把握合作机遇、更好地服务于MEMS主业的发展，基于过往已有布局、根据长期发
展战略继续开展投融资活动：（1）股权投资方面，根据公司业务发展战略和规划，公司进一步提高了对赛莱克斯北京的持股比例，收购了展诚科技 56.24%股权，参与投资设立初芯微，收购芯东来部分股权，并小比例参与投资了多家半导体产业链相关公司、提升了光谷信息持股比例；（2）股权转让方面，基于地缘政治及国际局势的日趋紧张及复杂化，公司决策转让瑞典Silex控制权，同时保留部分少数股权；（3）产业基金方面，持续推动北京传感基金、深圳智能传感基金在智能传感领域的项目投资，继续跟踪半导体产业基金、北斗产业基金的投资与投后情况，关注赛微私募基金的运行情况；（4）融资租赁方面，赛莱克斯北京、赛积国际继续执行相关融资租赁交易；（5）银行授信及并购贷款方面，公司及子公司根据经营发展中的资金需求，积极向相关银行申请综合授信额度及并购贷款，扩大资金使用空间，降低财务资金成本。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
注：上述分行业中的集成电路行业主要包括MEMS纯代工、半导体设备、IC设计服务、EDA工具服务及封装测试等业务；
分产品中的 MEMS纯代工即为公司往期报告中的 MEMS工艺开发及 MEMS晶圆制造，IC设计服务为公司控股子公司展诚科
技开展的主要业务，下同。
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 适用 □不适用
本次交易公司拓展了IC设计服务业务。为便于投资者更清楚了解公司主营业务，公司对分行业及分产品主营业务统计口径进行调整，分地区及分销售模式统计口径与上年保持一致。公司2025年年报中集成电路行业主要包括 MEMS 纯代工、半导体设备、IC设计服务、EDA工具服务及封装测试等业务，MEMS纯代工为公司往期报告中的MEMS工艺开发及MEMS晶圆制造。同时IC设计服务为公司控股子公司展诚科技开展的主要业务。
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2025年2024年 同比增减
MEMS纯代工 销售量 片 49,560 51,459 -3.69%生产量 片 54,670 58,125 -5.94%库存量 片 9,034 11,130 -18.83%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明□适用 不适用
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
行业分类
报告期内，MEMS纯代工和IC设计服务是公司的主要业务，因此该部分主要分析其成本构成。
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
报告期内MEMS纯代工相关成本较上年减少，主要因公司出售瑞典Silex股权，丧失对其控制权不再纳入合并报表范围；新增 IC 设计服务相关成本，主要因为公司收购展诚科技股权，取得其控制权纳入合并范围，新增 IC 设计服务业务所致。
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
是 □否
1、转让瑞典Silex控制权
公司于2025年6月13日召开的第五届董事会第十六次会议及第五届监事会第十四次会议审议通过了《关于〈北京
赛微电子股份有限公司重大资产出售报告书（草案）〉及其摘要的议案》等与本次交易相关的议案，公司向 BureEquity AB、Creades AB(publ)等七名交易对方转让全资子公司瑞典Silex控制权。本次交易前，瑞典Silex为公司全资子公司，公司通过运通电子持有瑞典 Silex 87.80%的股份，通过全资子公司赛莱克斯国际持有瑞典 Silex12.20%的股份。本次交易完成后，公司通过全资子公司赛莱克斯国际、运通电子合计持有瑞典 Silex45.24%股份，瑞典 Silex 成为公司参股公司。
2、收购展诚科技56.24%股权
公司于2025年8月19日召开的第五届董事会第十九次会议审议通过了《关于收购青岛展诚科技有限公司56.24%股权的议案》，公司拟以 15,747.20万元收购展诚科技 56.24%股权。本次交易前，公司全资子公司微芯科技持有展诚科技
4.76%股权，本次交易完成后，公司合计持有展诚科技 61.00%股权。2025年 9 月，本次股权交易事项已完成工商变更登记，展诚科技成为公司控股子公司。报告期内，公司依据业务发展而进行，但未对公司总体产生重大影响的其他合并范围变动详见“财务报告-合并范围的变更”。
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 适用 □不适用
1、公司2025年7月完成对原全资子公司瑞典Silex控制权的出售，本次股权交易完成后，瑞典Silex由公司全资子公司转变为公司参股子公司，不再纳入公司合并报表范围，由此产生的非经常性损益对本报告期归属于上市公司股东
的净利润产生重大影响；上述股权交易是公司报告期内营业收入下降，归属于上市公司股东的净利润大幅增长的主要原因。出售瑞典Silex控制权后，公司将面临MEMS业务收入下降的风险，相关风险及应对措施详见本年度报告第三节“管理层讨论与分析”第十一项“公司未来发展的展望”章节中“MEMS业务收入下降的风险” 2、公司2025年9月完成对展诚科技56.24%股权的收购，本次交易完成后，公司合计持有展诚科技61.00%股权，通过本次交易公司拓展了IC设计服务业务，同时公司少量从事寄生参数提取EDA软件研发并向客户提供寄生参数提取与分析相关技术支持。报告期内，展诚科技对公司业绩产生一定正向影响。
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
Silex 股权，丧失对其控制权不再纳入合并范围。管理费用 544,849,986.96 148,281,360.25 267.44% 主要因报告期确认瑞典Silex 因控制权出让交易触发的瑞典股权激励费用所致。财务费用 67,113,883.48 12,008,719.43 458.88% 主要因报告期汇兑损失较上年同期增加所致。研发费用 392,729,653.21 454,830,833.84 -13.65% 无重大变动。
4、研发投入
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响MEMS硅麦克风制造技术 掌握硅麦克风系统制造方案，以 MEMS 工艺技术实现小体积、高性能硅麦克风的制造。 推进技术攻关与基础应用研发、推进产品器件制造。已经实现中低端产品的量产，正在开发高端产品。 提高 MEMS 硅麦克风的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子等领域客户的制造需求。 充分发挥 MEMS 硅麦克风尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司 MEMS 硅麦克风制造业务的发展。MEMS微压差制造技术 掌握微压差系统制造方案，以 MEMS 工艺技术实现小体积、高性能微压差产品的制造。 初步技术方案正在客户的终端产品上验证。 基于目前 fab 的工艺基础，实现微压差产品的大规模量产。 充分发挥 MEMS 微压差尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司 MEMS 微压差制造业务的发展。MEMS射频滤波器制造技术 掌握适用高频段的体声波（BAW）滤波器的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现小体积、高性能滤波器的制造。 继续推进基础单步工艺研发及集成工艺整合。
已实现多个波段以及掺
钪 BAW 滤波器的量产。
2024 和2025年持续推
进双工器、四工器等多款高端滤波器的量产。 形成 BAW 滤波器的商业化、规模化 MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自国内滤波器设计厂商的本土制的发展。MEMS射频谐振器制造技术 掌握谐振器集成制造技术，以 MEMS 工艺技术实现小体积、高性能谐振器的制造。 已完成薄膜沉积工艺、薄膜刻蚀工艺研发，谐振器设计参数提取优化，器件性能达到客户需求。 形成面向谐振器的 MEMS工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设器制造业务的发展。MEMS微波前端模块制造技术 掌握微波前端模块的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现小体积、高性能微波前端模块的制造。 基本完成基于 MEMS 工艺的微波/毫米波器件关键制造技术优化；
进一步提高了高频前端
模块的晶圆级异质异构
集成技术的工艺水平。
能够制备较高质量的毫
米波模块样品。 形成面向射频/毫米波前端器件、射频/毫米波前端模块的 MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备市场潜力的6G、太赫兹通信新产品领域，促进公司在高频通信、汽车雷达 MEMS器件制造业务的发展。MEMS微波功分器制造技术 掌握高频通信器件的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现小体积、高性能微波功分器的制造。 解决了基于 MEMS 技术的毫米波功分器制造工艺难点，深入优化了毫米波功分器的硅晶圆制需求。 开辟具备巨大市场潜力的 6G、太赫兹通信产品领域，促进公司高频通信器件制造业务的发展。激光雷达MEMS微振镜制造技术 掌握激光雷达振镜的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现激光反射镜与电磁二维驱动器的集成，实现小型化、低成本、高精度微振镜的制造。 已实现车规级产品量产，包括多款振镜产品均进入量产阶段。目前工艺稳定，良率达到客户要求并在进一步提升中。 形成面向激光雷达振镜的 MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司微振镜制造业务的发展。MEMS气体传感器芯片制造技术 掌握气体传感器件的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现低功耗、高可靠性气体传感器的制造。 已经完成多种结构和多种气体敏感的气体传感器的研制，完成关键单步工艺及集成技术的开发。已实现多款气体传感器的风险生产。目前产品在终端客户处已经在白色家电和工业上实现了应用。 形成面向气体传感器件的 MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司气体传感器制造业务的发展。MEMS生物芯片制造技术 掌握生物芯片的关键制造技术，以 MEMS 工艺技术实现硅衬底与玻璃衬底的兼容，实现生物微机电系统的低成本、大批量制造。 持续小批量生产中，包括多款微流控传感器。
同时针对不同市场需
求，持续研发新的产品。 形成面向生物芯片的MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，在芯片表面构建微型生物化学分析系统，实现生物基因信息的准确、快速、大量检测，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司生物芯片制造业务的发展。MEMS加速度计制造技术 掌握面向第三代惯性器件的低成本制造技术，解决稳定性、可量产性、可迭代性等方面的问题。 部分型号加速度计产品已实现试产，目前正在推进集成工艺整合，提高良率。同时迭代产品，针对消费级市场做新的设计开发。 提高 MEMS 惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司 MEMS惯性传感器制造业务的发展，带动相关封装测试业务。MEMS惯性IMU制造技术 掌握面向第三代惯性器件的低成本制造技术，解决稳定性、可量产性、可迭代性等方面的问题。 完成了 FT、RE 和性能的所有验证，正在小批量生产。 提高 MEMS 惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司 MEMS惯性传感器制造业务的发展，带动相关封装测试业务。车用MEMS惯性传感制造技术 掌握车用惯性传感器件制备工艺，基于已有经验进一步研发车用 MEMS惯性传感器件生产制造工艺。 单步工艺和初步验证已经完成，已经敲定量产设计。正在针对不同的需求进行流片。 提高 MEMS 惯性传感器的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域客户的制造需求。 有利于发挥公司原有技术积累，促进公司 MEMS惯性传感器制造业务的发展。MEMS硅光子通信芯片制造技术 掌握硅光子芯片的关键制造技术，以 MEMS 工艺技术在芯片上构建高性能光子组件的集成与大规模扩展，实现硅光子芯片的标准化工艺制造。 继续推进相关技术攻关与基础应用研发。 形成面向硅光子通信芯片的 MEMS 工艺开发及CMOS 晶圆再加工的MEMS 制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司硅光子制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。MEMS振荡器制造技术 掌握 MEMS 硅基振荡器的关键制造技术，以MEMS 工艺技术在硅基晶圆上实现全温频率稳定的振荡器结构，以取代传统的石英振荡器。 初步全流程已经完成，已经测出基本性能，正在提高产品性能。 形成面向硅基振荡器的MEMS 工艺研发及晶圆制造能力，服务并满足设计厂商需求，共同促进对传统石英振荡器的替代应用。 开辟时钟类产品新领域，促进公司 MEMS 振荡器制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点，实现该类产品制造的国产替代。MEMS压力传感器芯片制造技术 掌握气体压力传感器件的关键制造技术，以MEMS 工艺技术实现高灵敏度，宽检测量程，高可靠性的压力传感器的制造。 已经完成电容式和压阻式压力传感器的研制，完成不同类型传感器的正面和背面工艺开发。 形成面向压力传感器件的 MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司压力传感器制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。MEMS热汽泡喷墨打印制化。 能及可靠性。 域客户的制造需求。 增加新的业务增长点。霍尔/磁隧穿磁性传感器制造技术 开发消费类、工业、车载霍尔/磁隧穿磁性传感器，以实现国产化的高精度的霍尔磁性传感器。 已完成全工艺流片，且在客户端已经与 ASIC搭配测试出优异的性能，目前正在进行重复性验证。 实现高灵敏度的 MEMS磁性传感器的量产，服务满足工业的需求。 发挥公司原有技术积累，促进公司 MEMS 磁性传感器制造业务的发展。8英寸硅基GaN制造技续优化。 形成面向消费类和工业芯片的量产。 开辟新的领域，促进公司硅基 GaN 业务模块的发展，实现该品类的全面发展，为公司增加新的业务增长点。3D电容MEMS器件制造传统的陶瓷电容。 产品全流程晶圆已经开发完成，初步达到客户预期，通过了客户的晶圆级和性能测试，正在进行可靠性验证。 服务并满足来自消费电子领域客户的制造需求，实现国产 3D 电容芯片的量产。 有利于发挥公司技术积累，开拓新的 MEMS 应用领域，促进公司相应代工业务发展，为公司增加新的业务增长点。MEMS光交换器件制造技术 掌握微镜阵列器件的关键制造技术，以 MEMS工艺技术实现高灵敏度、高可靠性的微镜阵列集成。 第一款产品已通过验证，已经进入小规模试产阶段。其余不同规格艺优化阶段。 形成面向微镜阵列的MEMS 工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自设计厂商的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司 OCS 光交换器件领域相关业务的发展。新型MEMS硅光子器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型硅光子器件的生产制造工艺。 已实现 MEMS-OCS 的量产，正结合不同市场的客户需求进行工艺迭代开发。 丰富 MEMS 硅光子器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自通信、消费电子领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在 MEMS硅光子器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS医学器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对超声、压力、微针、芯片实验室等医学器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富 MEMS 医学器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自生物医疗各细分领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在 MEMS医疗器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS红外器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型红外器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富 MEMS 红外器件工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自生物医疗、工业汽车领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在 MEMS红外器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS超声波换能器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型超声波换能器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富 MEMS 超声波换能器件（包括电容式 CMUT和压电式 PMUT）工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自生物医疗、工业汽车、消费电子领域设计厂商的代工需求。 进一步巩固公司在 MEMS超声波换能器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。新型MEMS惯性器件制造技术 基于已有经验进一步研发针对新型惯性器件的生产制造工艺。 风险生产阶段。 丰富 MEMS 惯性器件（包括加速度计和陀螺仪）工艺开发及晶圆制造能力，服务并满足来自消费电子、工业汽车领域设计厂商的代工需 进一步巩固公司在 MEMS惯性器件代工领域的竞争优势，促进公司相应代工业务的发展。求。MEMS气体传感器研发 验证气体传感器全链条的关键技术，开发低功耗高灵敏度的气体传感器。 进一步优化了微加热板加工工艺；继续对气敏材料在微加热板上的不同沉积方法进行试验、优化，开展相应的传感器性能测试。 完成与合作单位申请的气体传感器项目，将开发的气体传感器给应用方送样验证。 为其最终实现产业化铺垫基础，推进公司与高校对气体传感器的联合研发和成果转化。MEMS气体流量开关制造量开关传感器的制造。 根据腔体厚度、器件尺寸等新版设计，对器件工艺大流程进行工艺设计，参数调整，并开始制备样品晶圆。 提高 MEMS 气体流量开关的工艺开发及晶圆制造水平，服务并满足来自消费电子等领域客户的制造需求。 充分发挥 MEMS 尺寸小、性能优良、一致性高等特点，促进公司在MEMS 气体流量开关制造业务的发展。基于MEMS工艺的微型天线制造技术 基于高频微空腔传输结构技术，研发用于高频通信的微型天线/阵列天线。 在基于 MEMS 技术的微型天线电磁仿真完成、MPW 掩膜版设计完成后，正在进行流片。 进一步形成面向高频通信器件的多系列 MEMS高频微型天线；服务并满足来自设计厂商对高频微器件的制造需求。 开辟具备巨大市场潜力增加新的业务增长点。高性能氮化镓器件产业化应用 解决目前制约氮化镓器件在服务器、数据中心以及消费电源端产业化应用面临的技术难题。 继续在功率器件的推广应用方面推进。 建设高性能氮化镓器件制造平台，开发出具有自主知识产权的氮化镓功率器件和电源模块。 开辟具备巨大市场潜力的新产品领域，促进公司氮化镓器件制造业务的发展，为公司增加新的业务增长点。持续性研发活动-MEMS工艺研发 根据行业发展趋势及客户需求，围绕硅/金属通孔、晶圆键合及深反应离子刻蚀工艺以及压电材料、磁性材料及聚合物材料等进行研发。 聚焦于多晶圆永久键合工艺温度梯度、应力控制等。 进一步提高 MEMS 代工领域技术壁垒，巩固竞争优势，不断提高工艺开发及晶圆制造水平。 有利于公司 MEMS 业务的继续增长。先进MEMS工艺设计与服务（北京市工程研究中心） 开展共性关键单点工艺技术研发、共性关键集成工艺技术研发、MEMS晶圆级生产制造工艺技术研发，推动6寸MEMS产品量产的连贯衔接。 MEMS 器件的晶圆级剥离技术开发取得重大进展，剥离工艺流程进一步优化。在此基础上，器件的整晶圆剥离方案（2 种）已提出，并设计在 MEMS 毫米波器件的第四板设计里。 搭建先进 MEMS 工艺研发体系，打造中试公共服务中心，引进吸收国际先进 MEMS 代工技术，为国家、北京市相关重大战略任务、重点工程提供研发和试验条件，推动重大科技成果在京转化落地。 推动公司 MEMS 晶圆级生产制造工艺技术研发，提供多品种小批量MEMS 工艺定制化服务平台，为公司增加新的业务增长点。MEMS器件晶圆级集成封生产能力。 MEMS 器件的 3D 集成封装设计已完成。新设计改善了器件在整个晶圆的分布，结构布局、应力分布更加合理。这将利于晶圆集成工艺（特别是电镀工艺）的实施。 形成 MEMS 器件及晶圆级集成封装制造能力，服务并满足来自封装客户的制造需求。 开辟公司在 MEMS 器件及晶圆级集成封装的新业务领域，促进公司相应封装业务的发展。MEMS多高频器件三维晶圆级异质异构集成关键三维晶圆级异质异构集成关键技术（厚硅高频TSV、晶圆级共晶永久键合等）研发，形成相关晶圆级异质异构集成的成套工艺。 完成复杂多 MEMS 高频器件异质异构集成设计。相应制造工艺流程和优化完成，正在进行验证流片。 建立公司三维 MEMS 高频器件晶圆级异质异构集成工艺平台；制备相应的集成样品晶圆。 建立 MEMS 高频器件制造平台；拓展公司 MEMS相关技术积累，为公司5G+、6G 和太赫兹通讯时代到来，做好相应工艺技术准备。集成电路数字单元版图自动化设计项目研发 开发提高集成电路设计效率的集成电路数字单元版图自动化设计工 已经完成了常用数字单元的收集整理，基于这些单元实现了版图的自 针对复用性比较高的数字单元，进行版图特征的抽象提取，开发工具 有利于发挥公司的技术积累，赋能公司的集成电路后端设计服务业具。 动生成功能。 自动生成版图。 务，促进公司业务增长。集成电路鳍栅及围栅器件的RC寄生参数提取EDA软件研发 掌握基于鳍栅及围栅器件的电阻电容建模方法学，实现对集成电路后端版图设计中的鳍栅器及围栅器件的寄生电阻和电容的抽取。 实现了对特定工艺下鳍栅及围栅器件的后端寄生参数提取。 完善公司的寄生参数提取 EDA 软件功能，支持更多的集成电路制造工艺。 开辟具备巨大市场潜力的集成电路 EDA 设计工具领域，促进公司 EDA业务领域的发展。C341B高压降压开关控制器的研发 掌握基于高压工艺的集成电路后端设计关键技术，结合已有的设计经验，完善公司的技术储备。 实现了整个功能的完整开发，通过了最终的物理验证。 支持宽输入的电压范围，并且在此基础上有精确电压控制和快速的动态响应。 有利于发挥公司技术积累，开拓新的设计服务领域，促进公司相应业务发展。基于先进RDL工艺的射频集成无源芯片设计与射频电路的需求。 已完成亚微米 RDL 工艺金属层、介质层沉积与布线图形形成的核心技术路线论证，完成多功能集成无源器件的原理设计与仿真验证，后续研究基于三维 RDL 互连的异质集成方案预研，完成关键互连结构的可行性分析。 实现高品质亚微米 RDL工艺设计能力，建立基于 RDL 的异质集成射频芯片封装技术研究平台。 有助于公司在先进封装与射频集成领域形成核心技术壁垒，促进业务规模与盈利能力持续增长。集成电路模拟IP版图AI自动布局技术研发 开发基于 AI 的集成电路模拟 IP 版图自动布局技术，解决传统模拟版图设计依赖人工经验、效率低、周期长的痛点，提升模拟 IP 版图设计的自动化水平与设计效率，缩短产品研发周期。 已完成模拟版图布局规则与约束的数字化建模，搭建了基于深度学习的版图布局预测模型，可对特定模拟 IP模块进行初步自动布局生成。 实现对特定模拟 IP 模块的 AI 自动布局生成，布局结果接近人工水平，降低人力成本，形成可复用的 AI 布局技术平台。 有助于公司在模拟集成电路设计领域建立核心技术优势，提升项目交付效率与客户满意度，增强市场竞争力与可持续发展能力。集成电路高性能工艺库求。 已完成特定工艺 SOI 及FinFET 工艺节点的工艺角参数采集与建模，搭建了工艺库特征化提取平台，启动 STD 标准库核心单元的电路设计与版图绘制。 完成高性能 STD 库的全流程开发与验证，库单元的关键指标达到先进主流水平，支持主流EDA工具。 助力公司突破先进制程工艺库核心技术壁垒，拓展先进制程设计服务市场，促进公司业务增长。集成电路数字标准单元设计自动优化系统 开发一套提升数字电路设计性能的自动化流程，通过数据仿真、算法优化与对比分析，提升数字单元性能，达成产品性能更优、尺寸更紧凑的设计目标，增强产品竞争力。 已完成特定工艺下数字标准单元的基础数据采集与仿真建模，搭建了自动优化算法框架，实现对单元延迟、功耗、面积的多目标优化迭代。 完成一套集成电路数字标准单元设计自动优化系统，形成可复用的优化流程与工具链，可快速移植到其他工艺节点，提升数字单元设计的整体效率与性能。 有助于公司在成熟工艺平台上建立数字标准单元优化的核心技术优势，促进公司数字设计业务增长。报告期内，公司完成对瑞典Silex控制权的出售及对展诚科技的收购，研发人员构成发生变动。研发投入总额占营业收入的比重较上年发生显著变化的原因适用 □不适用报告期内，公司研发投入虽有所下降，但北京亦庄MEMS量产线依然保持了较高的投入强度；此外，报告期内公司完成原全资子公司瑞典Silex控制权的出售，营业收入规模下降，综合导致报告期内研发投入总额占营业收入的比重上升。研发投入资本化率大幅变动的原因及其合理性说明□适用 不适用公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求:截至报告期末，公司已注册集成电路商标 14 件；累计拥有/享有集成电路软件著作权 52 项，各项集成电路专利 66项；正在申请的集成电路专利146项，具体如下：
1、集成电路商标
2、集成电路软件著作权
3、集成电路专利
4、集成电路专利（正在申请）
一种芯片 2024101149549 发明专利 2024/1/26 原始取得 赛莱克斯北京 中国
58 MEMS 微振镜的导线结构及制备方法、MEMS 微振镜 2024102270920 发明专利 2024/2/29 原始取得 赛莱克斯北京 中国
59 微机电器件的制作方
法、及微机电器件 2024102737139 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
60 一种电子器件的制备方法及电子器件 2024102736386 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国61 MEMS 硅腔的刻蚀装置及刻蚀方法 2024102737891 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
62 一种光刻机的工艺控制
方法及光刻机 2024102735877 发明专利 2024/3/11 原始取得 赛莱克斯北京 中国
63 一种晶片膜层表面处理
方法、晶圆的制备方法及晶圆 2024104270770 发明专利 2024/4/10 原始取得 赛莱克斯北京 中国
64 基于聚酰亚胺的光刻工
艺参数确定方法 2024104591428 发明专利 2024/4/17 原始取得 赛莱克斯北京 中国
65 一种电子器件的制备方
法及电子器件 2024108329222 发明专利 2024/6/25 原始取得 赛莱克斯北京 中国
66 一种平板电容器及其制
作方法 2024108234167 发明专利 2024/6/25 原始取得 赛莱克斯北京 中国
67 一种晶圆的键合切边方
法及键合晶圆 2024104844347 发明专利 2024/6/26 原始取得 赛莱克斯北京 中国
68 微同轴结构腔体释放方
法及微同轴结构晶片 2022115866251 发明专利 2022/12/9 原始取得 赛莱克斯北京 中国
69 一种芯片的制备方法 2023117878811 发明专利 2023/12/22 原始取得 赛莱克斯北京 中国
70 高灵敏度嵌套轮环单片
三轴MEMS陀螺芯片 2024108125564 发明专利 2024/6/22 原始取得 赛莱克斯北京 中国
71 全解耦四质量对称单片
三轴MEMS陀螺芯片 2024108125899 发明专利 2024/6/22 原始取得 赛莱克斯北京 中国
72 MEMS芯片的制备方法 2024108634352 发明专利 2024/6/29 原始取得 赛莱克斯北京 中国
73 一种电子器件的制备方
法及电子器件 2024112907850 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯北京 中国
74 一种电子器件的制备方 2024112909165 发明专利 2024/9/14 原始取得 赛莱克斯北京 中国
法及电子器件
一种晶圆腔体制备方法
一种掺钪氮化铝薄膜的
一种芯片散热装置及制
一种MEMS 微同轴功分器
一种集成氮化镓及驱动
系统的封装结构及电路
法、及通孔结构
一种半导体器件的制备微同轴传输结构、制备一种射频芯片与天线的一种差分传输结构的制圆的键合方法及器件芯一种硅转接板的制备方一种硅基衬底刻蚀方法一种同轴电缆、同轴电一种微同轴结构及制备一种光敏传感器及其制一种三维互连结构及其一种MEMS 微镜器件、微片气体传感器及其制备一种带悬浮金属的电容一种面向多工艺角的集一种基于电路拓扑结构
5、现金流
1、本报告期，公司经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少 103.91%，主要是因瑞典 Silex 自2025年 8 月起
不再并表，公司销售商品、提供劳务收到的现金较上年同期减少所致； 2、本报告期，公司投资活动产生的现金流量净额较上年同期增加 271.82%，主要是因公司处置子公司及其他营业单位（主要为瑞典Silex）收到的现金净额较上年同期增加所致；
3、本报告期，公司筹资活动产生的现金流量净额较上年同期增加 939.58%，主要是因公司本年取得借款收到的现金
较上年同期增加所致；
4、本报告期，公司现金及现金等价物净增加额较上年同期增加593.32%，为以上因素共同作用的综合结果。
报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 适用 □不适用
报告期内公司经营活动产生的现金净流量为-13,906,760.08元，本年度净利润为 1,388,434,832.63元，两者差异-1,402,341,592.71元：
1、影响净利润但不涉及经营活动现金流量的非经营性项目：此部分导致公司经营性现金流较净利润减少合计2,129,216,217.87元，主要为投资收益、财务费用等；
2、影响净利润但不涉及经营活动现金流量的经营性项目：此部分导致公司经营性现金流较净利润增加合计684,255,495.89元，主要为资产减值损失、信用减值损失、资产折旧与摊销、股权激励费用、递延所得税资产/负债增
减变动等；
3、不影响净利润但涉及经营活动现金流量的经营性项目：此部分导致公司经营性现金流较净利润增加合计42,619,129.27元，主要为经营性应收应付项目的增减变动、存货的增减变动、递延收益的增减变动等。
五、非主营业务情况
适用 □不适用
主要因报告期出售瑞 否，公司出售全资子公司控
货跌价准备所致。 资产进行减值测试，谨慎客观地反映资产情况。主要因报告期取得非 否，非经营性收入不具有可经营性收入所致。 持续性。否，相关支出受公司实际经主要因报告期产生非营业外支出 115,893.69 0.01% 营环境及资产状况影响，不经营性支出所致。具有可持续性。否，能否获得政府补助需要主要由与日常活动相关的政府补助产生。批。否，公司仍将严格按照相关主要因报告期计提坏 会计准则及会计政策对公司账准备所致。 资产进行减值测试，谨慎客况影响，不具有可持续性。致。
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
典Silex股权，丧失
合并报表范围所致。合并报表范围所致。进行重新计量所致。主要因报告期出售瑞典Silex股权，丧失对其控制权不再纳入等共同所致。主要因报告期“MEMS先进封装测试研发及所致。行借款增加所致。租业务增加所致。主要因报告期出售瑞典Silex股权，丧失合并范围。主要因报告期公司子收款项所致。主要因报告期收购展诚科技股权，取得其致。主要因报告期收到应典Silex股权，丧失对其控制权不再纳入合并报表范围所致。主要因报告期出售瑞典Silex股权丧失对其控制权，相关商誉进行转出；收购展诚科技股权取得其控制权确认相关商誉。主要因报告期待摊装修费用增加所致。主要因报告期出售瑞典Silex股权，丧失合并范围。主要因报告期使用票典Silex股权，丧失合并范围。主要因报告期出售瑞典Silex股权，丧失对其控制权不再纳入合并范围；报告期收范围，且其年末计提年终奖综合所致。主要因报告期出售瑞典Silex股权，丧失合并范围。主要因报告期确认应诚科技股权，根据协的应付款。主要因报告期确认应典Silex股权，丧失合并范围。主要因报告期出售瑞对其控制权不再纳入合并范围。主要因报告期提取盈余公积所致。主要因报告期收购赛□适用 不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
其他变动主要是因报告期出售瑞典Silex控制权，报告期末不再纳入合并报表范围。
报告期内公司主要资产计量属性是否发生重大变化
□是 否
3、截至报告期末的资产权利受限情况
截至报告期末，公司权利受限的资产主要包括通过融资租赁方式买入的产线机器设备及电子设备期末账面价值37,447.21万元，用于并购贷款质押的展诚科技56.24%股权和赛莱克斯北京9.5%股权。
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
公司在报告期内涉及的重大投资项目，主要是境内产线的产能扩充（相应的设备采购），相关投资随业务订单及产能扩
充需求处于持续发生状态，境内子公司的资金来源于自有及自筹资金。该等投资有利于公司提高半导体代工服务能力、促进公司半导体代工业务的发展。
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
适用 □不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
适用 □不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
□适用 不适用
公司报告期不存在证券投资。
（2） 衍生品投资情况
适用 □不适用
1） 报告期内以套期保值为目的的衍生品投资
适用 □不适用具体原则，以及与上一 报告期公司衍生品的会计政策及会计核算具体原则上与上一报告期相比未发生重大变化。报告期相比是否发生重大变化的说明报告期实际损益情况的对公司本期实际损益影响金额较小。说明通过外汇衍生品交易业务能够提高积极应对外汇波动风险的能力，更好的规避汇率风险，增强公套期保值效果的说明司财务稳健性。衍生品投资资金来源 自有资金。
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