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新洁能(605111)经营总结
截止日期2023-12-31
信息来源2023年年度报告
经营情况  一、经营情况讨论与分析
  报告期内,公司共实现营业收入 147,656.14万元,较去年同期减少 18.46%;其中主营业务收入 147,083.92万元,较去年同期减少 18.51%;归属于上市公司股东的净利润 32,311.63万元,较去年同期减少 25.75%。
  (一)市场营销
  2023年以来,公司下游应用市场的整体景气度较长一段时间延续了2022年第四季度以来的下行趋势,主要系经济环境下行导致下游需求减弱、国内晶圆代工厂更多产能释放以及功率半导体行业竞争加剧等多方面因素影响所致。同时,伴随着国际形势的不断恶化、国际半导体厂商从原本追逐高毛利到与中国半导体品牌开展价格竞争,公司面临着新的挑战。基于此,公司积极应对市场变化和响应客户需求,积极筹划并寻找更多的新市场新客户机会,利用技术和产品优势、产业链优势等,持续优化产品结构、市场结构和客户结构,将产品导入并大量销售至新能源汽车和充电桩、光伏和储能、AI服务器和数据中心等新兴领域客户,并开发出更多的行业龙头客户,进一步扩大了公司在中高端市场的应用规模及影响力。
   产品结构方面:
  (1)IGBT产品作为光伏储能行业的重点应用产品,由于2023年公司的主要下游光伏储能客户处于消化库存阶段,整体处于供大于求的状态。公司积极调整结构应对下游变化,拓宽了更多的应用领域,加大了对于变频、小家电、工业自动化、汽车等领域的销售力度,但受到报告期内光伏储能需求减弱的影响,整体 IGBT产品的销售仍然呈现下滑状态。2023年公司的 IGBT产品实现了销售收入 2.66亿元,比去年同期下滑了 33.97%,销售占比从去年的 22.33%下降到今年的 18.09%。公司预计2024年光伏需求会有所回暖、进而促进 IGBT产品的销售回升,其他变频、小家电、汽车等领域的 IGBT产品销售规模亦将进一步扩大。
  (2)SGT-MOSFET产品为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台,受到的市场波动影响也较大。对于此,公司一方面持续加大研发投入,持续实现产品平台的升级与型号拓展;另一方面主动参与到市场价格竞争中,给客户提供更具性价比的产品方案,并加强与客户的沟通与服务,进一步提高客户的黏性,促进在重点领域的销售规模和市场份额扩大。
  如:在新能源汽车领域,公司已经覆盖比亚迪汽车的全系列车型,在国产供应商份额中处于领先地位并不断放量,与联合电子、伯特利等 tier1厂商实现深入合作,导入到哈曼卡顿、法雷奥等国际 tier1厂商;在 AI服务器领域,公司已经在行业头部客户实现批量销售,并将进一步放大规模;其他如视源股份等家电客户、明纬电子等工控客户,公司持续实现销售份额的提升;大疆无人机、卧龙电驱、商络电子等其他新兴应用领域客户,公司亦在不断加强深入合作。公司的 SGT-MOSFET产品2023年实现了销售收入 5.46亿元,比去年下降了 19.80%,主要系受到之前产品价格波动的影响,但产品的整体销量上保持了稳健向上趋势;销售占比相对稳定,为 37.11%。随着公司在汽车电子、AI服务器、无人机等下游新兴应用领域客户销售规模的进一步扩大,预计公司2024年SGT产品的销售规模将得以进一步提升。
  (3)SJ-MOSFET产品方面,2023年实现销售收入 1.84亿元,相比去年减少了 13.56%,销售占比从去年同期的 11.83%提升至 12.52%。公司 4代 SJ MOS产品系列型号齐全,已经开始批量交付,2024年公司将全面开展 SJ MOS产品从 3代到 4代的替换,并加大对于 AI服务器和数据中心、汽车 OBC、充电桩等领域的推广,以进一步促进 SJ MOS产品的销售,成为公司新的业绩增长点。
  (4)Trench-MOSFET作为公司持续量产时间最长的成熟工艺平台,面临的客户群体众多,应用模式多样,长期积累的客户群体广泛,对于公司产品有长期信任的基础,但市场波动对Trench-MOSFET的影响也大,公司积极采取了让利保市场的策略,并进一步促进了销售规模。2023年 Trench MOS产品实现销售收入 4.54亿,相比去年下降了 9.34%,但销售数量和市占率获得显著提升,其销售占比从2022年的 27.79%提升至2023年的 30.84%。 市场结构和客户结构方面: 2023年公司坚守稳固已有客户,开拓更多市场应用,一方面积极挖掘原有市场客户的合作机会,通过对客户黏性的加强以促进更多产品料号的导入;另一方面,公司积极探索新的下游应用领域,在新能源汽车、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机等重点新兴应用领域不断加大投入,推动和客户的战略合作,增加客户对公司品牌的认可度,进而形成战略互补深度合作,以获取更大的市场份额提升。汽车电子领域:公司目前已经推出 200款车规级 MOSFET产品。2023年以来,公司与比亚迪的合作转向直供,并应用至比亚迪的全系列车型中,持续扩大销售规模,实现了多款产品的大批量供应;同时对联合电子、伯特利等国内头部 Tier1持续规模出货,截至目前,公司已经获得联合电子 20多个汽车电子项目的定点通知书,合作时间从2024年持续到2029年。公司的产品涉OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心系统。公司目标成为汽车市场国产品牌出货品种最多,出货数量最大的功率器件设计公司。未来公司在汽车电子产品的整体销售规模和占比预计得以快速提升。光伏储能领域:相比于去年同期,2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等,报告期内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑,同时国内外 IGBT产品供应商的产能增加,市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状,公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作,及时了解市场波动及客户需求情况,提供更具性价比的合作方案;另一方面加强新产品的开发,积极推动更多大电流单管 IGBT和模块产品的放量进度,在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时,推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖,将有力支撑公司业绩的进一步向好。AI服务器领域:2023年以来,随着国内外厂商加速布局千亿级参数量的大模型,训练需求及推理需求高速增长,共同驱动算力革命,助推 AI服务器市场及出货量高速增长。公司及时跟进响应市场需求,一方面,公司产品持续在传统服务器领域发力,以获取更多的市场份额;另一方面,公司利用自身优势,围绕 AI算力服务器的相关需求开发产品,并积极开发下游客户,目前公司的相关产品已经在 AI算力领域头部客户实现批量销售,且将进一步快速增长。
  (二)研发创新
  2023年度,公司实现研发投入 8,731.42万元,占营业收入的比例为 5.91%。截至目前,公司共有专利 196项,其中发明专利 86项(不含已到期专利)。2023年全年新增产品 600余款。
   IGBT平台:
  1)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V大饱和电流的中高频系列产品已经通过内部测试,正在进行客户端导入测试,产品交直流参数已经达到预期水平,正在同步做良率优化,同系列光伏逆变应用的业界最大电流 TO-247 Plus封装单管产品 1200V 160A产品正在进行客户应用验证,650V 200A单管样品已完成直流参数验证,正在进行交流参数验证; 2)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 650V和 1200V高短路能力低频系列产品已完成直流参数验证,正在做交流参数优化;
  3)第七代微沟槽高功率密度 IGBT平台的 800V、1000V、1400V系列已完成直流参数验证,符合设计预期,正在进行交流参数验证;
  4)IGBT并联 SiC二极管产品已通过客户验证,开始批量出货;
  5)具有不同反向恢复特性的 600V和 1200V FRD系列产品已经全部进入量产,其他电压平台正在开发流片中。
   SJ MOS平台:
  1)第四代超结 MOS(SJ MOS)平台在 8寸和 12寸都已进入全面稳定量产,500V、600V、650V系列产品在高能效大功率电源、新能源汽车 OBC、充电桩、工业变频、家电、消费类电子等市场都已持续批量出货;
  2)在现有量产的第四代超结平台上,针对 600V和 650V电压平台进一步创新进行特征导通电阻(Rsp)优化,相较于第四代产品,器件 Rsp进一步降低 12%,该系列新增加产品型号超过30款,已经进入量产阶段;
  3)搭载快速恢复体二极管的第四代 800V深沟槽 SJ MOS平台 140mΩ产品交直流参数已经达设计预期,器件 Rsp相较于三代产品降低 35%,产品正在进行良率提升和终端客户应用测试; 4)第五代SJ MOS平台工程流片中,650V产品Rsp可以降低至0.95欧姆每平方毫米(Ω.mm2),目前已经通过 1000小时以上可靠性考核,正在进行客户验证和良率提升。
   SGT MOS平台:
  1)针对车规应用的 P沟道 150V SGT MOS平台完成车规认证,参数性能达到业界领先水平,已进入量产阶段;
  2)具有业界最小单位元胞尺寸(Cell Pitch)的 N沟道 30V第三代 SGT MOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低 39%,正在持续进行同平台不同电流规格和封装外形产品拓展; 3)具有业界最小单位元胞尺寸的 N沟道 40V第三代 SGT MOS平台实现量产,Rsp相较于上一代产品降低 26%,代表产品已完成车规认证,正在进行不同电流规格和封装外形系列产品拓展; 4)上述 N30V~N40V第三代 SGT MOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、大功率数据中心、AI服务器、通信电源、工业电源、电池化成、新一代高功率密度电动工具等行业应用;
  5)达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N沟道 150V 第三代 SGT MOS平台实现量产,正在进行车规认证,器件核心综合性能优值(FOM)较业界同规格最优竞品降低达 25%以上,产品主要针对 A0级新能源车电驱系统、新能源车车载充电器、车载逆变器、光伏微逆系统、通信电源、服务器电源、植物照明系统等行业应用;
  6)基于 12寸平台,达到业界领先水平的 FOM、高鲁棒性 N沟道 60V、85V、100V第三代SGT MOS均完成工程验证,产品正在进行可靠性评估,以 100V产品为例:器件 Rsp相较于同规格最优竞品小 20%以上,栅极电荷(Qg)较同规格最优竞品降低 15%以上,器件 FOM较同规格最优竞品降低达 30%,产品主要针对混动新能源车 48V系统、车载空调、工程机械专用车辆主驱电控、AI服务器、工业自动化控制电源、工业/农业大功率无人机电调及锂电保护、轻型四轮电动车电控及锂电保护等行业应用。
   Trench MOS平台:
  1)针对汽车应用,基于 8寸平台完成了具有创新结构的高可靠性 P沟道 60V~200V设计与工艺固化,系列产品全面量产,多款产品通过车规认证,后续会衍生开发 P沟道 30V~60V产品平台; 2)具有高元胞密度(0.75um Cell Pitch)的第五代 P沟道 20V~40V产品平台开发完成,以P40V为例,器件 Rsp相较于上一代降低 31%,系列产品全面量产并持续拓展规格型号; 3)具有超高元胞密度(0.55um Cell Pitch)第七代 N沟道 12V~20V产品平台工程开发中,正在进行成品级测试和可靠性考核评估;
  4)应用于智能手机和智能可穿戴设备的具有超高元胞密度的 12V~24V CSP MOS系列产品已完成工艺开发和终端客户评测;
  5)基于 12寸平台完成多款车规级产品开发,产品批量交付汽车客户; 6)12寸 N沟道 30V、40V全系列产品均已完成平台升级迭代,以 N30V为例,Rsp相较于上一代降低 16%,持续进行系列产品拓展;
  1)公司已开发完成 1200V 23mohm~75mohm和 750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品,新增产品 12款,相关产品处于小规模销售阶段;
  2)650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、 650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成,新增产品 2款,产品各项电学参数指标达到国内领先水平,项目产品通过可靠性考核,100V/200VGaN 产品开发中。
   汽车电子平台:
  SGT MOS、Trench MOS、SJ MOS、IGBT四大产品平台中已有 140余款典型产品基于 APQP完成了产品开发,通过了 AEC-Q101车规可靠性考核,另有 70余款产品认证中。其已开发完成的电压范围覆盖了 P20V、P30V、P40V、P60V、P100V、P150V、P200V、N30V、N40V、N60V、N85V、N100V、N120V、N200V、N250V、N150V、N650V、N1200V等,且在持续扩充增量中。
  公司的车规产品已大批量交付近 90家 Tier1厂商及终端车企,除域控制器、主驱电控、发动机冷却风扇、刹车控制器、自动启停、油泵/水泵、PTC、OBC等应用外,在线控刹车系统、车身控制模块、变速箱控制器、电控悬架等动力安全领域已实现大规模应用。
  公司将持续基于 IATF16949汽车质量管理体系对车规产品的整个生命周期进行管理。在顾客导向过程中,基于客户的需求,运用 APQP,PPAP,DFMEA等工具实现满足客户需求的车规产品的开发。在资源管理过程中,基于管理评审、经营计划等,协调各方面资源配置保证车规产品快速高质量生产。在客户支持过程中,基于 VDA6.3/VDA6.5对产品的过程及成品进行验证,包括可靠性的测试、车规设备的认证、人力资源的支持和预见性维护和保养等,通过管控关键的生产过程来保证车规产品质量。公司致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。
  报告期内,公司进一步加大了研发方面投入,积极扩充研发团队,不断通过外部引进和自主培养等方式培育高端技术人才,并积极引入高学历人才,以进一步加强新能源光储充、汽车电子、工业自动化、AI服务器与数据中心,以及半导体功率模块产品的开发力度。
  (三)生产运营
  报告期内,公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。2023年以来,随着市场环境的波动以及上游更多产能的释放,公司的运营部门持续做好供应链协调工作以及产品降本工作,确保公司供应链稳定供货。同时,公司从芯片代工、封装测试各个环节都保证了产销衔接及产能调配,与各主要供应商继续保持良好合作关系,并开发更多的封测领域供应商,为后续进一步加强合作提供了供应保障。
  2023年芯片代工供应稳定,同时公司已开发第三代半导体产品的芯片代工厂,目前 SiC MOSFET产品和 GaN HEMT产品均已实现工程产出。其他部分工作完成如下:1)项目管理试点推行(比亚迪专项、光伏专项)达成预期;2)降低封装成本,针对十余家封装厂进行全面议价;3)完成 STOLL、双面散热等新品引入;4)配合完成汽车电子客户审核导入及普通产品封装厂巡线工作;5)细化未投料产品生产管理,有效缩短生产周期等。
  (四)子公司建设
  1、电基集成
  公司的全资子公司电基集成,致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品。一直以来电基集成特别注重车规级封测产线的建设与管理,并在2023年顺利通过 SGS IATF 16949体系换证审核。
  2023年,电基集成全面提升组织的 ISO14001环境管理体系、ISO45001 职业健康安全管理体系和 IECQ QC080000有害物质管理体系的系统化和执行效果;深化改革公司的 EAP设备自动化系统、TMS 测试管理系统和条码系统,加快建设智能工厂和数字化车间建设,为公司持续发展提供了源源不断的动力,推动公司向更高标准和更专业的方向发展。
  SOP8和 PDFN3.3x3.3 等新封装形式目前处于小批量阶段,sTOLL等无引脚先进功率封装处于设备调试状态。
  2、金兰半导体
  公司的控股子公司金兰功率半导体(无锡)有限公司,其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子(含新能源)、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛,金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展,成为公司发展道路上新的业绩增长点。
  目前公司已建立一支完整的包括产品开发,工艺技术,设备维护的技术团队,该团队大部成员具有十几年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验,并拥有优秀的生产品质管理经验。截至目前,金兰已经完成建设第一条 IGBT模块的封装测试产线,生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备,满产后可达到产能 6万个模块/月。计划2024年开始按车规要求升级产线,满足车规产品的生产要求,并逐步通过车规质量体系 IATF16949审核。
  产品开发方面:
  (1)开发完成:基于 650V和 1200V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片,多款模块产品完成开发。其中应用在 110KW光伏逆变器上的第一款产品 450A/650V已通过内部可靠性测试,客户测试正在进行中;应用在集中式逆变器上的产品 600A/1200V开发完成,通过内部可靠性测试,客户测试正在进行中;应用于车用冷却泵控制的产品 50A/1200V已通过客户测试,即将开始小批量生产。
  (2)正在开发:基于650V和1000V产品平台,使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片,多款应用于光伏储能/光伏逆变领域的 IGBT模块产品正开发。包括应用于光伏储能的 100KW模块 300A/1000V、125KW模块 400A/1000V、215KW模块 600A/1000V ; 应用于光伏逆变的 150KW模块 600A/650V、320KW升压模块 600A/1000V 和 320KW逆变模块 600A/1000V。以上产品将在2024年上半年完成开发并送客户测试验证。
  金兰2023年申请专利 13项(其中 2项为发明专利),已授权 2项实用新型。
  3、国硅集成
  公司的控股子公司国硅集成电路技术(无锡)有限公司,致力于智能功率集成电路芯片的设计,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来,国硅进一步加强了研发与生产质量的建设与管理,并顺利通过 ISO9001体系认证。
  目前,国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 18款,适用于光伏 MPPT应用,家电 PFC应用;量产 40V桥式驱动系列产品 4款,适用于中小功率风机、中低压水泵;量产 250V半桥驱动芯片 15款(2023年新增 9款),适用于智能短交通、电动工具应用;700V半桥驱动芯片 16款(2023年新增 10款),适用于储能、工业控制等应用;相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。2023年新增高侧驱动、马达驱动两条产品线(推出 6款新品),适用于重卡、高速电摩、BMS锂电控制、智能家居等应用。
  国硅2023年通过国家高新技术企业、国家级科技型中小企业、创新型中小企业、无锡市“专精特新”企业、无锡市“雏鹰企业”等认定。2023年获得无锡市科技局“太湖之光”科技攻关(产业前瞻及关键技术研发)立项、无锡市工信局集成电路产业发展资金项目立项、无锡市人社局“创响无锡”项目立项,并顺利通过2023年度的江苏省“双创人才”拨款考核。
  国硅集成2023年度新增授权知识产权 12项;当期申报专利 16项,其中发明专利 4项,实用新型 5项,集成电路布图 7项。
  (五)内部管理
  2023年度,公司继续不断完善内部治理,建立健全公司内部控制制度、内部流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步整合优化各项制度流程,提升组织能力与运营效率;根据资本市场规范要求,提升公司规范运营和治理水平;严格按照相关法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披露的及时、真实、准确和完整;认真做好投资者关系管理工作,通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通,以便于投资者全面获取公司信息,树立公司良好的资本市场形象。
  (六)资本市场
  公司围绕整体发展战略,持续关注外延式扩张机会,主要目标集中在产业链相关领域,通过对一些国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资,进行积极的横向与纵向资源整合,最大程度发挥协同效应,进一步加强与客户之间的合作黏性,有利于公司更好地契合下游市场,更精准地开发新品并进行快速推广,以增强公司的核心竞争力,提升长期盈利能力,创造更多的经济效益与社会价值。
  2023年上半年,公司与无锡临芯投资有限公司共同投资设立无锡临尚创业投资合伙企业(有限合伙),主要作为公司整合优质项目资源模式的一种探索创新,符合公司未来发展战略规划,有利于抓住行业快速发展的契机,拓宽投融资渠道,整合多方资源,可以进一步增强公司的整体实力。
  2023年下半年,公司参股投资了无锡金源半导体科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司两个项目,该两项投资有利于促进公司的业务横向与纵向协同,以及新技术的开发。
  (七)荣誉奖项
  2023年,公司新增荣誉如下:
  2023年国家级专精特新小巨人企业
  2023年江苏省科技成果转化项目
  2023年江苏省工业和信息产业转型升级专项资金专精特新中小企业能力提升项目2023年无锡市集成电路产业扶持项目
  2023年无锡市高新区(新吴区)飞凤人才基金
  2023年无锡市高新区(新吴区)支持新产品研发项目
  2023年无锡市高新区(新吴区)支持关键人才引进和扎根
  2023年无锡市高新区(新吴区)三类企业认定
  2022年无锡市高新区(新吴区)科技领军人才创新创业项目
  2023年苏南国家自主创新示范区瞪羚企业。
  

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