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| 新洁能(605111)经营总结 | | 截止日期 | 2025-06-30 | | 信息来源 | 2025年中期报告 | | 经营情况 | 二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司共实现营业收入92,970.31万元，较去年同期增长了6.44%；利润总额26,755.02万元，较去年同期增加了8.92%；归属于上市公司股东的净利润23,512.05万元，较去年同期增长了8.03%。
2025年第二季度，公司实现营业收入48,066.35万元，环比第一季度增长7.04%；实现归属于上市公司股东的净利润12,685.05万元，环比第一季度增长17.16%。
（一）市场营销
近两年来，随着半导体国产化进程的持续进行，叠加新能源汽车、AI算力、机器人等新兴应用市场的需求驱动，公司所处行业的部分下游领域景气度有所回暖，国产功率半导体的市场份额逐步提升，库存结构亦得到显著优化，行业整体已逐步走出周期性低谷。然而，从竞争角度来看，市场的竞争激烈程度进一步加剧，一方面国际厂商积极调整策略参与国内市场竞争以期保障市场份额，另一方面国内同行以内卷价格的方式努力扩大自身销售规模，整体来看目前仍然供大于需。
面对机遇与挑战并存的市场环境，公司积极应对变化，响应客户需求，并着力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以及高效的产业链协同，公司持续优化产品、市场及客户结构，产品已成功导入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能等战略领域的头部客户并实现量产销售，进一步扩大了在中高端市场的应用规模与品牌影响力。
此外，公司全球化战略取得重要进展。新加坡研发及销售中心已于上半年正式投入运营，并已开始服务海外客户。该中心的设立为公司深化全球化布局、促进产品升级迭代、拓展海外销售渠道以及有效应对国际贸易政策风险奠定了坚实基础。
产品结构方面：
（1）SGT-MOSFET产品：为公司中低压产品中替代国际一流厂商产品料号最多的产品工艺平台，也是公司综合竞争力最强、销售基数最大、客户群体最多的产品平台。2025年以来，公司SGT第三代产品全系列已成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含车舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源以及新一代高功率密度电动工具等战略领域。报告期内，汽车电子、储能、无人机、电动工具、AI算力服务器等下游领域的需求持续释放，订单保持增长态势。公司积极把握市场机遇，通过深入市场调研，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，动态优化产品及市场策略，并适时扩充产能以保障产品供应。得益于此，公司SGT-MOSFET产品2025年上半年实现销售收入4.19亿元，占主营业务收入比例达45.21%。
（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司IGBT产品的主要应用领域，公司自2024年起持续加强IGBT产品在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步扩大产品的应用范围以相应提高销售规模。2025年上半年，全球光储市场呈现差异化增长态势：一方面，主要客户积极推进机型迭代及新产品开发；另一方面，原有成熟产品市场需求逐步回暖，尤其是受国家光伏储能并网发电政策推动，市场需求一度出现短期集中释放。目前，公司第七代IGBT产品已进入批量供货阶段，并在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，形成一定销售规模。
报告期内，公司IGBT产品实现销售收入人民币1.32亿元，占主营业务收入比例为14.26%。展望下半年，随着光伏储能市场的持续回暖，以及第七代IGBT产品在更多客户处完成验证并实现量产，预计公司的IGBT产品销售将呈现稳步回升态势。
（3）SJ-MOSFET产品：公司的SJMOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等多个领域。2025年上半年，公司在消费类家电、照明等市场实现第四代SJMOSFET产品的快速放量，凭借产品优势持续扩大市场份额。同时，积极加大在汽车OBC、移动储能、服务器电源等应用领域的产品市场推广力度，相关销售取得积极进展。报告期内，公司的SJMOSFET产品实现销售收入1.04亿元，占主营业务收入比例为11.21%。
（4）Trench-MOSFET产品：TrenchMOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具有应用
领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现了多款产品的成功导入与量产销售。但同时，TrenchMOSFET市场竞争亦最为激烈，2025年上半年，公司积极应对市场竞争态势，动态调整产品销售策略，在稳固现有市场地位的基础上寻求更多市场机会。报告期内，TrenchMOSFET产品实现销售收入2.50亿元，占主营业务收入比例为26.95%，同期产品销量实现了5.7%的同比增长。展望下半年，公司将通过协同研发加快新品推广、优化运营降低成本，积极把握市场机遇，推动TrenchMOSFET产品全年销售的稳定增长。
市场结构和客户结构方面：
报告期内，公司持续深耕现有市场，着力提升市场份额，并加大对潜在客户的开发力度。通过深度挖掘客户需求，加速推动潜在客户的验证导入及量产进程。公司坚持“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动的市场战略：一方面深化与国内行业头部客户的战略合作；另一方面以新加坡子公司为核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展海外市场，提升品牌影响力及市场份额。
从具体结构来看：汽车电子领域：截至目前，公司已推出300余款车规级MOSFET产品，报告期内出货量达8,500万颗，产品覆盖汽车电子车身控制域、智能信息域、辅助驾驶域、动力域及底盘域全域控，广泛应用于OBC、DC转换、底盘控制、辅助驾驶等汽车重要模块。同时，公司IGBT产品于报告期内成功导入汽车主控制器应用，并实现月度批量交付。凭借连续多年的高质量稳定交付，公司产品已获得比亚迪、联合电子、伯特利、阳光电动力、威睿等头部车企TIER1&TIER2供应商的高度认可。公司目前重点布局800V高压平台及48V车载系统，车规级SiCMOSFET产品预计将于2025年第四季度实现量产。
工业自动化领域：报告期内，公司相关产品在无人机、电动工具、智能机器人等领域实现高速增长。公司前瞻性布局低空经济产业客户（如大疆等），MOSFET产品作为电能转换与电路控制的核心器件，已广泛应用于无人机电池管理系统（BMS）、电驱动系统等核心部件。伴随智能机器人市场的快速发展与应用场景的消费化落地，公司多款产品已成功导入机器人关节电机驱动系统，并实现对宇树科技等头部客户的批量供货。公司将持续开发适配机器人应用的产品，紧密跟进客户需求迭代，推动该领域销售规模持续提升。
AI算力及通信领域：2025年初Deepseek等AI应用引爆大模型热潮，在AI应用需求激增的推动下，全球半导体行业保持增长态势，国内外众多厂商加速布局千亿级参数大模型。公司紧跟行业发展趋势，一方面在传统服务器电源客户中稳步扩大份额；另一方面，凭借迭代的高性能、高性价比产品，成功导入国内外新兴AI算力服务器客户，并实现海内外市场的批量销售。
光伏储能领域：报告期内，受益于国内光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现复苏态势。公司秉持长期主义理念，着眼全球能源结构转型。面对光伏行业的长周期属性及当前“去产能、去库存、反内卷、格局优化”的发展阶段，公司IGBT产品精准定位于光伏应用，深度服务于阳光电源、德业股份、上能电气、固德威等头部客户。公司在该市场同时布局模块产品和大电流单管产品，以应对客户不同形态的需求。通过细分布局微型逆变器、10-50KW户用及工商业光伏储能逆变器等应用场景，公司在该领域销售额实现稳步增长。
（二）研发创新
2025年1-6月，公司实现研发投入5297.10万元，占营业收入的比例为5.70%。截至报告期末，公司共有专利248项，其中发明专利122项（不含已到期专利）。
SGTMOS平台：
（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台完成设计，开始进行工程流片，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
（2）具有业界最小单位元胞尺寸的N40V第三代SGTMOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至133款，其中车规产品达到56余款。
（3）N40V第三代SGTMOS平台还推出了sTOLL、双面散热DFN5x6先进封装产品，同时双面散热DFN3x3封装产品正在研发中。
（4）N40V第三代SGTMOS产品主要针对汽车车舱域控、汽车油泵/水泵、智能辅助驾驶、AI算力、大功率数据中心、通讯电源、工业电源、新一代高功率密度电动工具等行业应用。
（5）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台实现量产，并且完成车规认证，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在光伏储能、无人机、工控电源领域大批量使用，同时针对新能源汽车OBC、服务器电源、植物照明等领域基本完成了整机测试。
（6）N85V第三代SGTMOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低35%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在AI算力、服务器、电机驱动等行业实现批量交付。
（7）N100V第三代SGTMOS平台量产，Rsp相较于上一代产品降低50%，器件FOM较同规格最优竞品降低达30%以上，产品在锂电保护、电机控制、短途交通等行业基本完成整机测试。
（8）N85V和N100V第三代产品均已完成车规认证，已给多家车企及Tier1送样评测。
（9）基于华虹12寸新产线，N100V第二代SGT平台和N80V/N100V第三代SGT平台均已完成技术转移。
TrenchMOS平台：
（1）基于8寸平台具有创新结构的（后续简称TTO结构）高可靠性P30V~200V产品平台，已frozenP60V、P100V和P150V及以上工艺和designrule&P60V-200V，可靠性能满足车规要求。
（2）P60V已tapeout3颗系列产品，P100V已tapeout6颗系列产品，P150V和P200V各已tapeout2颗。
（3）完成TTO结构P250V~300V工艺平台模拟和初步design，后续将E-tapeout并工程流片。
（4）TTO结构N200V工程批已产出，基本功能达成，需进一步优化工艺窗口等后续再衍生N100~150V产品。
（5）超高元胞密度（0.55umCellPitch）第七代N沟道12V~20V产品平台工艺固化产品均已量产。
（6）现有世代CSP产品平台计划新开穿戴设备用系列产品；新一代CSP产品已完成工艺和design定型，后续投工程批流片验证。
（7）基于12寸平台0.9umpitch含超短沟N40工艺平台已完成开发，系列产品已tapeout4套；60V产品需进一步优化EPI条件等已达成更优Rsp水平。
（8）具有超高元胞密度（0.65umCellPitch）第六代N沟道20V~60V含超短沟工艺平台工艺条件已确定需进一步优化窗口。
（9）带ESD的N30V工艺平台工程批产出，参数基本达成，ESDHBM达到5KV满足器件要求，目前优化良率中。
IGBT平台：
（1）12寸华虹Fab9第七代微沟槽高功率密度IGBT平台1200V产品已经完成风险批流片，产品良率达到预期水平，可靠性考核已通过，进入量产阶段。
（2）第七代微沟槽高功率密度IGBT1200V平台增加140A产品，650V/750V平台增加120A产品，均已有样品产出，进一步丰富了大电流IGBT分立产品的产品家族，第七代产品目前在光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩等行业都有客户进入量产。
（3）第七代400V高短路能力低频系列IGBT产品电流规格从55A增加到最大电流240A，形成了完整的400V产品系列，主要用于马达驱动、工业变频等应用。
（4）1200V和650V平台已经各有部分产品完成了车规认证，开始批量用于PTC、车载空调等领域。
（5）内部开发的第八代微沟槽高功率密度IGBT平台首轮工程批芯片已产出，静态基本达到设计预期，第八代产品预计在损耗上会较第七代产品再降低10~15%，且开关特性和短路特性等会得到进一步优化。
（6）目前同步开发650V，750V，1200V，1400V，1700V第八代IGBT平台。
SJMOS平台：
（1）第四代9umpitch在华虹fab9已经开始批量投产，截至目前已经完成了在fab2、fab7、fab9全面量产。
（2）在12寸工艺平台上，基于第四代超结设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和EMI特性的650V/360mohm产品，目前产品样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，产品已经通过完整的可靠性测试。目前正在将650V和700V小电流产品全部在此平台上开发，达到降低成本，提升EMI性能的目标。
（3）基于12寸工艺平台的第四代950V深沟槽SJMOS平台产品目前已经通过可靠性考核，正式进入量产阶段，并在此基础上，进行800V产品开发。
（4）第五代SJMOS平台开始使用优化工艺、材料和结构设计，在12寸晶圆厂进行工程流片，首轮工程批已产出，650V特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)以内，进一步提升器件功率密度，正在进行样品封装和动静态参数测试。产品成本预计降低20%，目标市场主要是对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
第三代半导体功率器件平台：
（1）公司第二代SiCMOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V平台，导通电阻覆盖13mohm~160mohm，新增产品型号20余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏储能、新能源汽车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。
（2）完成2.5代SiCMOSFET产品开发，新增750V/1200V/1700V电压平台，导通电阻涵盖13mohm~1ohm，新增产品型号10余款，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试，处于小批量供货阶段。
（3）第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺流程设计，相关产品处于开发阶段。
（4）同时，公司规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程流片阶段。
（5）已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品6款。
（6）开发SiC功率模块产品2款，相关产品处于客户验证阶段。
（7）100V/200VGaN产品开发中。
汽车电子平台：
（1）在40V电压段，采用公司第三代SGT晶圆的车规品已全面完成产品迭代，其中，PDFN3*3产品系列的导通电阻覆盖2mohm~12mohm，开发10款产品，8款产品量产；PDFN5*6产品系列的导通电阻覆盖0.8mohm~10mohm，开发24款产品，13款产品量产；TOLL与sToll产品系列的导通电阻覆盖0.6mohm~2mohm，开发7款产品，4款产品量产；PDFN5*6双芯产品系列导通电阻覆盖4.5mohm~13mohm，12款产品，6款产品量产。
（2）在80V~150V电压段，针对新能源汽车48V系统应用的产品，累计开发70余款产品，累计实现量产30款。其中，TOLL、TOLT、sToLL系列产品电阻覆盖范围1mohm~3mohm，开发22款产品,量产13款；PDFN5*6、PDFN3*3系列产品电阻覆盖范围1mohm~30mohm，开发15款产品，量产5款。
（3）先进封装顶部散热PDFN5*7系列产品，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
（4）适用于车载信号类需求的SOT-223产品系列，已完成产品设计，正在进行车规可靠性验证。
（5）同期，基于车规级产品质量管控需求，公司加强了车规级晶圆CP测试能力，优化了车规级晶圆CP测试中SPAT/DPAT/SBL/SYL管控规范，进一步提高了异常探测与筛选的能力，提高产品质量。
报告期内，公司进一步加大了研发投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强AI算力与数据中心、新能源光储充、汽车电子、工业自动化等下游应用相关产品的开发力度。
（三）生产运营
报告期内，公司的生产运营工作始终围绕整体经营目标进行。随着市场环境的回暖，上游晶圆产能趋于紧张，公司的运营部门持续做好供应链协调工作，确保公司供应链稳定供货，业务量维持了稳健增长。同时，公司确保了芯片代工、封装测试等各个环节的产销衔接及产能调配，目前与十余家封测领域供应商保持了良好合作关系，为后续进一步扩大规模实现了供应保障。
报告期内，芯片代工供应稳定，芯片回货量稳步增长，在华虹FAB9厂12寸工艺平台顺利通线并实现批量投片；FRD、SiCMOSFET等产品实现批量生产；进行封装资源整合，维护现有供应链完整的同时，针对客户特定需求，及时开发符合要求的封装供应商；已开发完成IGBT的CP测试资源；完成生产周期报表开发，加强订单回货周期管控，推动了封装运营管理系统进一步电子化。
（四）子公司建设
1、电基集成
公司的全资子公司电基集成，始终秉持“用心生产产品，品质赢得客户；行动突破过去，创新迈向未来”的方针，致力为公司提供优质且稳定的封装和测试资源。
电基集成目前已建设了先进车规级封测线，致力于研发与生产国际一流同行已有、但国内难以找到代工资源的先进封装技术和产品，已实现量产十余种高门槛、高附加值的封装形式，满足母公司近四成封装需求。
在新能源与智能化浪潮中，公司积极布局车规级功率器件封装和测试技术，2025年实现TOLL封装产能提升21.8%，TO-247封装产能跃升51%，已完成QFNIPM立项，体现了电基集成在高端封装领域的研发实力，为新能源汽车、工业控制等领域客户提供了更可靠的供应链保障。
2、金兰半导体
公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
目前金兰半导体已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，同时具备卓越的生产品质管理经验。
目前，金兰半导体已完成建设第一条IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6万个模块/月。
产品开发方面：
（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业变频和电机驱动领域，完成开发了电流覆盖10A~800A的64款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流100A~600A的27款产品；在电能质量领域，在650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的4款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~150A系列产品5款。
（2）正在开发：基于1000V和1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，多款应用于光伏逆变/储能领域和工业控制变频的IGBT模块产品正在开发。包括应用于工商业储能的产品E3_400A/1000VT电平模块、E3_600A/1100VINPC（同一电流电压规格下有3款拓扑不同的产品）E3480A/1200VANPCSIC硅基混合模块。公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上实现产品的进一步拓展，持续完善产品系列。
报告期内，金兰半导体申请了专利38项（其中9项为发明专利），已授权27项（发明3项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”等认定。
3、国硅集成
公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。一直以来，国硅集成特别注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过ISO9001体系认证。
目前，国硅集成已实现量产25V低侧驱动系列产品26款（2025年新增8款），适用于光伏MPPT应用，家电PFC应用；量产40V桥式驱动系列产品8款（2025年新增2款），适用于中小功率风机、中低压水泵；量产250V半桥驱动芯片40款（2025年新增10款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片30款（2025年新增2款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅集成2024年新增的智能功率模块（IPM）产品线，包括半桥IPM以及三相桥IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售，2025年上半年三相IPM产品已经在头部白色家电厂商小批量试产。
报告期内，国硅集成通过江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；“规模以上企业”、科技型中小企业年审；无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。
国硅集成2025年度新增授权知识产权6项，其中发明专利3项，集成电路布图3项。截至目前，国硅集成累计获得知识产权62项，其中专利17项（发明专利10项，实用新型7项），集成电路布图44件，软件著作权1件。
4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd
公司的海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd，承担海外研发中心及全球销售中心两大任务。子公司充分利用新加坡丰富的人才资源，进行功率半导体技术的研究和突破，跟踪国际最新顶尖技术，建立与国际巨头的人才和技术交流机制，提升人才团队技术素养水平，提高公司核心竞争力，拓展国际市场。
海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，引领全球功率器件水平的发展，主要产品包括但不限于硅基功率器件（MOSFET&IGBT）、第三代宽禁带半导体功率器件（SiC/GaN）、第四代超宽禁带半导体功率器件（GaO/金刚石）等，目标市场包括汽车电子、工业电子、消费电子、航空航天等。高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司已有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。报告期内公司积极扩充具有深厚的智能功率IC和功率器件研发经验的研发团队，完成了前期市场调研和产品定义，首款产品正在研发中。
功率半导体海外市场占据全球市场60%的份额，公司高度重视海外渠道建设，同时为了更好地服务出海客户，目前公司汇聚数位精通多国语言、熟悉当地市场且了解半导体功率器件专业知识的人才，为公司在新加坡进行销售团队建立了雄厚的人才基础。报告期内，公司海外销售团队已培养了一定规模的海外经销商及终端客户，完成了批量订单的交付。
（五）内部管理
报告期内，公司继续完善内部治理，建立健全公司内部控制制度、内部流程体系，通过内部培训以及企业价值观建设，进一步整合优化各项制度流程，提升组织能力与运营效率；根据资本市场规范要求，提升公司规范运营和治理水平；严格按照相关法律法规的要求，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时、真实、准确和完整；认真做好投资者关系管理工作，通过多种渠道加强与投资者的联系和沟通，以便于投资者全面获取公司信息，树立公司良好的资本市场形象。
同时，合法合规前提下积极做大做强公司市值，并借力资本市场进一步推动公司的整体快速发展。
（六）投资情况
报告期内，公司围绕整体发展战略，持续关注外延式扩张机会，主要目标集中在产业链相关领域，通过对国家战略性新兴产业领域具有良好发展前景和增长潜力的企业进行直接或间接的股权投资，进行积极的横向与纵向资源整合，最大程度发挥协同效应，进一步加强与客户之间的合作黏性，有利于公司更好地契合下游市场，更精准地开发新品并进行快速推广，以增强公司的核心竞争力，提升长期盈利能力，创造更多的经济效益与社会价值。
（七）荣誉奖项
2025年上半年，公司新增荣誉如下：
2024年中国功率半导体十强企业
2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目
2025年无锡市生态型创新联合体建设项目
2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质
2025年国家级创新型中小企业资质复审
报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项
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