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| 新洁能(605111)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 三、经营情况讨论与分析
报告期内，公司共实现营业收入 187,706.95万元，较去年同期增加 2.66%；其中主营业务收入 186,964.41万元，较去年同期增加 2.68%；归属于上市公司股东的净利润 39,363.19万元，较去年同期减少 9.42%。
（一）市场营销
近年来，在国家政策大力推动半导体产业国产化进程的宏观背景下，叠加新能源汽车、AI算力基础设施、工业机器人及光伏储能等战略性新兴市场的爆发式增长，公司所处的功率半导体行业迎来结构性复苏机遇。下游核心应用需求持续释放，带动行业整体订单量回升，国产功率半导体凭借在性价比、响应速度及本土化服务等方面的突出优势，市场份额稳步提升。与此同时，随着前期库存逐步消化，行业库存水位回归合理水平，库存结构显著优化，产品周转效率有效提升，标志着行业已逐步摆脱周期性低谷，步入高质量发展的复苏新阶段。
尽管行业整体呈现向好态势，但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商为巩固在国内的市场地位，主动调整经营策略，一方面加速核心技术本土化落地，另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场；国内同行则因部分中低端产品同质化严重，采取价格竞争策略，以短期利润换取市场份额，进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾，对全行业盈利空间和发展质量形成一定挑战。
面对机遇与挑战并存的市场环境，公司始终坚持“技术驱动、市场导向”的发展战略，以积极姿态应对行业变革。内部持续深化以客户需求为核心的运营体系，快速响应定制化需求；外部着力开拓新兴市场蓝海，挖掘优质新客户资源，持续优化市场布局。依托长期积累的核心技术领先优势、覆盖全场景的丰富产品矩阵，以及高效产业链协同能力，公司不断推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。
凭借过硬的产品实力与综合服务能力，公司在战略新兴领域取得突破性进展：产品已顺利通过新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、工业机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户的严格认证，并实现规模化量产销售，有力推动公司在中高端功率半导体市场的销售规模持续扩大，凭借在核心场景的稳定表现，公司品牌认可度与核心竞争力显著提升，差异化竞争壁垒逐步构建。
此外，公司全球化战略布局在报告期内取得里程碑式进展。作为公司拓展海外市场的核心枢纽，新加坡研发及销售中心已于上半年正式建成并投入运营，目前已全面启动对东南亚、欧洲、北美等地区海外客户的技术支持与市场服务。该中心的落地具有多重战略价值：既是深化全球化布局的重要支点，助力公司融入全球半导体产业链分工；也是推动产品升级迭代的研发高地，依托国际化人才与技术资源，加速产品向国际高端标准靠拢；同时更是拓展海外销售渠道的前沿阵地，为公司抢占全球功率半导体市场份额开辟了新路径。
产品结构方面：
（1）SGT-MOSFET 产品：现已成为公司综合竞争力最强、销售规模最大及客户群体最为广泛的核心产品平台。2025年，公司 SGT 第三代产品全系列成功推向市场，广泛应用于汽车电子（含舱域控制器、油泵/水泵控制器、智能辅助驾驶系统）、AI 算力与大功率数据中心、通讯电源、无人机、电机控制、工业电源及新一代高功率密度电动工具等战略新兴领域。报告期内，受益于汽车电子、储能、无人机、电动工具及 AI算力服务器等下游市场需求持续释放，公司订单保持稳健增长。公司积极把握市场机遇，强化销售前端与研发、运营部门的高效协同，及时响应客户需求，提前布局备货并充分利用扩大的产能保障供应。得益于上述举措，公司 SGT-MOSFET产品2025年实现销售收入 8.66亿元，占主营业务收入比例为 46.3%。
（2）IGBT产品：光伏与储能市场为公司 IGBT产品的主要应用领域，在此基础上，公司持续加大在汽车电子、变频家电及工业控制等领域的市场推广力度，进一步拓展产品应用范围，提升销售规模。2025年，公司第七代 IGBT产品进入批量供货阶段，第八代 IGBT产品亦实现市场销售，在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可，逐步形成销售规模。报告期内，公司IGBT产品实现销售收入 2.79亿元，占主营业务收入比例为 14.9%。
（3）SJ-MOSFET产品：公司 SJ-MOSFET产品广泛应用于家电、汽车车载充电器（OBC）、充电桩、微型逆变器、移动储能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。2025年，公司在移动储能、AI服务器电源及工业电源等市场的推广取得积极进展，销售规模稳步提升。但在小电流小封装消费电子领域，市场价格竞争激烈，公司针对性加大第四代 SJ-MOSFET 产品的推广力度，凭借产品性能优势积极扩大市场份额；同时，在汽车 OBC及充电桩领域，持续加强大电流产品推广力度。报告期内，公司 SJ-MOSFET产品实现销售收入 2.05亿元，占主营业务收入比例为11.0%。
（4）Trench-MOSFET产品：Trench-MOSFET作为公司最早量产的成熟工艺平台，具备应用领域广泛、客户基础稳固的优势，在智能家居、电动工具、消费电子、工业控制等市场占据重要地位，并在光伏储能、汽车电子等领域实现多款产品的成功导入与量产销售。但与此同时，Trench-MOSFET市场竞争最为激烈，部分中低端产品同质化严重，国内部分设计公司及封装厂采取降价策略争夺市场份额，对行业盈利空间形成压力。公司根据市场变化及时调整产品销售价格，在稳固现有市场地位的同时积极寻求增量机会。2025年第四季度以来，Trench-MOSFET 对应市场需求快速恢复，出现供不应求的局面，对全年销售产生积极影响。报告期内，Trench-MOSFET产品实现销售收入 4.86亿元，占主营业务收入比例为 26.0%。2026年以来，Trench-MOSFET市场需求呈现旺盛趋势，公司将积极把握时机，充分利用产能资源，力争实现业务规模的进一步突破。
市场结构和客户结构方面：
报告期内，公司坚持深耕存量市场与拓展增量客户并重，持续提升重点领域的市场份额。通过深度挖掘客户需求，公司加速推动潜在客户的验证导入及量产落地进程，不断增强市场响应能力与客户服务深度。在市场战略层面，公司坚定实施“国内市场为主、海外市场为辅”的双轮驱动策略：一方面，持续深化与国内行业头部客户的战略合作，巩固并扩大本土市场优势；另一方面，以新加坡子公司为海外核心枢纽，稳步推进全球化布局，积极拓展东南亚、欧洲及北美等重点市场，进一步提升公司在全球功率半导体领域的品牌影响力与市场份额。
从具体结构来看：
汽车电电电子子子领领领域域域：：：在在在车车车规规规级级级功功功率率率器器器件件件领领领域域域，，，公公公司司司已已已构构构筑筑筑起起起具具具备备备核核核心心心竞竞竞争争争力力力的的的产产产品品品技技技术护城河。
截截至至报报告告期期末末，，公公司司累累计计推推出出车车规规级级功功率率器器件件产产品品逾逾 330款款，，报报告告期期内内出出货货量量突突破破 2亿颗，产品
矩矩矩阵阵阵全全全面面面覆覆覆盖盖盖车车车身身身控控控制制制、、、智智智能能能座座座舱舱舱、、、智智智能能能驾驾驾驶驶驶、、、动动动力力力总总总成成成及及及底底底盘盘盘系系系统统统五五五大大大核核核心心心应应应用用用领领领域域域，，，并并并广广广泛泛泛应用于 OBC、DC-DC 转转换换器器、、线线控控底底盘盘、、PTC 加加热热器器等等关关键键汽汽车车模模块块。。凭凭借借卓卓越越的的产产品品性性能能及及长长长期期期稳稳稳定定定、、、高高高质质质量量量的的的交交交付付付能能能力力力，，，公公公司司司已已已获获获得得得比比比亚亚亚迪迪迪、、、联联联合合合电电电子子子、、、星星星驱驱驱、、、富富富特特特科科科技技技、、、伯伯伯特特特利利利、、、阳阳阳光光光电动力等国内一线 Tier 1供供供应应应商商商及及及头头头部部部车车车企企企的的的深深深度度度认认认可可可与与与广广广泛泛泛合合合作作作，，，市市市场场场领领领先先先地地地位位位持持持续续续巩巩巩固固固。。。与与与此同同同时时时，，，公公公司司司精精精准准准把把把握握握行行行业业业技技技术术术演演演进进进趋趋趋势势势，，，前前前瞻瞻瞻性性性布布布局局局成成成效效效显显显著著著：：：针针针对对对 48V 车载系统开发的80V-150V功率 MOSFET产产产品品品已已已实实实现现现大大大规规规模模模量量量产产产，，，并并并进进进入入入客客客户户户端端端小小小批批批量量量试试试产产产阶阶阶段段段；；；面面面向向向 800V高压平台的车规级 SSiiCC MMOOSSFFEETT产产品品正正处处于于产产品品验验证证阶阶段段，，有有望望成成为为公公司司未未来来业业绩绩增增长长的的重重要要新新引引擎。工工工业业业自自自动动动化化化领领领域域域：：：报报报告告告期期期内内内，，，公公公司司司工工工业业业自自自动动动化化化领领领域域域相相相关关关产产产品品品在在在无无无人人人机机机、、、电电电动动动工工工具具具、、、伺伺伺服服服变变变频频频及及及具具具身身身机机机器器器人人人等等等细细细分分分市市市场场场实实实现现现高高高速速速增增增长长长。。。公公公司司司前前前瞻瞻瞻性性性布布布局局局低低低空空空经经经济济济产产产业业业链链链核核核心心心客客客户户户（（（如如如大大大疆疆疆、、、好好好盈科技等），MOSFET产产产品品品作作作为为为电电电能能能转转转换换换与与与电电电路路路控控控制制制的的的核核核心心心器器器件件件，，，已已已广广广泛泛泛应应应用用用于于于无无无人人人机机机电电电池池池管管管理理理系统（BMS）））、、、电电电池池池充充充电电电储储储能能能舱舱舱及及及电电电机机机驱驱驱动动动系系系统统统等等等关关关键键键部部部件件件。。。伴伴伴随随随具具具身身身机机机器器器人人人市市市场场场的的的快快快速速速发发发展展展与与与应应应用用用场场场景景景的的的持持持续续续拓拓拓展展展，，，公公公司司司多多多款款款产产产品品品已已已成成成功功功导导导入入入机机机器器器人人人关关关节节节电电电机机机驱驱驱动动动系系系统统统、、、电电电池池池管管管理理理系系系统统统等等等核核核心心心环环环节节节，，，并并并实实实现现现对对对宇宇宇树树树科科科技技技等等等头头头部部部客客客户户户多多多款款款机机机型型型的的的批批批量量量供供供货货货。。。未未未来来来，，，公公公司司司将将将紧紧紧跟跟跟客客客户户户需需需求求求迭迭迭代代代，，，持持持续续开开发发适适配配机机器器人人应应用用的的高高性性能能产产品品，，推推动动该该领领域域销销售售规规模模持持续续提提升升。。AI算力及通信领域：22002255年，受益于 AI算算力力需需求求的的爆爆发发式式增增长长，，全全球球半半导导体体市市场场保保持持高高速速发展态势，高阶算力芯片及 HHBBMM高带宽内存需求尤尤为为旺旺盛盛，，带带动动服服务务器器算算力力供供电电系系统统（（包包括括 SST、AIDC、二次 DCDC电电电源源源等等等）））细细细分分分领领领域域域快快快速速速增增增长长长。。。公公公司司司紧紧紧密密密跟跟跟踪踪踪行行行业业业发发发展展展趋趋趋势势势，，，前前前瞻瞻瞻性性性布布布局局局 AI算力力及及通通信信市市场场，，自自主主研研发发的的 SiC MOSFET及高速 SGT MOSFET产产品品在在可可靠靠性性和和能能效效方方面面已已达达到到与与欧欧美美竞竞品品相相当当的的水水平平。。报报告告期期内内，，公公司司相相关关产产品品成成功功导导入入多多家家新新兴兴 AI算算力力服服务务器器客客户户，，并并实实现现海内外市场的批量销售，且且更更多多的的产产品品在在高高端端客客户户开开展展送送样样验验证证，，为为公公司司在在中中高高端端功功率率半半导导体体市市光伏储能领域：报告期内，受益于国内外光伏储能行业政策激励及欧洲市场库存周期结束后的需求回暖，行业呈现高速反弹态势。公司秉持长期主义理念，聚焦全球能源结构转型趋势，IGBT及 MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景，深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。为满足客户多样化需求，公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及 SiC产品，并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。得益于上述布局以及下游客户的强需求，公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。
（二）研发创新
2025年度，公司实现研发投入 11,794.62万元，占营业收入的比例为 6.28%。
截至目前，公司（含子公司）拥有 249项专利，其中发明专利 130项（不含已到期专利），集成电路布局图 47项，软件著作权 1项，此外，公司参与在 IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文 22篇，其中 SCI收录论文 15篇。
SGT MOS平台：
(1) 具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的 N25V第三代 SGT MOS平台动静态参数符合预期，正在进行可靠性验证，目标市场为 AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
(2) 具有业界最小单位元胞尺寸（Cell Pitch）的 N40V第三代 SGT MOS平台完成平台系列化拓展，产品数量已拓展至 148款，其中车规产品 62款，包含 sTOLL、TSC5x7、双面散热 DFN5x6、双面散热 DFN3x3等先进封装。
(3) N40V第三代 SGT MOS产品已经全面进入量产阶段，涉及行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等。
(4) N80V第三代 SGT MOS平台和 N100V第三代 SGT MOS平台 Rsp相较于上一代产品分别降低 35%和 50%，均通过工规和车规考核，这两个平台全面进入量产阶段，产品进入 AI算力、新能源汽车、光伏储能、电机驱动、工业电源等行业。
(5) 达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性 N150V 第三代 SGT MOS平台，器件核心综合性能优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达 25%以上，该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、植物照明、工控电源领域大批量使用，市场需求量持续增加。
(6) 基于 N250V第一代平台完成超快恢复平台开发，其动静态参数符合预期，反向恢复电荷Qrr 相对上一代产品降低 86%，目前处于市场推广阶段，主要针对通信、电机控制、工业电源等应用领域。
(7) 基于华虹 12寸新产线，N100V第二代 SGT平台和 N80V/N100V第三代 SGT平台均不但完成技术转移，并且实现大批量投产。
(8) N120V、N200V、N250V第三代 SGT MOS平台首个工程批已完成流片，基本功能均满足需求，部分参数需进一步调试。
(9) N40V第五代 SGT MOS平台和 N80V第五代 SGT MOS平台已完成仿真设计，目前处于工程开发阶段，目标市场 AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。
Trench MOS平台：
(1) 在 8寸平台 TTO结构的 P60V~200V平台完成系列衍生产品，P250V~300V工艺平台完成模拟优化和设计定型，确认工艺条件和材料片基本确定，待 ETO和工程流。
(2) TTO 结构的 N200V 工艺平台工程流片结果表明窗口需进一步优化，已完成进一步模拟优化，待新 ETO&工程流片。
(3) 完成用于穿戴设备的 G2世代 CSP N12V系列产品后道流程的固化及量产，更高电压系列 CSP产品（N20V、N30V）完成设计定型和 ETO，工程流片中。
(4) G3世代 CSP 12V产品工艺平台后道工艺（超薄 Si+超厚背面金属）完成初步评估待进一步工程确认并固化
(5) 宽 SOA的平台产品通过汽车客户所有严苛评测，工艺固化具备量产能力。
(7) N30V超短沟工艺优化基本达成参数要求：Rsp优化 7%，待工艺固化后会展开到全系列产品。
(8) 带 ESD的N30V工艺平台基本 frozen。开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp，工程流片中。
(9) 0.9um N60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化 12%，将衍生出系列产品。
(10) 用于三代半导体 cascode合封的 N30V高 Vth &高 ESD产品工艺条件 frozen，三家客户完成验证。
(11) 进一步丰富了车规产品家族。
IGBT平台：
(1) 第七代微沟槽高功率密度 IGBT产品在 2座 12英寸晶圆厂和 3座 8英寸晶圆厂均已实现量产，产品平均良率大于 97%，第七代 IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩，消费电子等行业都已批量交付。
(2) 基于 1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度 IGBT已经在 8寸和 12寸同步开发，目前已经有 650V、750V和 1200V产品工程批产出。
(3) 第八代 IGBT产品在确保器件击穿电压耐测性的同时，器件漂移区厚度降低 10%以上，器件开关损耗和导通损耗大幅降低，器件电流密度可以上升 10~20%。此外，随着电流密度提升，芯片尺寸变小，IGBT器件短路能力理论上会下降，第八代 IGBT中使用了新的短路能力优化技术，在保证器件短路电流的前提下，可以确保 IGBT的短路能力符合器件和模块的要求。
(4) 目前第八代产品 1200V高频系列已经在核心客户进行应用测试，1200V中频短路系列产品已经有 PIM模块客户通过应用测试，开始排量供货。
(5) 第八代 650V RC IGBT 也有工程批产出，参数基本符合预期，已经有消费电子客户开始进行应用测试评估。
(6) 1400V和 1700V第八代 IGBT产品已经完成 MPW工程流片，产品参数基本符合设计预期，已进入单芯片产品开发阶段。
(7) 1400V FRD和 1600V 整流二极管已经完成产品开发和可靠性验证，1700V FRD产品开发中，研发进度基本于 IGBT芯片同步。
SJ MOS平台：
(1) 第四代 600~650V SJ MOS 产品目前已经在 fab2、fab7、fab9全面量产，基于 12寸工艺平台的第四代 800V/900V深沟槽 SJ MOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用，正式进入量产阶段。第四代 SJ MOS产品已在汽车电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。
(2) 在 12寸工艺平台上，基于第四代 SJ MOS设计开发优化特征导通电阻（Rsp）和 EMI特性的小电流产品，已完成可靠性测试，样品已经通过客户端验证，产品在保证温升达标的前提下，EMI 性能大幅度改善，且产品成本大幅度降低，已经完成 360mohm~900mohm 的 650V 和 700V多款产品开发，开始进入批量阶段。
(3) 第五代 600~650V SJ MOS平台基于 7um pitch设计，使用优化工艺、材料规格，在 12寸晶圆厂已经完成多轮工程流片，目前产品参数已经达成设计目标，正在进行一致性和良率优化，预计2026年 Q2投入市场。
(4) 650V第五代 7um pitch SJ MOS特征导通电阻（Rsp）降低至 0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，进一步提升器件功率密度，可以在相同器件规格中使用更小的封装体积，并且进一步降低器件成本。目标市场主要是对器件成本、体积和效率由要求的应用中，如大功率汽车 OBC、铂金电源等。
(5) LV SJ MOS 150V ~300V产品已经开始工程开发，目前正在进行工程流片。
第三代半导体功率器件平台：
(1) 公司第 2 代和第 2.5 代 SiC MOSFET 平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V 平台，导通电阻覆盖 13mohm~1ohm，新增产品型号 40 余款，相关产品已通过车规级 AEC-Q101可靠性考核，并通过多家头部客户测试评估，实现批量供货，主要用于光伏逆变、储能、新能源汽车充电桩、汽车 OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域。
(2) 第三代 SiC MOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。
(3) 同时，公司还规划有和传统硅基 IGBT/超结 MOSFET驱动完全兼容的 SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。
(4) 已开发完成 1200V和 650V SiC二极管平台搭建，新增产品 20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。
(5) 开发 SiC功率模块产品 5款，相关产品处于客户验证阶段。
(6) 100V/200V GaN产品开发中。
汽车电子平台：
(1) 基于第三代 SGT晶圆开发的电压等级为 40V的车规品，其中，PDFN3*3开发 10款产品全部开发完成并取得车规认证，以导通电阻 8mohm为代表的产品在车载无线充上实现大批量交付。
PDFN5*6开发 24款产品，18款产品开发完成并取得车规认证，以 1.5mohm为代表的产品在线控底盘 EPB中实现大批量交付。TOLL与 sToll产品系列新增 4款新品开发，累计 11款产品，进一步细分产品规格，其中 6款产品开发完成并取得车规认证，以 0.8mohm为代表的产品在汽车电子稳定控制系统（ESC）上处于小批量验证中。PDFN5*6双芯开发 13款产品，10款产品开发完成并取得车规认证，以 6.5mohm为代表的产品在车载 150W水泵中实现批量交付。
(2) 针对新能源汽车 48V系统使用的 80V~150V产品，累计开发完成 40余款产品并取得车规认证，其中以 100V 1.5mohm的 TOLT产品为例，已导入多家头部 Tier1，应用在 DCDC中，以其顶部散热的独特优势，进一步提高了其零部件的功率密度，处于小批量试产中。
(3) 先进封装顶部散热 PDFN5*7系列产品，已开发完成 2款 40V的产品，导通电阻典型值为 0.7mohm，目前已给客户送样，处于 DV验证阶段。
(4) 适用于车载信号类需求的 SOT-223产品系列，处于可靠性验证阶段。
(5) PDFN3*3双面散热、PDFN3*3 dual Die封装平台处于产品可靠性验证阶段。
报告期内，公司进一步加大了研发方面投入，积极扩充研发团队，不断通过外部引进和自主培养等方式引进和培育高端技术人才，并积极组织内部学习和培训，以进一步加强 AI与数据中心，新能源光储充、汽车电子、工业自动化、和半导体功率模块产品的开发力度。
（三）生产运营
报告期内，公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。面对市场供需环境的动态变化，运营部门前瞻布局，积极协同代工厂推进新品导入流程，快速完成产品验证并实现量产上量，持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力，保障了公司供应链的稳定供应。公司在芯片代工、封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配，目前已与十余家封测领域供应商建立并保持良好合作关系，为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。
报告期内，公司芯片代工供应整体稳定，芯片回货量稳步增长。其中，FRD产品出货量实现大幅提升，SiC MOSFET产品顺利进入批量生产阶段，并积极拓展代工资源以应对持续增长的市场需求。与此同时，公司持续推进封装成本优化，构建多元化供应链体系，不断开发更具性价比优势的供应商资源；协同推进关键材料的国产化替代进程。在团队建设方面，公司注重提升员工专业技能与综合素养，为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。
（四）子公司建设
1、电基集成
公司全资子公司电基集成，专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。
报告期内，电基集成公司应用于汽车电子、电池管理、电机驱动等关键领域的 TOLL 封装产品销售增长显著，同比增速显著。
产品与技术布局方面，PDFN3.3×3.3、sTOLL等无引脚先进功率封装已实现规模化量产；面向车载及工业设备应用的大功率双面散热封装技术已完成立项，相关研发工作稳步推进。
信息化建设方面，CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。其中，CIM 系统整合生产管理系统（MES）与设备自动化系统（EAP），PMS 系统为预防性维护系统（Preventive Maintenance System），有效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。作为区域内罕有同时斩获三大权威认证的高科技企业，电基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。
2、金兰半导体
公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成为公司发展道路上新的业绩增长点。
目前公司已建立一支完整的包括产品开发，工艺技术，设备维护的技术团队，该团队大部成员有十几年丰富的 IGBT模块产品及工艺开发经验，也有很好的生产品质管理经验。完成建设第一条 IGBT模块的封装测试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能 6万个模块/月。
产品开发方面：（1）开发完成：基于 650V和 1200V 电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，完成了 9个模块产品平台的开发，为 L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、全桥 6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业控制，完成开发了电流覆盖 10A~800A 的 45款产品；在光伏逆变、储能领域，完成开发了电流 100A~600A的 34款产品；在电源应用和电网自动化领域，完成开发了 18款产品；在电能质量领域，在 650V平台，完成开发完全覆盖低压电能质量应用的 4款产品；在焊接应用领域，完成开发 1200V电压平台上电流 40A~150A系列产品 11款，其他领域 25款产品。
（2）正在开发：基于 750V和 1200V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片和第三代SIC MOS 芯片，2款应用于商用车主驱的IGBT和SIC模块产品正开发: 550A/750V IGBT模块和 600A/1200V SIC 模块；基于升级的 750V 、1100V 和 1400V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的 IGBT芯片，3款应用于光伏储能应用的产品正开发:150KW 450A/750V储能模块,320KW 600A/1100V逆变模块, 600A/1400V 逆变模块；第三代 SIC MOS 芯片，多款 SIC模块正在开发，模块内阻从 2毫欧到 5毫欧不等，应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。
公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上拓展产品，完善产品系列，同时积极开发针对新应用领域的产品，如固态变压器（SST）应用领域等。
截止到2025年 5公司申请了专利 39项（其中 10项为发明专利），已授权 30项（发明 4项）；通过了“无锡市智能制造成熟度二级”“科技型中小企业”“江苏省星级上云企业”的认定。
3、国硅集成
公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，致力于智能功率集成电路芯片的设计，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。自母公司控股以来，国硅持续注重研发与生产质量的建设与管理，并顺利通过 ISO9001体系认证。
目前，国硅集成已实现量产 25V低侧驱动系列产品 33款（2025年新增 15款），适用于 SiC MOS驱动、光伏 MPPT应用，家电 PFC应用；量产 40V桥式驱动系列产品 11款（2025年新增 5款），适用于中小功率风机、中低压水泵、小型电机；量产 250V半桥驱动芯片 45款（2025年新增 15款），适用于智能短交通、电动工具应用；700V半桥驱动芯片 36款（2025年新增 8款），适用于储能、工业控制等应用；相关产品已经在储能、工控、电池化成柜、智能短交通、电动工具等领域的头部客户实现大批量应用。国硅2025年新增的碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）产品线，包括半桥 IPM以及三相桥 IPM，并在大家电、小家电、水泵、高压吊扇、高速吹风筒等市场展开推广、销售；IPM产品2025年已经在头部白电厂商和标杆风机客户实现批量供应。
国硅2025年通过：江苏省“两新”产品、无锡市三类企业遴选“瞪羚企业”等认定；国硅2025年通过：“规模以上企业”、科技型中小企业年审；国硅2025年获得无锡市太湖湾科创带规上企业及高新技术产业认定补助。
国硅集成2025年度新增授权知识产权 11项，其中发明专利 6项，集成电路布图 5项。截至目前国硅累计获得知识产权 68项，其中专利 20项（发明专利 13项，实用新型 7项），集成电路布图 47件，软件著作权 1件。
4、Singapore Eruby Microelectronics Pte.,Ltd
功率半导体全球市场规模中，海外市场占比约 60%，市场空间广阔。公司海外全资子公司Singapore Eruby Microelectronics Pte., Ltd.已正式投入运营并高效运转，承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能。该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措，旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的区位优势，推动功率半导体前沿技术的研发与突破。海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，主要产品包括高集成度智能化电机驱动 IC芯片、高集成度电源管理 IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理 IC芯片、高功率密度高集成度电源管理 IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。
在研发层面，子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势，致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态，同时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制，持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。报告期内，公司组建了一支具备深厚智能功率 IC及模拟集成电路研发经验的海外团队，有效增强了公司在高压高功率密度集成领域的技术储备。基于该团队的研发能力，公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。该系列产品主要面向 12V及 24V汽车车身控制与配电系统，依托海外代工厂的先进功率器件工艺平台，提供多种导通电阻选项，可满足不同负载场景下的应用需求。与此同时，面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的 LLC及 PFC控制器正处于研发阶段。该类产品可与公司 SiC MOSFET产品协同使用，实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度，同时有效降低系统热损耗，助力下游客户提升电源系统整体能效。未来，公司海外研发团队将持续聚焦 AI数据中心、电动汽车等高端应用领域的快速增长需求，依托国际化人才与技术资源，推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的研发迭代，进一步完善公司产品生态，提升在高端市场的综合竞争力。
在销售层面，子公司积极拓展海外市场渠道，强化对东南亚、欧洲及北美等重点区域的客户覆盖与服务能力，为公司抢占全球功率半导体市场份额提供有力支撑。报告期内，公司已组建一支具备多国语言能力、熟悉当地市场环境且精通功率半导体专业知识的国际化销售团队，为新加坡销售中心的运营奠定了坚实的人才基础。公司海外销售团队以新加坡为核心枢纽，重点布局东南亚经销商网络，并聚焦印度等潜力市场，在太阳能逆变及储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心 UPS电源及 E-bike等应用领域取得快速突破，相关产品已实现批量交付。海外市场拓展成效初显，为公司全球化战略的深入推进奠定了良好基础。
（五）内部管理
报告期内，公司持续完善内部治理体系，不断健全内部控制制度与流程管理体系。通过强化内部培训与企业文化建设，公司进一步整合优化各项制度流程，提升了组织协同效率与整体运营能力。同时，严格按照资本市场规范要求，持续提升公司治理水平和合规运营能力，确保公司运作透明、规范、高效。在信息披露方面，公司严格遵守相关法律法规，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完整性，保障投资者公平获取公司信息的权利。公司高度重视投资者关系管理，通过多元化沟通渠道加强与投资者的互动交流，积极传递公司价值，树立了良好的资本市场形象。此外，公司在合法合规的前提下，聚焦主业发展，稳步推进市值管理工作，致力于做优做强公司价值，并积极借力资本市场工具，推动公司实现高质量、可持续发展。
（六）资本市场
2025年，公司紧紧围绕整体发展战略，持续关注并积极推进外延式发展机遇。投资方向重点聚焦于功率半导体产业链上下游及相关领域，通过直接或间接方式，对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景与增长潜力的企业进行股权投资，稳步推进横向整合与纵向延伸。通过上述资源整合，公司充分发挥产业链协同效应，进一步加深与核心客户的合作黏性，提升对下游市场的响应能力与理解深度，为新品精准开发及快速市场化推广奠定了坚实基础。相关举措有效增强了公司的核心竞争力，有助于提升长期盈利能力，实现经济效益与社会价值的协同增长。同时，公司积极通过产业投资拓展产品线布局，不断完善产业链生态体系，加快产品集成化进程，为公司可持续发展注入新动能。
（七）荣誉奖项
2025年，公司新增荣誉如下：
2024年中国功率半导体十强企业
2025年享受增值税加计抵减政策先进制造业企业资质
2025年国家级创新型中小企业资质复审
2025年江苏省专精特新小巨人企业资质复核
2025年无锡市集成电路产业专项
2025年无锡市数字经济和数字化转型发展资金项目
2025年无锡市生态型创新联合体建设项目
2025年无锡市新吴区集成电路产业发展资金项目
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