|
| 北方华创(002371)经营总结 | | 截止日期 | 2023-12-31 | | 信息来源 | 2023年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
北方华创始终秉承“推动产业进步，创造无限可能”的企业使命，立足半导体基础产品领域，深耕半导体装备、真空
及锂电装备、精密电子元器件等业务板块，致力于成为半导体基础产品领域值得信赖的引领者。
（一）半导体装备业务板块
1．集成电路装备领域
近年来，随着人工智能（AI）、5G通信、物联网等前沿技术的迅猛发展，集成电路芯片需求呈现出蓬勃增长的态势。
工业电子、消费电子、汽车电子等集成电路下游应用的不断升级，为集成电路行业带来了更广阔的增量空间。市场对芯片
功能和多样化应用的需求日益增长，推动了集成电路产业规模持续扩张。5G通信技术的发展，对高性能、低功耗、高频率的芯片提出了更高要求；物联网技术的应用则需要大量多样化的传感器、处理器芯片作为支撑；尤其是 AI的崛起，催生了巨大的算力需求，为集成电路行业带来了全新的发展机遇。随着2023年下半年终端市场的复苏，智能手机、个人电脑等终端产品销售逐渐回暖。AI大模型的持续优化，以及多样化 AI应用终端的入市商用，全球算力需求得到了显著提升。新一轮 AI基础设施建设的开启，进一步推动了高性能以太网交换机、路由器、先进存储、GPU等多种半导体硬件的市场需求。特别是在中国大陆集成电路装备市场，得益于技术进步和市场需求增加，2023年全年市场规模再创新高。根据 SEMI数据统计，2023年中国大陆集成电路装备的销售额达到 342亿美元，同比增长8%，全球市场份额达到 30.3%，创下新高。这凸显了中国大陆在全球集成电路装备市场中的重要性，也反映了中国大陆市场对集成电路装备需求的强劲动力。同时，国内集成电路设备商在2023年也实现了快速发展，在市场中扮演越来越重要的角色。2．化合物半导体装备领域以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的新兴化合物半导体材料，以其卓越的性能，特别适合于高压、高功率、高频、高温等严苛环境。特别是 SiC材料，得益于其优异的热稳定性和电学性能，已成为 600V以上高压应用的关键材料，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、工业电源及轨道交通等领域。作为全球最大的新能源消费市场，中国在新能源汽车和光伏领域取得了显著成就。根据起点研究院数据显示，2023年全球新能源车销量达到 1,428万辆，其中中国新能源汽车销量高达 887万辆，占全球市场份额的 62.1%。2023年中国光伏装机量超过 216.9GW，占全球总量的 62.8%。在这样的市场背景下，中国对 SiC项目的建设和投资力度持续加大，已成为全球 SiC项目投资和建设最活跃的国家之一。众多头部企业纷纷扩大产能，市场需求持续增长。同时，GaN功率器件在消费电子快速充电等领域的应用也呈现出快速增长的态势，并逐渐拓展至中大功率储能、数据中心等领域，开拓更广阔的应用前景。随着化合物半导体行业市场规模不断扩大，市场需求进一步释放，化合物半导体装备市场订单量迎来快速增长。
2023年，传统 LED照明领域市场趋于饱和，但以 Mini/Micro LED为代表的新型显示技术市场份额快速增长。随着其在虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、混合现实（MR）、小尺寸穿戴、手机和平板电脑、电视以及车载应用等领域的持续渗透，其市场潜力巨大且持续增长。随着 Mini/Micro LED对工艺制造设备的要求不断提升，大产能、高效率、自动化的设备拥有巨大的市场空间，市场规模持续稳步增长。3．新能源光伏装备领域近年来，随着全球清洁能源结构转型加速，新能源光伏行业在2023年继续保持迅猛增长的态势。根据国际可再生能源机构发布的数据，2023年全国光伏装机量达到了 216.9GW，相较于2022年的 87.4GW，实现了 148%的显著增长。与此同时，全球光伏装机量达到 345.5GW，较上一年增长81%。这一庞大的市场需求为光伏制造行业带来了前所未有的产能扩张机遇，制造端和应用端规模不断扩大，硅片、电池、组件出口量分别同比增长93.6%、65.5%和 37.9%。在光伏电池方向，2023年全国晶硅电池产量超过 545GW，同比增长64.9%。电池新建项目中，TOPCon技术取代了之前的 PERC技术，成为主流的电池生产技术路线。全年 TOPCon电池新增产能约 395GW，相关设备订单持续保持增长态势。
（二）真空及锂电装备业务板块
随着我国在 5G基站、轨道交通、人工智能、工业互联网等领域的飞速发展，对电子功能陶瓷、高性能结构陶瓷、纳米
陶瓷粉体等需求急剧上升，中国已成为全球最大的先进陶瓷市场。在半导体行业，半导体设备关键部件及分立器件等领域均对先进陶瓷材料的质量和性能有更高的要求。这一趋势推动了相关产业的发展和创新，从而带动了热处理设备的市场需求不断扩大。在新能源锂电池领域，锂离子电池的技术发展正朝着高安全、高比能、低成本的方向迈进。新型复合集流体材料以其绝缘性好、重量轻、成本低、高安全性的特性，有望在下一代高能量密度锂电池中得到广泛应用。同时，随着新能源氢燃料电池技术的日趋成熟和上游电源结构的清洁化转型，氢燃料电池有望在未来十年内进入快速发展阶段。这些新的技术趋势为高性能材料的制造和热处理装备带来更多的发展机遇。
（三）精密电子元器件业务板块
2023年，受全球经济环境和行业周期等多方面因素的影响，元器件市场需求有所放缓，产品需求量出现波动。然而新
一轮科技革命和产业变革蕴育出新的机遇，正成为我国经济社会发展的重要支撑，一批代表“新质生产力”的战略新兴产业和未来产业为传统产业注入前所未有的活力。智能制造、物联网、算力、新能源汽车等领域的飞速发展，促进了制造业向数字化、网络化、智能化转型，推动了元器件不断向“小型化、集成化、高精密”方向发展，为精密电子元器件产业带来了新的机遇。
四、主营业务分析
（一）概述
1．半导体装备
（1）刻蚀设备
刻蚀设备约占集成电路芯片制造设备总资本开支的 22%，是半导体制造过程中的关键环节。刻蚀工艺主要用于去除特
定区域的材料来形成微小的结构和图案。随着集成电路线宽的持续减小和 3D集成电路的发展，刻蚀设备在集成电路装备市场中的地位愈加重要，已跃居集成电路采购额最大的设备类型。2023年公司刻蚀设备收入近 60亿元。在刻蚀设备中，电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）具有等离子体密度高、可在低压下生成、水平和垂直方向电场可独立控制等优势，主要应用于硅和金属刻蚀，以及部分介质材料的精细刻蚀。 ICP市场份额在刻蚀机总量中占比约 53%。北方华创作为国内领先的高端电子工艺装备供应商，深耕 ICP刻蚀技术二十余年，先后攻克了电感耦合脉冲等离子体源、多温区静电卡盘、双层结构防护涂层和反应腔原位涂层等技术难题，实现了 12英寸各技术节点的突破。公司多晶硅及金属刻蚀系列 ICP设备实现规模化应用，完成了浅沟槽隔离刻蚀、栅极掩膜刻蚀等多道核心工艺开发和验证，助力国内主流客户技术通线，已实现多个客户端大批量量产并成为基线设备。截至2023年底，北方华创 ICP刻蚀设备已累计出货超 3200腔。电容耦合等离子体（CCP）介质刻蚀设备也在芯片制造领域扮演关键角色，特别是在后道介质膜层图形化工艺方面，对整个芯片的性能具有重要影响。2021年，北方华创开始着力进行介质刻蚀设备研发，致力于攻克 12英寸关键介质刻蚀工艺应用，支撑客户持续创新。凭借多年积累的核心技术以及对刻蚀领域的深刻理解，北方华创先后突破了 CCP领域等离子体产生与控制、腔室设计与仿真模拟、低温静电卡盘、高功率等离子馈入等多项关键技术，建立起核心技术优势。截至目前，北方华创集成电路领域 CCP介质刻蚀设备实现了逻辑、存储、功率半导体等领域多个关键制程的覆盖，为国内主流客户提供了稳定、高效的生产保障，赢得客户信赖和认可。截至2023年底，北方华创 CCP刻蚀设备已累计出货超 100腔。硅通孔技术（ TSV ）是一种新兴的技术解决方案，通过垂直互连减小了芯片间互联长度，降低了信号延迟，实现了芯片间的低功耗和高速通讯，大幅提升了芯片性能，是延续摩尔定律的重要技术之一。TSV技术中，硅通孔刻蚀是关键步骤之一，其工艺在刻蚀形貌、刻蚀速率、选择比、深宽比、均匀性等方面要求严苛，存在较高的技术壁垒。北方华创推出的12英寸 TSV刻蚀设备，通过快速气体和射频切换控制系统，结合优良的工艺配方架构，在高深宽比硅通孔刻蚀中可精确控制侧壁形貌，实现侧壁无损伤和线宽无损失。通过优异的实时控制性能，大幅提升刻蚀速率，达到国际主流水平。目前北方华创的 TSV刻蚀设备已广泛应用于国内主流 Fab厂和先进封装厂，是国内 TSV量产线的主力机台，市占率领先。干法去胶又称等离子去胶，其工作原理是在真空状态下，通过活性等离子体去除晶片表面的掩膜材料，而不允许晶片材料受损。随着集成电路器件结构不断演进，高介电常数（High-K）、低介电常数（Low-K）等新材料的引入使得干法去胶的技术难度不断增加。北方华创凭借深厚的等离子源开发及应用经验，自主设计开发了低损伤等离子源，克服了 O2、H2、NH3等去胶的各种技术难点，在高剂量离子注入后的去胶、新型材料去胶、高深宽比聚合物去除等方面取得了技术领先优势。同时，优化了干法去胶设备在维护、量产方面的性能，开发了真空和大气双配置传输平台，在保证技术领先的同时，使客户拥有更长的使用周期及更低的拥有成本（COO）、消耗成本（COC），受到客户广泛认可，形成了批量销售。
（2）薄膜沉积设备
薄膜沉积设备约占集成电路装备总资本开支的 21%，是半导体制造工艺中的关键环节。薄膜沉积设备主要用于在基底
材料上生长、沉积或涂布极薄的膜层，这些膜层在芯片中扮演重要的角色。2023年公司薄膜沉积设备收入超 60亿元。物理气相沉积（PVD）主要用于金属薄膜制备。这些金属薄膜作为芯片中互连线的重要组成部分，对整个芯片的性能具有至关重要的影响。北方华创作为中国 PVD工艺装备技术的先行者，早在2008年就开始了 PVD装备的研发工作。经过十余年的技术沉淀与创新突破，北方华创先后突破了磁控溅射源设计、等离子体产生及控制、腔室设计与仿真模拟、颗粒控制、软件控制等多项核心技术，实现了对逻辑芯片和存储芯片金属化制程的全覆盖。截至2023年底，集成电路领域铜（Cu）互连、铝垫层（Al Pad）、金属硬掩膜（Metal Hard Mask）、金属栅（Metal Gate）、硅化物（Silicide）等工艺设备在客户端实现稳定量产，成为多家客户的基线设备，并广泛应用在逻辑、存储等主流产线，同时也成功实现功率半导体、三维集成和先进封装、新型显示、化合物半导体等多个领域的量产应用。截至2023年底，公司已推出 40余款 PVD设备，累计出货超 3500腔。化学气相沉积（CVD）主要用于介质薄膜和金属薄膜的制备。按照薄膜材料，CVD分为介质化学气相沉积（DCVD）和金属化学气相沉积（MCVD）两大类。DCVD主要包括等离子增强型化学气相沉积（PECVD）、次常压化学气相沉积（SACVD）、介质原子层沉积（DALD）等。MCVD主要包括低压化学气相沉积（LPCVD）、有机金属化学气相沉积（MOCVD）和金属原子层沉积（MALD）等。北方华创基于十余年沉积工艺技术的丰富经验，布局拓展了 DCVD和MCVD两大系列产品。针对介质和金属化学气相沉积关键技术需求，攻克了进气系统均匀性控制、压力精确平衡、双频驱动的容性等离子体控制、多站位射频功率均分控制等多项技术难题，实现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、高介电常数原子层沉积等工艺设备的全方位覆盖，关键技术指标均达到业界领先水平，赢得客户高度评价。截至2023年底，北方华创已实现 30余款 CVD产品量产应用，为超过 50家客户提供技术支持，累计出货超 1000腔。外延（EPI）设备是材料生长的关键设备，广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体等领域。经过十余年的技术沉淀与创新突破，北方华创已形成具有核心技术优势、品类齐全、应用广泛的外延系列化产品，具备单晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等多种材料外延生长技术能力，覆盖集成电路、功率半导体、化合物半导体等领域应用需求。截至2023年底，北方华创已发布 20余款量产型外延设备，累计出货超 1000腔。 公司自主研发的 12英寸常压硅外延设备，实现了对逻辑芯片、存储芯片、功率器件及特色工艺的全覆盖，且已全部成功量产，成为客户的基线产品。北方华创“硅薄膜外延设备研发及产业化”项目于2023年获评“北京市科学技术进步奖一等奖”。
（3）立式炉及清洗设备
立式炉和清洗设备分别约占集成电路装备总资本开支的 5%，在集成电路工艺生产线上发挥着关键作用。立式炉主要包
括立式氧化/退火炉、多片立式低压化学气相沉积设备（LPCVD）和多片立式原子层沉积设备（ALD）。清洗设备主要包括单片清洗设备和槽式清洗设备。2023年公司立式炉和清洗设备收入合计超 30亿元。在立式炉领域，北方华创突破并掌握了气流场/温度场控制、反应源精密输送、硅片表面热场设计等关键技术，实现了立式炉系列化设备在逻辑和存储工艺制程应用的全面覆盖。截至2023年底，公司立式炉累计出货超 700台。在清洗设备领域，北方华创经过多年的技术积累，先后突破了多项关键模块设计技术和清洗工艺技术，包括伯努利卡盘和双面工艺卡盘、高效率药液回收系统、热 SPM工艺、热磷酸工艺、低压干燥工艺等，实现了槽式工艺全覆盖，同时高端单片工艺实现突破。公司在集成电路领域的工艺设备均已在客户端实现量产。截至2023年底，公司清洗设备累计出货超1200台。
（4）新能源光伏领域设备
在新能源光伏领域，公司晶硅电池制造设备实现了多项技术突破，建立了行业领先的技术优势。扩散设备工艺性能表
现突出，具有高产出、高效能、高稳定性的特点；PECVD设备覆盖多种电池技术； LPCVD设备实现了大尺寸硅片兼容和高载片量的突破。目前，公司在 PERC、TOPCon、HJT等领域实现了扩散、氧化、退火类设备的全覆盖，为光伏行业提供了更为专业、高效、先进、低成本的解决方案。截至2023年底，公司光伏领域设备累计出货超过 4000台，实现头部客户全覆盖，并出口越南、泰国、新加坡、马来西亚等地，成为光伏行业领先的解决方案提供商。2023年公司新能源光伏领域设备收入近 20亿元。2．真空及锂电工艺装备真空装备作为基础材料制造业的工业母机，在多个领域发挥着重要作用。公司深耕高压、高温、高真空技术，研发的真空热处理、气氛保护热处理、连续式热处理、磁控溅射镀膜、多弧离子镀膜、硅单晶生长等高端热处理工艺装备，广泛应用于真空电子、半导体材料、储能材料、磁性材料、碳碳复材、碳陶材料等领域，为行业提供高效、节能、环保的真空及锂电装备工艺解决方案。
（1）真空炉
北方华创紧跟新能源的技术发展方向，围绕先进陶瓷领域，根据氮化铝、氮化硅、碳化硼、高纯氧化铝等先进陶瓷制
备工艺需求，针对性开发了产业链相关的 13种工艺设备，丰富了公司真空产品线。真空热处理工艺设备在半导体行业的关键零部件、分立器件等制造领域均实现广泛应用，其中气淬炉已通过客户工艺验证，高纯 SiC部件用渗硅炉、重结晶炉通过客户工艺验证并实现销售，AMB基覆铜板钎焊炉及氧化铝 HTCC烧结炉已实现批量销售。此外，北方华创结合客户需求，开发了应用于光伏行业高温材料制备的连续石墨化炉， 目前在碳碳、碳陶等领域已实现批量应用。
（2）单晶炉
针对光伏行业低成本、大产能需求，北方华创研发了连续拉晶系统（CCZ），可有效减小加料和熔料时间，显著降低
单晶圆棒非硅成本，同时具有晶棒电阻率范围窄且可控的优点。结合客户实际生产运行情况，北方华创开发了不同尺寸的硅单晶生长炉，在行业头部客户累计销售硅单晶炉超过 5000台。同时，北方华创为客户提供最优的能耗解决方案，主导制定了《单晶炉能源消耗规划》行业标准，为全行业提供了单晶炉生产能耗的量化标准。
（3）工业镀膜设备
工业镀膜设备包括工业 PVD镀膜设备和工业 CVD镀膜设备。北方华创围绕新能源电池新型材料，设计开发了新一代
复合集流体高速卷绕 PVD镀膜设备，解决锂电池下一代复合集流体的批量制备难题。针对氢燃料电池领域，采用多弧技术，开发了双极板连续立式 PVD镀膜设备；针对各种 PVD工艺的测试与客户工艺验证，开发了多弧、蒸镀、磁控溅射为一体的多功能工艺测试平台，为各类功能涂层制备奠定了基础。同时，围绕半导体设备关键零部件的制备，北方华创研发了重结晶碳化硅结构件的 CVD工艺技术，开发碳化硅纤维增强、碳化硅复合材料的工业 CVD设备，为新一代陶瓷基复合材料领域提供解决方案。3．精密电子元器件在高端精密电子元器件领域，公司主要产品为电源管理芯片、石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、钽电容器、微波组件等。公司将现有工艺与半导体工艺相结合研制新产品，拓展新应用。新开发的模拟链路产品，采用国内先进半导体工艺制程，结合先进塑封技术和高可靠金属陶瓷封装技术，具有产品种类覆盖宽、适用面广、宽温度适应性和高可靠等优势，主要应用于通信、交通及电力等领域，在信号处理中有着无可替代的作用。新开发的硅电容器，采用半导体 MOS工艺和微机电系统（MEMS）工艺相结合的技术，具有小型化、集成化、高精密的特点，主要应用于通信、射频微波、2.5D/3D先进封装、汽车电子等领域，在天线匹配、射频滤波等电路中具有突出优势。
（二）收入与成本
1．营业收入构成
公司主营业务发展良好，应用于高端集成电路领域的刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备和炉管设备等多种核心工艺
装备突破多项关键技术并实现产业化应用，市场认可度持续提升，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销售量与生产量实现同比较快增长。4．公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 适用 不适用5．营业成本构成行业分类
（1）本公司子公司北京北方华创真空技术有限公司收购北京丹普表面技术有限公司，持股比例为 100%，故纳入合并报表
范围。
（2）本公司子公司北京北方华创微电子装备有限公司投资设立上海北方华创微电子装备有限公司、武汉北方华创微电子装
备有限公司、深圳北方华创微电子装备有限公司，持股比例为 100%，故纳入合并报表范围。
7．公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况
适用 不适用8．主要销售客户和主要供应商情况
（三）费用
1.2亿元，股份支付费用增
加 6900万元。
管理费用 1,752,101,098.58 1,421,406,950.27 23.27% 主要为本期职工薪酬增加1.98亿元。财务费用 -18,133,193.65 -83,023,921.98 78.16% 主要为长期借款增加，利息费用增加。研发费用 2,475,304,060.27 1,845,332,254.24 34.14% 主要为本期职工薪酬增加3.14亿元，股份支付费用增加 1.78亿元。
（四）研发投入
适用 不适用
主要研发项目名称 项目目的 项目进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响半导体装备研发项目 提高半导体装备的技术水平，扩展产品线。 按计划实施中 加大集成电路先进制程装备研发力度，扩展现有核心装备工艺覆盖率，探索新技术领域的产品开发。 有利于提高公司半导体装备业务的竞争能力
（五）现金流
（1）2023年经营活动现金流入小计为 23,843,814,426.46元，比上年同期增加 33.34%，其主要原因是：销售订单及收入增
加，收到的货款增加。
（2）2023年经营活动现金流出小计为 21,478,806,691.92元，比上年同期增加 15.42%，其主要原因是：销售订单、生产规
模较上期增加，材料采购及人工成本支付的现金增加。
（3）2023年经营活动产生的现金流量净额为 2,365,007,734.54元，比上年同期增加 424.89%，其主要原因是：销售订单及
收入增加，收到的货款增加。
（4）2023年投资活动现金流入小计为 2,828,276.93元，比上年同期增加 171.18%，其主要原因是：收到参股公司的出资返
还款所致。
（5）2023年投资活动现金流出小计为 2,061,315,778.74元，比上年同期增加 44.78%，其主要原因是：本期构建长期资产金
额增加所致。
（6）2023年投资活动产生的现金流量净额为-2,058,487,501.81元，比上年同期减少 44.68%，其主要原因是：主要为本期
构建长期资产金额增加所致。
（7）2023年筹资活动现金流入小计为 2,931,309,095.10元，比上年同期减少 30.48%，其主要原因是：取得借款收到的现金
减少。
（8）2023年筹资活动现金流出小计为 1,284,107,109.89元，比上年同期增加 47.25%，其主要原因是：偿还债务支付的现金
增加；公司分红支付的现金增加。
（9）2023年筹资活动产生的现金流量净额为 1,647,201,985.21元，比上年同期减少 50.75%，其主要原因是：筹资活动现金
流入减少，流出增加。（10）2023年现金及现金等价物净增加额为 1,967,624,537.42元，比上年同期增加 59.89%，其主要原因是：销售订单及收入增加，收到的货款增加。报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 适用 不适用
五、非主营业务分析
适用 不适用
六、资产及负债状况分析
（一）资产构成重大变动情况
（二）以公允价值计量的资产和负债
适用 不适用
（三）截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
（一）总体情况
适用 不适用
（二）报告期内获取的重大的股权投资情况
适用 不适用
（三）报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
适用 不适用
（四）金融资产投资
1．证券投资情况
适用 不适用
公司报告期不存在证券投资。
2．衍生品投资情况
适用 不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
（五）募集资金使用情况
适用 不适用
1．募集资金总体使用情况
适用 不适用
（1）2019年 11月，公司向特定对象非公开发行股票募集资金总额为人民币 199,999.99万元，扣除各项发行费用（不含税）共计人民币 1,867.68万元后，实际存入募集资金专户的金额为人民币 198,132.31万元。本报告期投入募集资金总额为 7,743.96万元。截止2023年12月31日，已累计投入募集资金总额 196,971.79万元，以前年度使用闲置募集资金暂时补充流动资金金额为 50,000.00万元，已全部归还。募集资金专户余额 3,834.51万元。
（2）2021年 10月，公司向特定对象非公开发行股票募集资金总额为人民币 849,999.99万元，扣除各项发行费用（不含税）共计人民币 4,791.32万元后，实际存入募集资金专户的金额为人民币 845,208.67万元。本报告期投入募集资金总额为 169,185.07万元。截止2023年12月31日，已累计投入募集资金总额 620,729.71万元，以前年度使用闲置募集资金暂时补充流动资金金额为 470,000.00万元，已全部归还。本年度使用闲置募集资金暂时补充流动资金金额为 88,000万元，已归还 30,000万元。募集资金专户余额 177,039.77万元。2．募集资金承诺项目情况适用 不适用
（3）＝
（2）/
（1） 项目达
到预定
可使用
状态日
期 本报告
期实现
的效益 是否
达到
预计
效益 项目可
行性是
否发生
重大变
化
承诺投资项目
高端集成
电路装备
研发及产
业化项目 否 176,238.02 176,238.02 7,743.96 175,100.13 99.35%2023年12月31日 20,496.1 是 否高精密电子元器件产业化基地扩产项目 否 21,782.23 21,782.2%2021年12月31日 17,569.81 是 否半导体装备产业化基地扩产项目（四期） 否 348,339 348,339 95,992.13 179,683.高端半导体装备研发项目 否 241,420 241,420 42,891.03 206,242.高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期） 否 73,403.23 73,403.23 30,301.91 52,354.8补充流动资金 否 181,758.96 181,758.% 不适用 否承诺投资项目小计 -- 1,042,941.44 1,042,941.44 176,929.03 817,701.5 -- -- 38,065.91 -- --超募资金投向无合计 -- 1,042,941.44 1,042,941.44 176,929.03 817,701.5 -- -- 38,065.91 -- --分项目说明未达到计划进度、预计收益的情况和原因（含“是否达到预计效益”选择“不适用”的原因） 不适用项目可行性发生重大变化的情况说明 不适用超募资金的金额、用途及使用进展情况 不适用募集资金投资项目实施地点变更情况 不适用募集资金投资项目实施方式调整情况 不适用募集资金投资项目先期投入及置换情况 适用截至2019年12月31日，公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目的实际投资额为人民币284,867,554.45元，其中高端集成电路装备研发及产业化项目已投入 229,857,609.18元，高精密电子元器件产业化基地扩产项目已投入 55,009,945.27元。募集资金到位后，公司以 284,867,554.45元募集资金置换预先已投入募投项目的自筹资金。上述事项已经中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）验证并出具中审亚太审字（2019）010679号专项审核报告。2020年2月21日，公司第七届董事会第二次会议审议通过了《关于以募集资金置换预先已投入募集资金投资项目自筹资金的议案》，并于2020年3月23日前置换完毕。截至2021年10月31日，公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目的实际投资额为人民币505,323,466.50元，其中半导体装备产业化基地扩产项目（四期）已投入 38,878,297.90元，高端半导体装备研发项目已投入 464,504,668.60元，高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期）已投入 1,940,500.00元。募集资金到位后，公司以 505,323,466.50元募集资金置换预先已投入募投项目的自筹资金。上述事项已经中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）验证并出具中审亚太审字（2021）011090号专项审核报告。2021年12月10日，公司第七届董事会第十五次会议审议通过了《关于以募集资金置换预先已投入募集资金投资项目自筹资金的议案》，并于2021年12月22日前置换完毕。用闲置募集资金暂时补充流动资金情况 适用2020年7月23日，公司第七届董事会第六次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金50,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过 12 个月，截至2021年5月31日，已全部归还。2021年12月10日，公司第七届董事会第十五次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金 250,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过 12 个月。截至2022年10月18日，已全部归还。2022年10月28日，公司第七届董事会第二十五次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金 250,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过 12个月。截至2023年10月13日，已全部归还。2023年10月30日，公司第八届董事会第七次会议审议通过了《关于全资子公司使用部分闲置募集资金暂时补充流动资金的议案》，同意公司全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司使用闲置募集资金120,000万元暂时补充流动资金，使用期限为自董事会审议通过之日起不超过 12个月。截至2023年12月31日，已补充流动资金 58,000万元。项目实施出现募集资金结余的金额及原因 适用截至2022年6月30日，北京飞行博达电子有限公司已将高精密电子元器件产业化基地扩产项目的账户注销，账户剩余金额（含利息收入）共 4,098.87元，扣除手续费后结余 4,094.37元已转入北京飞行博达电子有限公司基本户。尚未使用的募集资 募集资金项目账户金用途及去向募集资金使用及披露中存在的问题或其他情况 无3．募集资金变更项目情况适用 不适用公司报告期不存在募集资金变更项目情况。
八、重大资产和股权出售
（一）出售重大资产情况
适用 不适用
公司报告期未出售重大资产。
（二）出售重大股权情况
适用 不适用
公司报告期未出售重大股权。
九、主要控股参股公司分析
适用 不适用
十、公司控制的结构化主体情况
适用 不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动
适用 不适用
接待时间 接待地点 接待方式 接待对象类型 接待对象 谈论的主要内容及提供的资料 调研的基本情况索引的问题。2023年5月27日投资者关系活动记录表
2023年 6月 公司 电话沟通 机构、个人 2机构投资者 家次、十三、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案是 否1．聚焦主业发展，提升行业认可度及市场占有率公司秉承“推动产业进步，创造无限可能”的企业使命，持续专注于半导体基础产品领域的研发与创新，形成了半导体装备、真空及锂电装备和精密电子元器件三大核心业务板块。在集成电路装备领域，公司多年保持国内领先地位，刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备和炉管设备等核心工艺装备突破多项关键技术并实现产业化应用，市场认可度持续提升，工艺覆盖度及市场占有率也实现显著增长。自2016年战略重组以来，公司业绩稳步提升，营业收入与归母净利润连续多年保持增长。未来，北方华创将持续聚焦主营业务，紧密围绕市场需求，深化技术研发，优化产业结构，不断提升核心竞争力，努力实现高质量发展，以实际行动回报股东和社会的期望。2．坚持创新驱动，巩固半导体核心装备竞争优势公司始终坚持以客户需求为导向，在保持已有技术优势的同时，持续加强技术创新，研发投入处于国内同行业领先水平，巩固了公司在半导体基础产品领域的竞争优势。2023年全年北方华创集团研发投入 44.10亿元，研发投入强度达到19.97%。截至2023年末，公司累计申请专利 7,900余件，累计获得授权专利 4,700余件，专利数量稳居国内集成电路装备企业首位。目前，公司拥有国家级企业技术中心 1个，北京市级企业技术中心、工程中心 4个，先后获得国家科学技术进步奖 1次及北京市科学技术进步奖 12次。
2023年，公司在技术创新方面屡获嘉奖，12英寸减压外延团队获得国务院授予的“国家卓越工程师团队”荣誉称号；公司荣登工业和信息化部颁布的“国家技术创新示范企业”榜单；连续三年获得福布斯“中国创新力企业 50强”称号，并荣获“中国新经济企业 500强”称号。展望未来，公司将持续加大研发投入力度，密切关注行业前沿技术的发展趋势，同时努力扩大市场份额，推动公司高质量发展。3．夯实公司治理，积极践行社会责任公司不断夯实公司治理基础，秉持依法治企与合规管理相结合的原则，不断强化法人治理结构和合规管理体系建设，持续完善合规管理制度。深入研究上市监管要求，动态更新和完善法人治理制度体系，规范决策流程，强化执行监督力度，确保“三会一层”规范运作，防止滥用股东权利、管理层利用优势地位损害中小投资者权益的行为，切实为维护公司股东合法权益提供有力保障。2023年公司通过了国际标准化认证机构的 ISO 37301合规管理体系认证。与此同时，北方华创秉持“精良、共创、担当”的品牌理念，勇于承担企业社会责任，将可持续发展融入到企业经营战略和日常管理之中，以诚信合规经营为基础，不断推动科技创新，构建负责任的供应链和产业链，助力产业的可持续发展。同时，公司坚守绿色发展，将精益生产、绿色管理和绿色运营落到实处，建立绿色高效的生产模式；连续多年开展献血、乡村振兴等公益项目，积极为社会公益事业倾注力量。4．加强投资者沟通，提升信息披露质量公司高度重视投资者关系管理工作，构建了公开、公平、透明的多维度沟通渠道。通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、投资者现场调研、深交所“互动易”平台、投资者热线等诸多渠道，积极与投资者进行沟通交流，提升投资者对公司的了解，切实履行上市公司的责任和义务。公司严格遵守相关法律法规和监管机构的规定，向投资者披露对投资决策有价值的信息，同时致力于不断提高在生产经营、产品创新等关键信息的透明度，减少冗余信息披露，努力构建满足投资者需求的信息披露机制。5．重视投资者合理回报，共享企业发展成果公司高度重视对投资者的合理投资回报，在公司章程中明确规定了利润分配原则。公司严格执行股东分红回报规划及利润分配政策，自上市以来持续分红，近三年年均现金分红比例 10.34%。公司将全力推进自身的技术创新和管理创新，努力推动企业的高质量发展，同时根据所处发展阶段，统筹做好业绩增长与股东回报的动态平衡。从长远视角出发，随着公司业务结构的持续完善和优化，公司将致力于不断提升股东回报水平，构建长期、稳定、可持续的股东价值回报机制，以增强广大投资者的获得感。未来，公司将坚守回报股东理念，坚持以投资者为本，将“质量回报双提升”行动方案执行到位，切实提升投资者的获得感，维护公司市场形象，共同促进资本市场健康发展，也希望广大投资者能够长期支持北方华创。
|
|