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| 蓝箭电子(301348)经营总结 | | 截止日期 | 2023-12-31 | | 信息来源 | 2023年年度报告 | | 经营情况 | 第三节 管理层讨论与分析
一、报告期内公司所处行业情况
公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第4号——创业板行业信息披露》中的“集成电路业务”的披露要求
（一）封装测试行业发展情况
封装环节是半导体封装和测试过程的主要环节。其功能主要包括两方面：首要功能是电学互联，通过金属Pin赋予芯片电学互联特性，便于后续连接到PCB板上实现系统电路功能；另一功能是芯片保护，主要是对脆弱的裸片进行热扩散保护以及机械、电磁静电保护等。 公司目前主要掌握的封测技术包括通孔插装技术、贴片式封装技术、倒装焊封装技术及系统级封装技术，主要涉及的封装形式包括TO、SOT/TSOT、SOD、SOP、DFN/QFN等。
（二）全球半导体市场发展情况
2023年，贸易摩擦和科技竞争加剧了全球半导体产业的紧张局势，导致市场的不确定性增加。其次，消费电子终端市场需求疲软，半导体产业发展受到一定制约。此外，通货膨胀率和局部战事的持续也给半导体产业带来了不小的影响。
但是在长期发展中，随着全球经济回暖，半导体产业仍然具有广阔的市场前景和增长潜力。随着数字化转型的深入推进，人工智能、物联网等新兴领域对高性能芯片的需求不断增加，同时 5G、自动驾驶、智能家居等应用场景也在不断拓展新的市场空间。
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2023年的全球半导体市场规模预计会出现一些变化。首先，WSTS调高了对于2023年全球半导体营收的预期，预计今年全球半导体营收将达到 5201亿美元，年降幅为 9.4%。日前，多家行业协会和市场分析机构作出2024年全球半导体市场回暖的积极判数据来源：WSTS
（三）我国集成电路产业发展情况
在消费电子终端市场需求疲软，我国集成电路产业规模发展受到一定制约。根据国家统计局的数据显示，2023年中国的集成电路产量为3514亿块，相较2022年的3242亿块有所增长。根据中国海关总署官网数据显示，2023年中国累计进口集成电路4795亿颗，较2022年下降10.8%；进口金额3494亿美元，同比下降15.4%。此外，2023年中国二极管和类似半导体组件进口量也下降23.8%。中国集成电路和半导体设备进口疲软，反映2023年全球经济逆风，特别是中国智能手机和笔记本电脑销售疲软等因素影响。同时，随着我国集成电路产品国产替代进程的逐渐加快，中国企业也在努力提高本土芯片产量，以减少对进口芯片的依赖。
根据《2021-2025年中国半导体封测行业市场现状与发展前景报告》，预计中国半导体封测市场规模将从2021年的约 3,467亿元增长至2025年的约 5,189亿元，年复合增长率约为 7%。在增速方面，随着国内半导体产业的快速发展及全球产能转移趋势的持续，中国半导体封测市场将继续保持较高的增长速度。
（四）国家支持集成电路产业发展的相关政策
半导体产业作为信息产业的基础和核心，是国民经济和社会发展的战略性产业，国家给予了高度重视和大力支持。为推动我国以集成电路为主的半导体产业发展，增强信息产业创新能力和国际竞争力，国家出台了一系列鼓励扶持政策，为半导体产业建立了优良的政策环境，促进半导体产业的快速发展。
部分相关政策包括：
序
号 时间 发布机构 文件名称 有关本行业的主要内容
12023年 工业和信息化部 《电子信息制造业2023—2024年稳增长行动方案》 在集成电路、新型显示、智慧健康养老、超高清视频、北斗应用等领域建立与有关国家（地区）间常态化交流合作机制。22023年 国家发展和改革委员会 《关于促进电子产品消费的若干措施》 促进电子产品消费，助力消费恢复和扩大32023年 工业和信息化部 《关于推动能源电子产业发展的指导意见》 功率半导体器件。面向光伏、风电、储能系统、半导体照明等，发展新能源用耐高温、耐高压、低损耗、高可靠 IGBT器件及模块，SiC、GaN等先进宽禁带半导体材料与先进拓扑结构和封装技术，新型电力电子器件及关键技术。42021年 国务院 《“十四五”数字经济发展规划》 瞄准传感器、量子信息、网络通信、集成电路等战略性前瞻性领域，提高数字技术基础研发能力。完善 5G、集成电路、新能源汽车、人工智能、工业互联网等重点产业供应链体系。52021年 中华人民共和国全国人民代表大会 《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年（ 2021-2025年）规划和2035年远景目标纲要》 瞄准人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、脑科学、生物育种、空天科技、深地深海等前沿领域，实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。培育先进制造业集群，推动集成电路、航空航天、船舶与海洋工程装备、机器人、先进轨道交通装备、先进电力装备、工程机械、高端数控机床、医药及医疗设备等产业创新发展。62021年 工业和信息化部 《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》 重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。72021年 广东省人民政府 《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》 “以广州、深圳、珠海为核心，打造涵盖设计、制造、封测等环节的半导体及集成电路”；“以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与集成电路封装测试”、“对半导体及集成电路产业的布局涵盖全链条，包括芯片设计及底层工具软件、芯片制造、芯片封装测试、化合物半导体、材料及关键元器件、特种装备及零部件配套”；根据《“十四五”时期全省制造业总体空间布局图》，公司住所所在地佛山市为半导体与集成电路产业集群的重点城市。
（五）公司市场地位
1、市场地位
公司主要从事半导体封装测试，拥有具有多项知识产权的半导体封装测试技术，经过多年潜心研发和市场开拓，公司目前形成了半导体器件年产超百亿只生产能力。
2、公司技术水平和特点
公司主要从事半导体封装测试业务，是专业化的半导体封装测试厂商，在金属基板封装、全集成的锂电保护IC、SIP系统级封装等方面拥有核心技术。公司主要技术特点如下： （1）封测细分领域核心技术竞争力突出，技术创新显著
公司在金属基板封装技术中已实现无框架封装；在DFN1×1的封装中，已将封装尺寸降低至370μm，达到芯片级贴片封装水平；公司具备 12英寸晶圆全流程封测能力，掌握 SIP系统级封装、倒装技术（Flip Chip）等先进封装技术，成功实现超薄芯片封装技术，在磨片、划片、点胶、粘片以及焊头控制方面形成独特工艺，成功突破80-150μm超薄芯片封装难题。公司经过多年的技术沉淀形成自（2）封装工艺技术创新不断公司重点在半导体封装工艺的细节上进行研发，在研发生产实践中不断创新封测全流程工艺技术。公司已掌握完整的宽禁带半导体封测技术体系，利用DFN5×4封装系列，开发大功率 MOSFET车规级产品，能够实现新能源汽车等领域多项关键功能的驱动控制。同时能够根据客户需求开发出的高集成锂电保护 IC产品，通过 SIP系统级封装技术能够实现多芯片合封，满足客户多样化需求。另外，公司在封测环节各项工艺细节中均不断创新，在功率器件封装中自主设计功率器件框架分离装置，在粘片环节发明了框架自动分离技术；自主设计塑封模具结构，实现铜引线框架在腔条内完成自动注胶固化；高可靠焊接技术拥有多项创新，打线工艺中公司铝带焊接工艺已成功掌握超低线弧和超长线弧控制技术；铜桥工艺解决传统打线工艺中的高密度焊线生产效率低、打线弹坑、封装寄生参数等问题；芯片倒装技术（Flip Chip）具有小尺寸封装大芯片、稳态热阻小的特点。此外，公司在智能制造领域目前已开展全部产线设备数字化管理和自动搬运管理推动升级，并通过引入机器人设备管理和制造业大数据分析系统，实现封测全流程自动化。
3、公司封测技术与行业技术发展趋势的匹配性
公司封装产品包括多个系列，主要包括QFN、DFN/PDFN、SOT/TSOT、SOP/ESOP、TO等。公司在倒装技术（Flip Chip）、系统级封装技术（SIP）等多项封装测试技术上拥有核心技术，能够紧跟行业技术发展趋势，技术能够应用于封装产品，具有一定市场竞争力。
公司主要封装系列产品技术水平与行业封装技术水平的匹配情况具体下表：
公司
封装
产品 公司产品技术特点及优势 应用领域 公司与行业技术发展匹配情况QFN/DFN/PDFN 1、公司核心技术之一金属基板封装技术在 DFN1×1封装产品中得到广泛应用、具有可靠性高、封测成本低的综合竞争优势，最小封装尺寸为 DFN0603系列；
2、采用背面贴膜的高密度蚀刻框架封装技术，可满足
高集成度要求；
3、实现超薄芯片封装，解决芯片暗伤等问题；
4、研发成品自动剥料机，提高工艺能力和效率；
5、采用 Clip bond封装技术，具有大电流、低热阻的
表现。 主要产品包括二极管、LDO、LED驱动、锂电保护 IC、DC-DC、ESD等，应用于消费类电子、便携电子设备、安防电子、网络通信、汽车电子等，如笔记本电脑、平板电脑、手机、数码相机、手持风扇、无人飞机等。 公司掌握的高密度蚀刻框架封装技术满足集成度高的要求；Clip bond封装技术拥有更高电学性能、成本更低；
公司目前已拥有 DFN0603、DFN1006等多个小尺寸系列的量产产品；公司技术与行业朝向小型化、高电学性能、高集成度发展方向相匹配。SOT/TSOT 1、设计具有自主知识产权的高密度框架，新设计的框架单位成本有所下降，塑封、去氧化和成型分离生产效率提升明显；
2、公司拥有高效的测试技术和超薄芯片封装技术；
3、在 SOT23-X的封装平台上，开发全集成锂电保护
IC；应用在 TSOT封装系列的倒装技术（Flip Chip），具有完善的芯片自主磨划工艺生产能力，采用金属柱连接，能够缩小封装尺寸。 主要产品包括三极管、二极管、LDO、LED驱动、锂电保护 IC、DC-DC等，应用于消费类电子、安防、网络通信、汽车电子、调制解调器、通信设备（平板电脑、数码相机等）等领域。 公司采用倒装技术（ FlipChip），有效提高产品性能，降低封装尺寸；采用高密度框架直接提升塑封和后续工序效率；采用集成芯片的封装方式，降低封装尺寸、导通电阻和综合成本，公司技术与行业朝向小型化、多功能、高速度等发展方向相匹配。SOP/ESOP 1、依据客户需求，开展定制化生产；
2、在划片、点胶/压模、多芯片互联工艺生产、粘片
压焊以及焊头控制等环节拥有具有市场竞争力的工艺改进技术；
3、拥有自主开发多站点（site）的测试电路和测试方
案的设计能力，集成电路测试技术覆盖面广；
4、能够利用 SIP系统级封装技术实现芯片垂直叠装、
芯片平面排布等封装结构。 主要产品包括 AC-DC、DC-DC、充电管理 IC、LED驱动 IC、MOSFET等，应用于消费类电子、安防、网络通信等领域。 行业技术水平较为成熟，用于通用产品封装，主要发展方向为提升品质及生产效率。公司拥有成熟的该系列的封装技术，与行业技术发展趋势相匹配，并能针对客户需求定制化生产，解决芯片暗伤等技术难点。TO 成熟稳定的封装技术，能够为客户提供大批量、高质量的半导体产品。 主要产品为二极管、三极管、MOSFET等，应用于汽车电子、消费类电子、网络通信、电源、显示器等领域。 行业技术水平成熟，主要发展方向为提升品质及生产效率。公司采用高密度框架封装技术，生产效率提升明显；在 TO-220系列中运用Clip bond技术可有效提升产品性能，与行业技术发展趋势相匹配。目前，我国半导体封装测试行业整体处于充分竞争的状态。在半导体全球产业链第三次转移的过程中，我国半导体封装测试技术整体与国际水平相接近。公司目前已通过自主创新在封测全流程实现智能化、自动化生产体系的构建，具备 12英寸晶圆全流程封测能力，在功率半导体、芯片级贴片封装、第三代半导体等领域实现了科技成果与产业的深度融合，已形成年产超150亿只半导体的生产规模，分立器件生产能力全国企业排名第八，位列内资企业第四，是华南地区重要的半导体封测企业。
四、主营业务分析
1、概述
公司从事半导体封装测试业务，为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品。产品类型主要为二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT、SiC SBD、SiC MOS等分立器件产品和 LDO、AC-DC、DC-DC、锂电保护充电管理IC及LED驱动IC等集成电路产品。封装形式涉及有DFN、QFN、SOT、SOD、SOP、TO等 80多个系列，产品应用领域覆盖汽车电子、工业控制、消费电子等方向，已形成年产 150亿只半导体器件的生产规模。
详情请参见“三、管理层讨论与分析”之“（二）、报告期内封装测试业务情况”之“1、公司主营业务”的相关内容。
2、收入与成本
（1） 营业收入构成
（2） 占公司营业收入或营业利润10%以上的行业、产品、地区、销售模式的情况 适用 □不适用
公司主营业务数据统计口径在报告期发生调整的情况下，公司最近1年按报告期末口径调整后的主营业务数据 □适用 不适用
（3） 公司实物销售收入是否大于劳务收入
是 □否
行业分类 项目 单位2023年2022年 同比增减
计算机、通信和其他电子设备制造业下的电子器件制造业 销售量 元 727,263,911.23 741,682,292.24 -1.94%生产量 元 773,758,900.00 786,911,000.00 -1.67%库存量 元 71,912,579.12 52,078,953.04 38.08%相关数据同比发生变动30%以上的原因说明适用 □不适用
2023年库存量71,912,579.12元，较2022年增长38.08% ，因产量规模提升，产品更新迭代较快，备货的数量有所增加所致。
（4） 公司已签订的重大销售合同、重大采购合同截至本报告期的履行情况 □适用 不适用
（5） 营业成本构成
产品分类
（6） 报告期内合并范围是否发生变动
□是 否
（7） 公司报告期内业务、产品或服务发生重大变化或调整有关情况 □适用 不适用
（8） 主要销售客户和主要供应商情况
3、费用
4、研发投入
适用 □不适用
主要研发
项目名称 项目目的 项目
进展 拟达到的目标 预计对公司未来发展的影响HTSSOP16封装项目 采用83*270*0.127mm尺寸结构的框架平台，设计基于冲压工艺的高强度框架，HTSSOP16单排框架设计产品数量为360PCS。 已完成 建设HTSSOP16单基岛、多引脚高密度引线封装的集成封装生产线，建立完善可靠的封装工艺技术标准，量产应用于马达驱动/运动/点火控制器和驱动器等市场，产品开发前期产能达到400万只/月以上，产品性能达到国内领先水平。 以创新封装工艺，填补我司在表面贴装多引脚产品在驱动马达IC 等产品的封装技术欠缺，有效降低成本，提升生产效率，大大提升了公司的竞争力。功率器件片式封装技术提升 项目研究的目的在于研发具有自主知识产权的新型节能环保功率器件关键技术与制造工艺，主要是大电流功率器件VDMOS。 已完成 1.能够封装75～500μm铝线、介于1.5×1.5mm2～5.0×5.0mm2的新型大电流VDMOS功率器件芯片，项目完成后，可实现功率器件的国产化；2.项目完成后每年能够生产、销售新型大电流VDMOS功率器件3000万只以上。 1.提高企业自主创新能力，促进产业技术升级；
2.提高能源利用效率,促
进节能技术发展,实现资
源节约和环境保护；3.扩大企业产业规模，提高企业竞争力；4.带动产业发展。家居电子终端中的集成电路技术提升国内领先的自动化设备，开发家居电子终端中应用的片式集成电路，提高集成电路的品质与生产效率。 已完成 项目在兼顾原有半导体工艺的基础上，产生了新的DFN封装工艺，提升DFN封装集成电路智能制造水平，提高产品品质和产量，达到年新增集成电路8亿只生产规模。 1.提升了家居电子终端中的集成电路制造技术水平，提高了产品研发能力。2.产品品质达到国内领先水平，能够替代进口，为企业创造新的利润点。GaN功率器件DFN8×8_3L封装工艺开发 开发设计适合GaN封装要求的DFN8×8_3L封装外形和框架，针对GaN器件高温、高压、高频、高功率密度特点，重点开发封装工艺和高热流密度散热工艺等关键技术，满足第三代半导体功率器件对热稳定性、大电流和高电压的要求。 已完成 1、开发设计适合GaN封装要求的DFN8×8_3L封装外形和框架；2、制程水平及良率标准：试产阶段Assembly Yield goal:98.5%，OS<0.5%；试产阶段Assembly Yieldgoal:99%，OS<0.5%； 满足第三代半导体功率器件对热稳定性、大电流和高电压的要求。主要应用于电源适配器、车载充电、数据中心、5G基站电源等领域，进一步提高产品综合竞争力及企业经济效益。集成电路SOP-8封装技术提升 利用公司原有厂房，置换原有的落后设备，提高集成电路生产效率，在项目完成后达到年产5.5亿只集成电路的规模。 中试 项目完成后，实现目标：1.开发的产品能够达到国内领先水平；2.开发集成电路新产品3个以上，并且实现产业化，提升电子行业集成电路封测产业化能力，增强我国集成电路产品的市场竞争力；3.极大提高产品质量和生产效率；4.有利于促进产品制造业转型升级，应用机器人提升我省制造业智能化水平；5.带动相关行业发展。 通过技术攻关，提升产品封装的技术能力，提高公司的竞争力。家居电子终端中的 引进具有国际先进水平的生产设备，置换原有的落后设 中试 1.通过引进具有国际先进水平的生产设备，从整个生产线的效率来看，由 （1）促进产业技术升级，提高企业自主创新能分立器件技术提升产规模与效率，实现年新增半导体分立器件6亿只的生产规模。 于各主要工序全部采用了智能装备，生产效率大约提高了1倍。2.产品成品率＞98.52%，每销售1亿只产品客户投诉退货不超过1.68 次。3.产品品质达到国内领先水平，能够替代进口 力；（2）扩大企业产业规模，提高企业竞争力；
（3）促进智能装备发
展，提高高端装备自给能力。双边扁平无引脚封装产品的开发项目 打造基于金属基板的双边扁平无引脚封装示范线，突破芯片封装核心共性技术；提升芯片板级封装公共技术服务水平，助力产业研发升级；制定佛山半导体封测产业技术标准规范及发展技术路线，支撑产业新技术快速发展。 中试 形成基于金属基板的双边扁平无引脚封装示范线，包括DFN0603示范线1条、DFN1×1示范线1条、DFN2×2示范线1条；形成芯片板级封装公共技术服务平台1个，提供检验检测、失效分析、制造技术升级、智能化改造、标准化建设等方面公共技术服务不少于200批次； 建立佛山市半导体封装行业技术标准体系，提交标准草案2项；发布佛山市半导体封测产业发展技术路线图；申请专利3项以上。 以基于金属基板的双边扁平无引脚封装为突破口，解决芯片板级封装产业核心共性技术问题。电源转换集成电路的开发项目 SOT23—X封装电源转换集成电路智能制造技术升级，旨在顺应行业发展需要，提升企业技术水平，提高市场竞争力，开发、生产市场旺销的片式封装集成电路。 中试 1.提高集成电路生产效率，在项目完成后达到年产6亿只集成电路的规模2.瞄准国际同行，开发的产品能够达到国内领先水平，替代进口。 1.提高了企业自主创新能力；2.提高了公司片式集成电路的生产规模，有利于降低成本，提高企业竞争力；3.有利于促进产品制造业转型升级，应用机器人提升我省制造业智能化水平。六引脚集成电路高密度封装工艺开发电池管理器件封测生产线，开发新产品BRCL3160MF。 中试 通过引进具有国内领先水平的设备，建设一条高密度框架的锂电池管理器建新产品产业化的生产线，产品达到国内领先水平，为企业创造新的利润增长点。 项目实施后，提高企业自主创新能力，促进产业技术升级；扩大企业产业规模，提高企业竞争力。八引脚集成电路高密度封装工艺开发备，提升八引脚集成电路高密度封装工艺技术水平。八引脚集成电路高密度封装就是其中最典型的一种封装，旨在顺应行业发展，提高企业竞争力，为企业创造利润。 中试 1.提升八引脚高密度封装工艺技术水平，提高产品品质和产量，达到年新增集成电路6.5亿只生产规模。2.产品品质达到国内领先水平，能够替代进口，为企业创造新的利润增长点。 提高了企业自主创新能力，增强了企业竞争力。片式功率器件智能制造技术提升项目 项目通过购置一批智能装备、机器人等，关键设备生产信息接入制造执行系统MES，打造了CIM信息化集成体系，实现生产现场的透明化、数据化和可视化，扩大了生产规模，提高了产品质量和市场竞争力，为企业带来丰厚的利润，促进了行业推广。 中试 1、建立一条片式功率器件智能制造生产线，主要生产SOT23-X封装(X=3、
5、6，即3引脚、5引脚、6引脚)、
DFN封装和SMA封装的片式功率器件（或模组）
2、年新增片式功率器件8亿只；
3、每年可节省能源消耗量118.71吨
标准煤。 本项目产品将达到国外同类产品水平，替代进口，提高了企业竞争力。用于车规级磁传感芯片封装关键技术开发 以创新封装工艺，开发了基于TS-2封装的车规级速度传感器芯片主要用于汽车电子ABS轮速传感器、曲轴传感器、凸轮轴传感器等 已完成 项目产品通过了AEC-Q100车规级认证并达到Grade 0等级，工作电压范围达到3.8～26.5V，工作温度范围达到-40~150℃，温漂控制在2%以内，在高稳定性要求环境下静态电流低至1.6mA，磁传感器芯片核心技术越先进，芯片寿命越长，可靠性越好。目前产能达到500万只/月 进一步拓展了车规级芯片市场规模，快速布局汽车电子市场，突破细分应用领域。SOT23高密度铜材引线框架封装关键技术开发 目前SOT-23封装在用的是铁镍合金框架，采用低密度6R结构的设计，生产效率低，镍价波动较大，对成本、交期带来诸多不利影响。相关封装工艺、技术升级迭代的迫切性尤为重要，设计基于0.11mm厚度铜基材20R高密度引线框架，提高生产效率和产品可靠性。 已完成 1.设计出高密度铜材质引线框架，单片框架单元数量增加416%，封装效率提升313%。2.解决大尺寸芯片高温共晶崩裂问题，量产良率≥98%。3.共晶工艺的产品潮湿敏等级达到MSL1，点胶工艺的产品潮湿敏等级达到MSL3。4.引线框架采购成本下降45%。 1、加快技术升级迭代、以创新封装工艺，降低生产成本，提高生产效率、产品质量，使项目产品产业化生产，提升企业竞争力，满足市场需求。2、项目产品主要应用于家用电器、汽车电子、光伏储能、电动工具、物联网等领域，进一步提高产品综合竞争力及企业经济效益。用于车规级功率器件封装的低温烧结银关键工艺开发 基于对低温烧结银的新工艺攻关研究，为我司的功率型器件如SiC、GaN等第三代半导体及汽车电子的发展储备先进的工艺技术基础。 小试 1.经过烧结后的连接层主要成分为银，具有优异的导电和导热性能、极高的可靠性。2.所用烧结材料具有和传统软焊料、常规导电胶相近的烧结温度200℃-250℃，可实现低温无压烧结。3.研究低温烧结银热导率可达到100W/mK以上，可满足大功率器件导热品质要求。4.本项目研究的低温烧结银粘接推力相对软焊料整体提升8%以上，高温推力表现优秀。5.采用无卤配方，对环保友好型；可防飞溅的免清洗型助焊剂有利于减少工艺步骤。6.可操作工艺窗口大。 本项目技术材料产品利润预计相对提高60%左右，技术转换可实现高附加利润值增加，提高功率器件封装的可靠性，增加产品综合竞争力。随着技术稳定转换，应用技术稳定扩大应用产品领域，对应材料成本、封装成本也会有较大幅度降低。宽禁带功率半导体器件封装研究 宽禁带半导体器件具有高击穿电场、高热导率、耐高温、高电子饱和速率和极佳的抗辐射能力等特性，除普遍应用于电力电子，新能源汽车，光伏，轨道交通，微波通讯器件外，还应用军用武器系统、核能开发、航空航天、石油地质勘探等领域，功率器件面临着高温、大温度范围的工作条件。公司发展突破核心技术。通过封装技术对器件内部工作环境进行有效散热，使其内部金属器件工作环境温度较低，有效克服了宽禁带功率器件急需解决的关键问题。 研究阶段 1、在DFN8×8、TO-220AC、PDFN5×6封装平台上通过采用宽禁带半导体功率器件高可靠封装工艺，达到量产水平。
2、开发一系列宽禁带半导体功率器件
的产品类型SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT 为公司开拓市场奠定基础，推广应用在光伏储能、新能源汽车、数据中心、PD快充等领域。基于TO220/TO252/PDFN5*6封装的clipbond工艺研究 随着大电流、高电压等应用场景需求增长，功率器件产品需求持续旺盛，为了解决这些问题，充分发挥高功率芯片潜在的巨大优势，应用了Clip bond等技术的TO、PDFN封装系列能够更好的满足市场对大电流、高电压等功率器件的要求，在工业控制、新能源汽车等领域广泛得到应用 研究阶段 1、打通在PDFN5×6、TO-252、TO-220封装平台上采用Cu Clip封装工艺流程，达到量产水平。
2、开发一系列产品类型中低压功率
MOSFET，导通阻抗Rds（ON）＜1mΩ，封装稳态热阻得到较大幅度降低。 实现封装工艺平台批量生产，在工业控制、新能源汽车等领域广泛得到应用，扩大市场规模基于贴膜工艺蚀刻 现在的电子产品有个明显趋势是持续向体积更小、重量 研究阶段 1、QFN框架设计整片尺寸有70×250mm增加至100×300mm，由分 实现贴膜工艺蚀刻框架的无引脚封装平台批量生框架平台的无引脚封装研究 更轻的方向发展，而QFN封装在传统封装类型中具有最高的封装效率。其中，QFN框架在键合和模塑过程中一般采用背面贴胶带的方式，利于搬运和防止模塑溢料至框架背面，但胶带的有效粘结层主要是硅树脂，受热后易产生挥发物，对键合强度和塑封料与框架的结合强度造成不利的影响。因此，解决贴膜框架的工艺问题是无引脚封装的关键。 块塑封向整块塑封设计发展，单元个数增多约80%，单片铜耗大幅减低。
2、框架采用选择性镀银工艺，电镀位
控制精度±30um，电镀区域灵活、准确、无侧面漏银。
3、选用CTE和框架基材匹配的热贴胶
纸，降低热失配，胶纸剥离后无残胶，提高封装体焊接性能。 产，产品满足质量可靠性要求，可以广泛应用于TWS、智能家居、健康护理、便携式可穿戴电子产品的电源管理IC、小信号MOSFET等领域。新型结构的MOS芯片设计 传统的平面垂直型VDMOS、沟槽垂直型Trench MOS已不能满足低导通、高开关频率、高密度功率的新型能源要求。为解决这些问题，开发新型结构的MOS芯片设计、封装技术应用 研究阶段 1、采用世界先进的Shield Gate中低压屏蔽栅平台，设计80V 200A功率MOSFET器件，Rdson最大值4mΩ@10V。
2、采用中芯国际CoolMOS工艺平台，
设计600V 20A器件，Rdson最大值190mΩ@10V，Cell和终端尺寸按design rule和gds sample设计。 新型结构的MOSFET具有高开关频率、高功率密度的优势，应用在电源同步整流、电动工具、适配器、电池保护、无线充电等领域，能够满足新型绿色能源对能效的要求。高集成的锂电池保护、充电管理IC设计 项目是应用于各种场景需求的高集成度锂电池保护芯片设计、超薄小型化封装研究。主要是锂电池保护IC是电源管理IC的一个重要分支，目前的单节锂电池保护电路主要以控制IC和MOSFET搭配若干电阻和电容，以达到锂电池的过充电保护和过放电保护功能，控制IC和MOSFET有分立形式和集成形式两种。随着电子设备越来越小型化发展和大众化普及，高度集成化和低成本成为行业趋势。 研究阶段 1、采用SOC设计，晶圆内部集成50mΩMOSFET和阻容器件，具有锂电池反接保护功能，能有效避免由于锂电池反接造成的内部电源端的静电保护器件损坏，保证芯片功能正常。
2、采用高密度框架封装平台，可实现
DFN1×1_4L、DFN2×2_6L、SOT23-5/6L等系列表面贴装的超薄封装。 本项目产品的市场应用结构看，主要是在锂电池保护，而现在的手机、平板电脑、移动电源、移动音箱、穿戴设备等是锂电池的广泛的应用领域，市场占有率高，是普遍的大众的消费领域，所以市场前景良好，再加上我司现有的客户群中有应用的客户，可以很快推广市场。
从相比同类产品，本项目产品性能优良，已经达到了同比国际先进水平。其不但可以满足普通用户的使用要求，在某些场合，已经可以替代进口。板级埋入式封装结构 作为先进封测产业中，子模块和子系统设计与集成以及终端产品的核心基础，先进基板是支持先进工艺下巨量I/O提升以及SIP（系统级封装）的核心载体，是异质集成技术的基础与支撑，后摩尔时代，对国家重点行业与重点领域起到核心支撑作用。 研究阶段 项目研究解决如何有效、可靠地将芯片或元件植入基板内，并形成埋入组件与基板布线的互连；特别是芯片式埋入，成品率对于成本的影响至关重要。研究解决如何通过结构设计解决在工作状态下因器件散热带来的不同CTE 材料(如芯片、基板及铜布线）之问热应力的有效匹配问题，防止由于不平衡的热应力或应变带来芯片裂纹、铜导线开裂、分层等结构及性能失效问题的发生。评估实现工艺平台的可行性，用于研发技术储备。 埋入式基板技术相比于传统的、将元器件全部焊接至PCB板表面的技术，元器件埋入基板技术能够缩小元件间互连距离，提高信号传输速度，减少信号串扰、噪声和电磁干扰，提升电性能，降低模块大小，提高模块集成度，节省基板外层空间，提升器件连接的机械强度。对于实现高性能、高要求、小型化、薄型化的便携式电子设备具有非常重要的意义。芯片级封装技术（CSP、flipchip、BGA） 相对于传统封装方式，先进封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等诸多优势，能够提升性能、拓展功能、优化形态、 研究阶段 基于QFN、DFN、TSOT封装平台，实现Flip Chip工艺量产。具备：更高的连接密度、更短的互联距离、更小的封装尺寸、更高的散热效率及更高的可靠性。 在有限的封装体积下，实现最大尺寸的芯片封装技术，可广泛应用于各种高集成度的电源管理IC、数模混合集成电路封装。能降低成本。研究设计FlipChip CSP封装结构，在芯片顶侧形成焊球，然后将芯片翻转贴到对应的外部电路的基板上，利用加热熔融的焊球实现芯片与基板焊盘结合。解决量产工艺问题。 够提升性能、降低成本。
1、拥有的国内外授权专利情况
截至2023年12月31日，公司已获得专利150项，其中30项发明专利、110项实用新型专利、软件著作权3项、集成电路布图设计专有权7项。
2、报告期内研发投入金额和主要研发投向
六引脚集成电路高密度封装工艺开发项目 311.57 10.60%
八引脚集成电路高密度封装工艺开发项目 249.66 8.49%片式功率器件智能制造技术提升项目 204.14 6.94%SOT23高密度铜材引线框架封装关键技术开发 36.53 1.24%用于车规级磁传感芯片封装关键技术开发 47.33 1.61%用于车规级功率器件封装的低温烧结银关键工艺开发 16.16 0.55%板级埋入式封装结构 21.84 0.74%基于TO220/TO252/PDFN5*6封装的clipbond工艺研究 48.53 1.65%基于贴膜工艺蚀刻框架平台的无引脚封装研究 21.30 0.72%宽禁带功率半导体器件封装研究 25.93 0.88%新型结构的MOS芯片设计 86.54 2.94%芯片级封装技术（CSP、flipchip、BGA) 24.84 0.84%高集成的锂电池保护、充电管理IC设计 25.87 0.88%合计 2,940.10 100.00%
5、现金流
本报告期筹资活动产生的现金流量净额较上期增加5,689.32%，主要系报告期内公司首次公开发行筹集资金净额增加所
致。本报告期现金及现金等价物净增加额较上期增加3,016.94%，主要系上述原因综合所致。报告期内公司经营活动产生的现金净流量与本年度净利润存在重大差异的原因说明 □适用 不适用
五、非主营业务情况
适用 □不适用
六、资产及负债状况分析
1、资产构成重大变动情况
公司首发上市，筹集资金到账所致应收账款 268,046,292.74 13.98% 202,579,828.07 18.07% -4.09%存货 127,371,983.13 6.64% 106,411,713.08 9.49% -2.85%长期股权投资 1,051,876.08 0.05% 0.05%固定资产 409,891,068.79 21.38% 402,593,218.62 35.91% -14.53% 主要原因系资产总额大幅增加导致占比被稀释所致在建工程 16,283,698.03 0.85% 69,743,744.23 6.22% -5.37%短期借款 21,019,871.55 1.87% -1.87%合同负债 807,418.58 0.04% 1,340,704.25 0.12% -0.08%长期借款 10,900,872.95 0.57% 44,618,312.79 3.98% -3.41%境外资产占比较高□适用 不适用
2、以公允价值计量的资产和负债
适用 □不适用
其他变动是到期未承兑的银行承兑汇票，转入应收账款。
报告期内公司主要资产计量属性是否发生重大变化
□是 否
3、截至报告期末的资产权利受限情况
七、投资状况分析
1、总体情况
适用 □不适用
2、报告期内获取的重大的股权投资情况
□适用 不适用
3、报告期内正在进行的重大的非股权投资情况
□适用 不适用
4、金融资产投资
（1） 证券投资情况
□适用 不适用
公司报告期不存在证券投资。
（2） 衍生品投资情况
□适用 不适用
公司报告期不存在衍生品投资。
5、募集资金使用情况
适用 □不适用
（1） 募集资金总体使用情况
适用 □不适用
理，未作其他用途。 0合计 -- 90,400 78,400募集资金总体使用情况说明
1、经中国证券监督管理委员会《关于同意佛山市蓝箭电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可
〔2023〕1048号）同意，公司首次公开发行人民币普通股（A股）5,000.00万股，每股发行价格为18.08元/股，募集资金总额为人民币904,000,000.00元，扣除相关发行费用（不含税）人民币119,994,381.95元（不含税）后，募集资金净额为人民币784,005,618.05元。募集资金已于2023年8月3日划至公司指定账户。华兴会计师事务所（特殊普通合伙）于2023年8月3日对募集资金到位情况进行了审验，并出具了《验资报告》（华兴验字[2023]21000840632号）。
2、截至2023年12月31日，公司已累计使用募集资金总额为人民币46,839.64万元，本期已使用募集资金总额为人民币46,839.64万元，截止2023年12月31日尚未使用募集资金总额31,805.01万元。
（2） 募集资金承诺项目情况
适用 □不适用
(2)/(1) 项目达
到预定
可使用
状态日
期 本报告
期实现
的效益 截止报
告期末
累计实
现的效
益 是否
达到
预计
效益 项目可
行性是
否发生
重大变
化
承诺投资项目
1.半导
体封装
测试扩
建项目 否 54,385
2、研
发中心
建设项
目 否 5,765.
62 5,765.
承诺投
资项目
小计 -- 60,150
超募资金投向
1.永久
补充流
动资金 否 5,300 5,300 5,300 5,300.
2、未
确定用
途的超
募资金 否 12,949
超募资
金投向
小计 -- 18,249
合计 -- 78,400
度、预计收益的情况和原因（含“是否达到预计效益”选择“不适用”的原因） 1、公司首次公开发行股票募集资金投资项目方案确定后，公司积极推进募投项目的实施工作；在项目开始初期，由公司自有资金进行投入，受自有资金投资规模、进度等局限性，导致项目建设进度有所延缓；
2、公司启动募投项目建设以来，募投项目的实施过程受到外部环境变化（突发公共卫生
事件等）的客观因素影响，项目整体施工进度、项目的设备采购、物流运输以及管理、施工人员安排等均受到一定制约，导致募集资金投资项目整体建设进度有所延缓；
3、因公司IPO历程中经历了变更上市板块的过程，历时较长，募集资金投资项目整体建设进度受到一定影响。 2023年12月28日，公司召开第四届董事会第十六次会议，审议通过了《关于调整募集资金投资项目计划进度的议案》，同意公司将募集资金投资项目之“半导体封装测试扩建项目”及“研发中心建设项目”实施预计完成日期调整至2024年12月31日。项目可行性发生重大变化的情况说明 不适用超募资金的金额、用途及使用进展情况 适用2023年8月10日，根据中国证券监督管理委员会出具的《关于同意佛山市蓝箭电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2023〕1048号），公司已完成首次向社会公开发行人民币普通股（A股）5,000.00万股。公司每股发行价格18.08元，新股发行募集资金总额为90,400.00万元，扣除发行费用（不含税）11,999.44万元后，募集资金净额为78,400.56万元，其中超募资金总额为18,249.83万元。公司分别于2023年8月25日召开第四届董事会第十四次会议、第四届监事会第十四次会议和2023年9月15日召开2023年第一次临时股东大会审议通过了《关于使用部分超募资金永久补充流动资金的议案》，同意公司拟使用超募资金5,300.00万元永久补充流动资金，占超募资金总额的29.04%。截至2023年12月31日，公司累计从超募资金专户转出5,300.00万元用于永久性补充流动资金。公司分别于2023年8月25日召开第四届董事会第十四次会议、第四届监事会第十四次会议和2023年9月15日召开2023年第一次临时股东大会审议通过了《关于使用部分闲置募集资金进行现金管理和部分闲置自有资金进行委托理财的议案》，同意公司使用不超过人民币3.7亿元（含本数）的闲置募集资金（含超募资金）进行现金管理，使用期限为股东大会审议通过之日起至2023年年度股东大会召开之日止，在上述额度和期限内，资金可循环滚动使用。截至2023年12月31日，超募资金用于现金管理的金额为12,949.83万元，闲置募集资金用于现金管理的金额为18,855.18万元。募集资金投资项目实施地点变更情况 不适用募集资金投资项目实施方式调整情况 不适用募集资金投资项目先期投入及置换情况 适用公司于2023年8月25日召开第四届董事会第十四次会议和第四届监事会第十四次会议审议通过了《关于使用募集资金置换预先投入募投项目和已支付发行费用的自筹资金的议案》，同意公司以募集资金置换预先投入募投项目的自筹资金40,374.71万元，置换已支付不含税发行费用的自筹资金553.68万元，合计置换资金总额40,928.39万元。公司独立董事对本议案发表了独立意见，保荐机构发表了核查意见，会计师出具了鉴证报告。截至2023年12月31日，上述募集资金置换事项已经完成。用闲置募集资金暂时补充流动资金情况 不适用项目实施出现募集资金结余的金额及原因 不适用尚未使用的募集资金用途及去向 截至2023年12月31日，公司尚未使用的募集资金总额为人民币31,805.01万元，均存放于相关银行募集资金专户及进行现金管理，未作其他用途。募集资金使用及披露中存在的问题或其他情况 无
（3） 募集资金变更项目情况
□适用 不适用
公司报告期不存在募集资金变更项目情况。
八、重大资产和股权出售
1、出售重大资产情况
□适用 不适用
公司报告期未出售重大资产。
2、出售重大股权情况
□适用 不适用
九、主要控股参股公司分析
□适用 不适用
十、公司控制的结构化主体情况
□适用 不适用
十二、报告期内接待调研、沟通、采访等活动登记表
适用 □不适用
接待
时间 接待
地点 接待
方式 接待对
象类型 接待对象 谈论的主要内
容及提供的资
料 调研的基本情
况索引
2023年10
月30
日 公司
会议
室 实地
调研 机构 1、佛山市上市协会：吴慧涛、秦瑜娜
2、广东大兴华旗：何海杰
3、汇融诚财富：陈绮锋
4、泰润海吉资产管理：罗少莹
5、玄甲私募基金：李大志、林佳义
6、方硕投资：董正
7、晟沅悦投资：刘志
8、赣晟投资：田小辉
9、宁聚投资：张雷 详见《投资者
关系活动记录
表》（编号：
2023-001） 互动易平台披露的《投资者关系活动记录表》编号2023-001）10、禅控私募基金：吉文钊
11、巨杉(上海)资产 ：张智晨
12、元吉资产：郭莉娜
13、凯鼎投资：刘剑辉、陈宁晖
14、天盈资产：刘志海
15、睿择投资：徐烺智
16、奶酪基金：郑丽敏
17、锦洋投资：朱韦潼
18、广发基金：吕真
19、华泰证券（上海）资产：李雅翔
20、马赫创富：李芮
21、千曲私募：候建庄
22、富业盛德：魏宏伟
23、华泰证券：杨思羽、江惠枝、向文龙、沈
天驰、季晨曦、邵凌、麦碧霞、丁一娜
1、浙商证券：李超、孙华圳、费瑾、廖博
2、中融基金：刘野
互动易平台披
2023 3、易方达基金：詹硕 详见《投资者
公司 露的《投资者
7、源峰基金：初钰峰
8、星河资本：何烨
十三、“质量回报双提升”行动方案贯彻落实情况
公司是否披露了“质量回报双提升”行动方案。□是 否
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