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永安行(603776)经营总结
截止日期2024-12-31
信息来源2024年年度报告
经营情况  一、经营情况讨论与分析
  公司始终秉承技术创新和绿色发展,以实现“碳中和”为愿景,围绕公共自行车业务、共享出行业务和新质生产力进行重点发展,报告期内公共自行车业务(TOG)虽因受客观环境影响,但随着公司氢能技术的不断提升,制造成本的不断降低,氢能业务实现增长态势,市场规模扩大。
  同时投资的芯片业务也取得了进展,市场前景广阔。
  报告期内,实现营业收入为45,782.49万元,其中系统运营服务业务收入为18,348.82万元、系统销售业务收入为1,153.75万元、共享出行业务收入为10,752.02万元、智慧生活业务收入为6,431.96万元,氢能产品销售及服务收入为9,095.94万元。实现归属上市公司股东的净利润为-6,830.41万元、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-14,692.28万元。造成亏损的主要原因是因部分客户拖延付款造成应收账款未能及时到账,公司坏账计提额度增加以及计提可转债利息所致。截至2024年底,公司账面资金86,116.64万元(其中现金52,386.73万元,理财33,729.91万元),应收账款79,285.21万元(其中国家机关及事业单位、国有企业合计占比85.22%,已计提坏账39,456.52万元)。公司无对外担保、无大股东资金占用。我们预计随着国家化债政策的不断落地,未来政府及国有企业等主要客户拖欠的79,285.21万元应收款将陆续收回冲正公司利润。
  报告期内,公司全资子公司常州科新永安电子锁有限公司通过了高新技术企业重新认定,公司控股子公司常州永安行氢能科技有限公司通过了高新技术企业首次认定。
  报告期内,公司继续在氢能、芯片产业投入研发,新增核心技术如下:1、氢能
  一体机、氢电混合摩托车
  5 燃料电池能量管理技术 自主研发 氢电混合绿色能源系统氢电增程低碳
  绿色能源系统等
  6 高性能空冷电堆技术 自主研发 
  7 固态储氢热管理技术 自主研发 
  
  2、芯片
  
  3、知识产权
  报告期内,公司聚焦核心技术的持续创新和知识产权体系的不断完善,新增专利授权39项,其中授权发明专利14项;新增专利申请90项(与氢能相关75项),其中发明专利45项。截至报告期末,公司拥有有效专利377项,其中授权发明专利80项。公司已连续两届入选全球氢能产业发明专利排行榜(前100名)。
  注:专利累计获得数量为有效专利数量。
  4、氢能产品
  报告期内,在国家“双碳”战略的驱动下,随着《能源发展战略行动计划(2021-2030年)》等政策的不断出台,氢能业务发展较快。公司共享氢能助力自行车已经在江苏昆山、江苏张家港、江苏常州、广东肇庆、浙江乐清、云南丽江等城市和南京中山陵景区为城市提供“氢出行”服务。
  公司主导制定的江苏省地方标准《小型制氢充氢一体化装置通用技术要求》于2024年8月获江苏省市场监督管理局批准立项。
  报告期内公司推出了多款新产品,主要产品为制氢储氢能源系统和氢气灶,制氢储氢能源系统是通过太阳能直流电解水制氢后直接储存,以便随时给用户提供氢气燃气和电力的供应;氢气灶是直接以氢气为燃料,燃烧时不产生CO和CO₂,实现家庭烹饪的零碳排放,安全可靠,更无泄漏爆燃的风险,解决了独立住宅、岛屿、农村等使用天然气的不便捷和有安全隐患的痛点,助力氢进万家,实现碳中和。
  制氢储氢系统氢气灶 氢气烧烤灶
  5、芯片产品研发进展
  公司投资的洛玛瑞芯片技术公司,目前研发出两款核心产品,一款为SIMO(硅-金属-氧化物)新型光电探测器,另一款为PMRAM(压磁随机存储器)新型存储芯片。
  (1)SIMO(硅-金属-氧化物)新型光电探测器
  核心参数如下:
  ●光谱响应范围:900-1200nm(覆盖短波红外至近红外关键波段,填补硅基与InGaAs探测器间的空白)。
  ●光响应度分别为:
  3V电压:650mA/W(1100nm);
  5V电压:1000mA/W(接近InGaAs水平);
  10V电压:2000mA/W(超越InGaAs探测器性能)。
  ●响应时间:1纳秒(满足高速通信、激光雷达等实时性需求)。
  ●暗电流:小于0.5nA(提升信噪比,适用于弱光探测场景)。
  ●生产工艺和成本:兼容标准CMOS产线,成本仅为InGaAs的20%
  ●应用领域:智能手机手表等消费终端、光纤通信、自动驾驶激光雷达、医疗成像、工业检测等。●产业化进展:试生产良率突破50%,2025年下半年启动客户验证。
  (2)PMRAM(压磁存储器)新型存储芯片
  核心参数如下:
  ●读写速度:<5纳秒(媲美SRAM,比DRAM快10倍),功耗0.1皮焦/比特(仅为DRAM的1%),断电数据永久保存。
  ●超高耐久:擦写寿命>1亿次(NANDFlash的千倍)。
  ●密度:128Mb芯片面积比SRAM缩小70%。
  ●TER(隧道磁阻比率):>300%(信号稳定性为同类产品的2-3倍)●行业价值:替换SRAM可使AI芯片功耗降低60%
  ●系统简化:无需驱动电路,直接嵌入计算单元●应用场景:存算一体芯片、AI推理芯片、智能汽车、手机、智能手表等消费电子、物联网设备等。●研发进度:1Mb产品前道工序产品即将完成,后道工序生产因产线设备调整延迟。宽带128Mb容量版2025年完成设计,预计2026年试产。
  

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