|
| 美迪凯(688079)经营总结 | | 截止日期 | 2025-12-31 | | 信息来源 | 2025年年度报告 | | 经营情况 | 二、经营情况讨论与分析
2025年，公司以现有核心技术与优质客户资源为依托，紧抓行业发展机遇，以科技创新为核心驱动力，持续巩固在光学光电子、半导体声光学等领域的业务优势，加速开发新技术、新产品、新工艺，力争成为国内光学光电子及半导体行业细分领域的领先企业。
报告期内，公司重点开展了以下工作：
（一）经营业务
公司积极优化业务与收入结构，投资了半导体声光学、半导体微纳电路（主要为MEMS）、半导体封测、精密光学、微纳光学及智慧终端制造等业务领域。通过多元化布局，公司在优化客户结构的同时，进一步完善了产业链上下游的布局，显著提升了公司的抗风险能力。
1、半导体声光学
部分产品已连续通过客户认证并实现批量生产，具体包括：（1）第一代、第二代超声波指纹芯片整套声学层及后道封测工艺已进入全面量产，第三代超声波指纹芯片整套声学层及后道封测工艺已进入开发阶段。（2）图像传感器（CIS）光路层解决方案中，采用I线光刻制程的产品已实现量产，采用KrF光刻制程的更高像素产品已进入开发阶段。（3）环境光芯片光路层产品中，第一代（两通道）和第二代（多通道）均已批量生产。（4）多通道色谱芯片光路层产品（主要应用于手机逆光拍照、色温感知、医疗领域等）采用不同工艺持续向多家客户送样，已得到部分客户认可。
2、微纳电路
（1）公司SAW滤波器晶圆已实现批量生产。（2）射频芯片BAW滤波器谐振器性能通过客户验证，目前已启动全流程工程样品制备。（3）MicroLED项目全流程工艺开发成功，已实现量产并逐步放量。（4）非制冷红外传感器芯片客户已认证完成，准备小批量量产，后制程封测已启动开发。（5）压力传感器芯片、微流控芯片、激光雷达等MEMS器件也处于工艺选型开发阶段。
3、半导体封测
（1）射频滤波器领域，已完成从晶圆制造到封装测试的全流程交付。（2）功率芯片领域，公司拥有TO至TOLL、PDFN（CLIP）等封装技术，并实现批量生产。产品覆盖IGBT、SGT、SiC与GaN功率器件。（3）WL-CSP封装产品工艺开发并逐步送样。
4、玻璃晶圆精密加工
（1）公司与全球领先光学玻璃材料厂商紧密合作，半导体承载基板及AR/MR用玻璃晶圆产品持续量产出货。（2）硬盘驱动器（HDD）用玻璃基板已进入开发阶段。
5、精密光学
（1）车载用激光雷达贴片棱镜开发成功并实现量产。（2）光刻用掩膜版衬底生产工艺开发完成并逐步送样。
6、微纳光学
公司配合知名终端客户开发半导体工艺键合棱镜已实现量产并逐步放量。公司开发了衍射光学元件（DOE）、匀光片、微透镜阵列（MLA）、晶圆光学模组及光学晶圆微封装等产品，部分已开始小批量生产，主要应用于通信、消费电子（包括智能手机、智能穿戴设备等）、智能汽车等领域。
公司将坚定践行“光学与半导体工艺”深度融合的发展路径，前瞻性布局下一代光电融合赛道，夯实关键技术壁垒，致力构筑面向未来的产业核心竞争力。
（二）技术研发
作为科技创新的坚定践行者，公司始终将自主研发能力建设置于战略核心地位，构建起“研发投入-技术突破-价值转化”的创新闭环体系。在核心技术领域，公司不断追求更新与迭代，取得了显著成果。
1、半导体声光学领域
开发了超薄屏下指纹芯片整套声学层加工工艺，通过声学叠层设计，结合半导体制程技术和油墨丝印技术，在芯片上进行多层声学层加工。开发了多通道色谱芯片整套光路层加工工艺，通过采用干法刻蚀工艺，成功实现在微小间距不同感光区域上进行不同通道光学光路层加工，解决了传统技术中光线串扰、精度不足和效率低等痛点。开发了RGB大尺寸、大间距无机沉积光路层的整套加工工艺。开发了Metalens工艺，通过采用原子层沉积（ALD）实现纳米级膜厚控制并降低膜层应力，同时设计了不同折射率的介质叠层膜系以满足相位要求。
2、微纳电路领域
开发了射频芯片BAW滤波器整套生产工艺（包含：滤波器流片-掺Sc＞30%、WLP盖板封开发了晶圆级双面金属通孔互联工艺（包含：深孔刻蚀、溅射、电镀填充、CMP、减薄、RDL等工艺）。开发了MicroLED全流程工艺，引入无机微透镜阵列加工技术，其无机透镜在热稳定性、光学性能及化学稳定性上均优于传统有机方案。开发了非制冷红外传感器芯片的伞层结构悬浮工艺，该工艺通过涂胶、光刻、显影和刻蚀等一系列工序加工出伞层结构，实现了良好的热隔离。
3、半导体封测领域
公司自主研发的真空塑封技术（已申请发明专利）跟同行业的覆厚树脂膜工艺相比，单颗芯片加工成本可以降低10%左右，成品耐高温能力可以达到350摄氏度以上，而行业普遍耐高温能力为300摄氏度，产品可靠性更高。开发了TGV工艺（玻璃通孔工艺），通过激光诱导和湿法腐蚀工艺对玻璃基材实现微小孔径（≥5μm）的通孔、盲孔处理，孔侧壁Ra值≤80nm，同时开发了PVD、电镀、CMP工艺满足孔内金属化，并开发了平面RDL布线工艺形成电性互联。射频芯片封装厚度可以做到0.375mm，处于行业领先水平。晶圆减薄最大尺寸可以做到12寸，厚度最薄可以加工到25μm,处于行业领先水平。开发了超高功率芯片封装工艺，如：TOLL、PDFN（CLIP）等。
4、精密光学领域
开发了硬盘驱动器（HDD）玻璃基板加工工艺，通过精密外形加工及内外径端面抛光等工序，将产品表面损伤控制在百纳米以内，并实现高同心度，产品应用于硬盘存储领域。开发了高效超精密化学机械抛光（CMP）技术，该技术不仅适用于晶圆薄膜的平坦化处理，更拓展至陶瓷、晶体、玻璃等光学材料的平面及复杂曲面抛光，具有高效、低损伤特点，支持最大30英寸基片加工，TTV＜10μm。
5、微纳光学领域
开发了半导体工艺键合微棱镜工艺，该工艺融合超精密光学冷加工、半导体光刻、光学成膜及棱镜键合等核心技术，实现光路的多次折叠与高效传输，显著提升手机摄像头的变焦能力与成像质量。公司掌握晶圆级3D微纳结构母版制作核心技术，采用灰度光刻技术制备母版，并结合晶圆级纳米压印工艺在基板表面实现微纳结构复制，该方案兼具高可靠性、高分辨率与高生产率。
此外，公司开发了晶圆级压印光学模组技术，模组最小尺寸可达1mm×1mm，面型精度PV≤1μm。同时，结合干法刻蚀工艺，公司能在光学模组表面集成亚微米深度的纳米绒抗反射结构，显著提升光学系统的抗反射性能。
另外，公司持续开展MicroLED纯彩方案、十倍以上光学变焦多折射半导体工艺键合棱镜、电源管理器件的晶圆级芯片尺寸封装、医疗领域微电极MEMS器件、以GaN、SiC等为代表的第三代化合物为衬底的半导体器件等方面的研究和开发。
报告期内，公司累计投入研发费13,658.64万元，占公司营业收入比例为20.58%，专职研发人员161人，占公司总人数比例为11.37%。截至报告期末，公司累计申请境内外专利375项，授权专利281项，有效专利251项。
（三）项目建设
根据公司业务发展需求及整体战略规划，公司在杭州新厂区筹建的半导体器件项目正有序推进。项目建设涵盖FAB厂房、封测厂房、测试及试验中心、动力中心等核心设施。截至本报告披露日，厂房主体已竣工并获颁不动产权证书。后续，公司将进一步强化项目管理与统筹协调，严格按照既定计划推进项目建设。
（四）产品结构
公司立足于主营业务，坚持产品差异化策略，积极完善业务和产品结构，深度布局半导体声光学、半导体微纳电路（主要为MEMS）、半导体封测、精密光学、微纳光学及智慧终端制造等业务。报告期内，公司产品结构优化成效显著，半导体属性大幅增强：半导体声光学与半导体封测业务销售收入实现显著增长；半导体工艺键合棱镜于年内实现量产交付，标志着“光学+半导体”融合技术高效转化为生产力；MicroLED等MEMS器件顺利进入量产阶段，进一步丰富了高端产品矩阵。上述进展标志着公司从传统光学元件制造商向半导体光学平台型企业的转型蜕变，未来公司还将重点聚焦各项业务的产能释放与盈利提升。
（五）人才发展
公司始终秉持“人才支撑发展，发展造就人才”的理念，高度重视人才梯队建设，持续完善人才引进与激励机制。通过实施“引育结合、产学研协同”战略，推动外部高端人才引进与内部培育深度融合；依托毗邻大学城的区位优势，共建产学研创新平台，联合开展技术攻关与定向培养。同时，优化“绩效+股权”双轨激励体系，推行核心骨干创新成果转化收益共享，充分激发人才活力。
非企业会计准则财务指标的变动情况分析及展望
。
|
|